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無(wú)線充電發(fā)射器

無線網卡rt73源碼

無線網卡rt73源碼，完整編譯即可使用，希望對大家有幫助。

標簽： rt 73 無線

上傳時間： 2014-01-04

上傳用戶：skhlm
nrf24e1 adc 接收端原始碼發射端原始碼

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標簽： nrf 24e adc 24

上傳時間： 2017-09-03

上傳用戶：bruce5996
AMR7(LPC2148)的SD卡開發電子書

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標簽： AMR7 2148 LPC SD卡

上傳時間： 2017-09-13

上傳用戶：xmsmh
於嵌入式系統中實作無線網路之

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標簽： programming

上傳時間： 2015-03-04

上傳用戶：1547591994
水電費似懂非懂是發

1346511545法規的發生放大法水電費收費

標簽： 1水電費水電費的收費

上傳時間： 2016-03-18

上傳用戶：woofliu
射頻與微波功率放大器設計.rar

本書主要闡述設計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設計技巧，以及將分析計算與計算機輔助設計相結合的優化設計方法。這些方法提高了設計效率，縮短了設計周期。本書內容覆蓋非線性電路設計方法、非線性主動設備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設計、寬帶功率放大器及通信系統中的功率放大器設計。　本書適合從事射頻與微波動功率放大器設計的工程師、研究人員及高校相關專業的師生閱讀。作者簡介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門首席理論設計工程師，他曾經任教于澳大利亞Linz大學、新加坡微電子學院、莫斯科通信和信息技術大學。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書作為國際微波年會論文集。目錄第1章　雙口網絡參數　1.1　傳統的網絡參數　1.2　散射參數　1.3　雙口網絡參數間轉換　1.4　雙口網絡的互相連接　1.5　實際的雙口電路　　1.5.1　單元件網絡　　1.5.2　π形和T形網絡　1.6　具有公共端口的三口網絡　1.7　傳輸線　參考文獻第2章　非線性電路設計方法　2.1　頻域分析　　2.1.1　三角恒等式法　　2.1.2　分段線性近似法　　2.1.3　貝塞爾函數法　2.2　時域分析　2.3　NewtOn.Raphscm算法　2.4　準線性法　2.5　諧波平衡法　參考文獻第3章　非線性有源器件模型　3.1　功率MOSFET管　　3.1.1　小信號等效電路　　3.1.2　等效電路元件的確定　　3.1.3　非線性I—V模型　　3.1.4　非線性C.V模型　　3.1.5　電荷守恒　　3.1.6　柵一源電阻　　3.1.7　溫度依賴性　3.2　GaAs MESFET和HEMT管　　3.2.1　小信號等效電路　　3.2.2　等效電路元件的確定　　3.2.3　CIJrtice平方非線性模型　　3.2.4　Curtice.Ettenberg立方非線性模型　　3.2.5　Materka—Kacprzak非線性模型　　3.2.6　Raytheon(Statz等)非線性模型　　3.2.7　rrriQuint非線性模型　　3.2.8　Chalmers(Angek)v)非線性模型　　3.2.9　IAF(Bemth)非線性模型　　3.2.10　模型選擇　3.3　BJT和HBT汀管　　3.3.1　小信號等效電路　　3.3.2　等效電路中元件的確定　　3.3.3　本征z形電路與T形電路拓撲之間的等效互換　　3.3.4　非線性雙極器件模型　參考文獻第4章　阻抗匹配　4.1　主要原理　4.2　Smith圓圖　4.3　集中參數的匹配　　4.3.1　雙極UHF功率放大器　　4.3.2　M0SFET VHF高功率放大器　4.4　使用傳輸線匹配　　4.4.1　窄帶功率放大器設計　　4.4.2　寬帶高功率放大器設計　4.5　傳輸線類型　　4.5.1　同軸線　　4.5.2　帶狀線　　4.5.3　微帶線　　4.5.4　槽線　　4.5.5　共面波導　參考文獻第5章　功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器　5.1　基本特性　5.2　三口網絡　5.3　四口網絡　5.4　同軸電纜變換器和合成器　5.5　wilkinson功率分配器　5.6　微波混合橋　5.7　耦合線定向耦合器　參考文獻第6章　功率放大器設計基礎　6.1　主要特性　6.2　增益和穩定性　6.3　穩定電路技術　　6.3.1　BJT潛在不穩定的頻域　　6.3.2　MOSFET潛在不穩定的頻域　　6.3.3　一些穩定電路的例子　6.4　線性度　6.5　基本的工作類別：A、AB、B和C類　6.6　直流偏置　6.7　推挽放大器　6.8　RF和微波功率放大器的實際外形　參考文獻第7章　高效率功率放大器設計　7.1　B類過激勵　7.2　F類電路設計　7.3　逆F類　7.4　具有并聯電容的E類　7.5　具有并聯電路的E類　7.6　具有傳輸線的E類　7.7　寬帶E類電路設計　7.8　實際的高效率RF和微波功率放大器　參考文獻第8章寬帶功率放大器　8.1　Bode—Fan0準則　8.2　具有集中元件的匹配網絡　8.3　使用混合集中和分布元件的匹配網絡　8.4　具有傳輸線的匹配網絡　　8.5　有耗匹配網絡　8.6　實際設計一瞥　參考文獻第9章　通信系統中的功率放大器設計　9.1　Kahn包絡分離和恢復技術　9.2　包絡跟蹤　9.3　異相功率放大器　9.4　Doherty功率放大器方案　9.5　開關模式和雙途徑功率放大器　9.6　前饋線性化技術　9.7　預失真線性化技術　9.8　手持機應用的單片cMOS和HBT功率放大器　參考文獻

標簽： 射頻微波功率放大器設計

上傳時間： 2013-04-24

上傳用戶：W51631
IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
回路電源式顯示電表（無電源式）

特點精確度0.05%滿刻度 ±1位數顯示范圍-19999-99999可任意規劃可直接量測直流4至20mA電流,無需另接輔助電源尺寸小(24x48x50mm),穩定性高分離式端子,配線容易 CE 認證主要規格輔助電源: None 精確度: 0.05% F.S. ±1 digit(DC) 輸入抗阻: approx. 250 ohm with 20mA input 輸入電壓降: max. DC5V with 20mA input 最大過載能力: < ±50mA 取樣時間: 2.5 cycles/sec. 顯示值范圍: -19999 - 99999 digit adjustable 歸零調整范圍: -999-999 digit adjustable 最大值調整范圍: -999-999 digit adjustable 過載顯示: " doFL " or "-doFL" 極性顯示: " 一 " for negative readings 顯示幕 : Brigh Red LEDs high 8.6mm(.338") 溫度系數 : 50ppm/℃ (0-50℃) 參數設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E2 外殼材料: ABS 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/case) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 外型尺寸: 24x48x50mm CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

標簽： 回路電源電表無電源

上傳時間： 2013-10-09

上傳用戶：lhuqi
IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2013-11-04

上傳用戶：372825274
微電腦型單相交流集合式電表（單相二線系統）

微電腦型單相交流集合式電表（單相二線系統）特點：精確度0.25%滿刻度±1位數可同時量測與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數點可任意設定瓦特單位W或KW可任意設定 CT比可任意設定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強度4仟伏特(1.2x50us) 數位RS-485界面 (Optional) 主要規格：精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協議: Modbus RTU mode 溫度系數: 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

標簽： 微電腦單相交流單相電表

上傳時間： 2015-01-03

上傳用戶：幾何公差

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