C語言冒泡、插入法、選擇排序算法分析
上傳時間： 2014-12-29
上傳用戶：leyesome
意法半導(dǎo)體STM32F103核心板外擴測試程序
上傳時間： 2013-11-02
上傳用戶：88mao
通過對二次相差法測距性能進行了仿真分析,仿真結(jié)果表明,基于雙頻比相測距的二次相差法多篇連續(xù)波雷達,只能求解速度不同的目標(biāo)的距離值,無法求解同速度不同距離目標(biāo)的距離值。
上傳時間： 2013-11-18
上傳用戶：潛水的三貢
摘 要 在沙丁(Cranz2Schardin)機基礎(chǔ)上,實現(xiàn)了反射式動態(tài)云紋測量法.該法可用于不透明模型的動態(tài)位移,應(yīng)變及應(yīng)力場的研究.關(guān)鍵詞 反射式,動態(tài)云紋法
上傳時間： 2014-12-31
上傳用戶：我累個乖乖
附件是一款PCB阻抗匹配計算工具，點擊CITS25.exe直接打開使用，無需安裝。附件還帶有PCB連板的一些計算方法，連板的排法和PCB聯(lián)板的設(shè)計驗驗。 PCB設(shè)計的經(jīng)驗建議: 1.一般連板長寬比率為1：1~2.5：1,同時注意For FuJi Machine:a.最大進板尺寸為:450*350mm, 2.針對有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向為優(yōu)先,考量對稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長度超過板長度的1/2時,需加補強邊. 5.陰陽板的設(shè)計需作特殊考量. 6.工藝邊需根據(jù)實際需要作設(shè)計調(diào)整,軌道邊一般不少於6mm,實際中需考量板邊零件的排布,軌道設(shè)備正常卡壓距離為不少於3mm,及符合實際要求下的連板經(jīng)濟性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學(xué)定位點,一般設(shè)計在對角處,為2個或4個,同時MARK點面需平整,無氧化,脫落現(xiàn)象;定位孔設(shè)計在板邊,為對稱設(shè)計,一般為4個,直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據(jù)連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設(shè)計的同時,需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設(shè)備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯(lián)接：需請考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding機上的夾具穩(wěn)定工作,還應(yīng)考慮是否有無影響插件過軌道,及是否影響裝配組裝.
上傳時間： 2014-12-31
上傳用戶：sunshine1402
附件是一款PCB阻抗匹配計算工具，點擊CITS25.exe直接打開使用，無需安裝。附件還帶有PCB連板的一些計算方法，連板的排法和PCB聯(lián)板的設(shè)計驗驗。 PCB設(shè)計的經(jīng)驗建議: 1.一般連板長寬比率為1：1~2.5：1,同時注意For FuJi Machine:a.最大進板尺寸為:450*350mm, 2.針對有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向為優(yōu)先,考量對稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長度超過板長度的1/2時,需加補強邊. 5.陰陽板的設(shè)計需作特殊考量. 6.工藝邊需根據(jù)實際需要作設(shè)計調(diào)整,軌道邊一般不少於6mm,實際中需考量板邊零件的排布,軌道設(shè)備正常卡壓距離為不少於3mm,及符合實際要求下的連板經(jīng)濟性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學(xué)定位點,一般設(shè)計在對角處,為2個或4個,同時MARK點面需平整,無氧化,脫落現(xiàn)象;定位孔設(shè)計在板邊,為對稱設(shè)計,一般為4個,直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據(jù)連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設(shè)計的同時,需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設(shè)備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯(lián)接：需請考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding機上的夾具穩(wěn)定工作,還應(yīng)考慮是否有無影響插件過軌道,及是否影響裝配組裝.
上傳時間： 2013-10-15
上傳用戶：3294322651
基于FPGA的循環(huán)冗余校驗算法實現(xiàn)
標(biāo)簽： FPGA 循環(huán)冗余 校驗算法
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：黃蛋的蛋黃
磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時間： 2013-12-15
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2013-11-04
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MOTOMAN示教編程方法
上傳時間： 2013-10-18
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