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C語(yǔ)言冒泡、插入法、選擇排序算法分析

C語(yǔ)言冒泡、插入法、選擇排序算法分析

標(biāo)簽： C語(yǔ)言排序算法分析

上傳時(shí)間： 2014-12-29

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意法半導(dǎo)體STM32F103核心板外擴(kuò)測(cè)試程序

意法半導(dǎo)體STM32F103核心板外擴(kuò)測(cè)試程序

標(biāo)簽： F103 STM 103 32F

上傳時(shí)間： 2013-11-02

上傳用戶：88mao
基于二次相差法的多頻連續(xù)波測(cè)距雷達(dá)仿真與研究

通過(guò)對(duì)二次相差法測(cè)距性能進(jìn)行了仿真分析,仿真結(jié)果表明,基于雙頻比相測(cè)距的二次相差法多篇連續(xù)波雷達(dá),只能求解速度不同的目標(biāo)的距離值,無(wú)法求解同速度不同距離目標(biāo)的距離值。

標(biāo)簽： 相差法多頻仿真測(cè)距雷達(dá)

上傳時(shí)間： 2013-11-18

上傳用戶：潛水的三貢
反射式動(dòng)態(tài)云紋法實(shí)驗(yàn)研究

摘　要　在沙丁(Cranz2Schardin)機(jī)基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)了反射式動(dòng)態(tài)云紋測(cè)量法.該法可用于不透明模型的動(dòng)態(tài)位移,應(yīng)變及應(yīng)力場(chǎng)的研究.關(guān)鍵詞　反射式,動(dòng)態(tài)云紋法

標(biāo)簽： 反射式動(dòng)態(tài) 實(shí)驗(yàn)

上傳時(shí)間： 2014-12-31

上傳用戶：我累個(gè)乖乖
PCB阻抗匹配計(jì)算工具（附教程）

附件是一款PCB阻抗匹配計(jì)算工具，點(diǎn)擊CITS25.exe直接打開(kāi)使用，無(wú)需安裝。附件還帶有PCB連板的一些計(jì)算方法，連板的排法和PCB聯(lián)板的設(shè)計(jì)驗(yàn)驗(yàn)。 PCB設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)建議: 1.一般連板長(zhǎng)寬比率為1：1~2.5：1,同時(shí)注意For FuJi Machine:a.最大進(jìn)板尺寸為:450*350mm, 2.針對(duì)有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向?yàn)閮?yōu)先,考量對(duì)稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長(zhǎng)度超過(guò)板長(zhǎng)度的1/2時(shí),需加補(bǔ)強(qiáng)邊. 5.陰陽(yáng)板的設(shè)計(jì)需作特殊考量. 6.工藝邊需根據(jù)實(shí)際需要作設(shè)計(jì)調(diào)整,軌道邊一般不少於6mm,實(shí)際中需考量板邊零件的排布,軌道設(shè)備正常卡壓距離為不少於3mm,及符合實(shí)際要求下的連板經(jīng)濟(jì)性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學(xué)定位點(diǎn),一般設(shè)計(jì)在對(duì)角處,為2個(gè)或4個(gè),同時(shí)MARK點(diǎn)面需平整,無(wú)氧化,脫落現(xiàn)象;定位孔設(shè)計(jì)在板邊,為對(duì)稱設(shè)計(jì),一般為4個(gè),直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據(jù)連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設(shè)計(jì)的同時(shí),需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設(shè)備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯(lián)接：需請(qǐng)考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding機(jī)上的夾具穩(wěn)定工作,還應(yīng)考慮是否有無(wú)影響插件過(guò)軌道,及是否影響裝配組裝.

標(biāo)簽： PCB 阻抗匹配計(jì)算工具教程

上傳時(shí)間： 2014-12-31

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PCB阻抗匹配計(jì)算工具（附教程）

附件是一款PCB阻抗匹配計(jì)算工具，點(diǎn)擊CITS25.exe直接打開(kāi)使用，無(wú)需安裝。附件還帶有PCB連板的一些計(jì)算方法，連板的排法和PCB聯(lián)板的設(shè)計(jì)驗(yàn)驗(yàn)。 PCB設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)建議: 1.一般連板長(zhǎng)寬比率為1：1~2.5：1,同時(shí)注意For FuJi Machine:a.最大進(jìn)板尺寸為:450*350mm, 2.針對(duì)有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向?yàn)閮?yōu)先,考量對(duì)稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長(zhǎng)度超過(guò)板長(zhǎng)度的1/2時(shí),需加補(bǔ)強(qiáng)邊. 5.陰陽(yáng)板的設(shè)計(jì)需作特殊考量. 6.工藝邊需根據(jù)實(shí)際需要作設(shè)計(jì)調(diào)整,軌道邊一般不少於6mm,實(shí)際中需考量板邊零件的排布,軌道設(shè)備正?？▔壕嚯x為不少於3mm,及符合實(shí)際要求下的連板經(jīng)濟(jì)性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學(xué)定位點(diǎn),一般設(shè)計(jì)在對(duì)角處,為2個(gè)或4個(gè),同時(shí)MARK點(diǎn)面需平整,無(wú)氧化,脫落現(xiàn)象;定位孔設(shè)計(jì)在板邊,為對(duì)稱設(shè)計(jì),一般為4個(gè),直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據(jù)連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設(shè)計(jì)的同時(shí),需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設(shè)備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯(lián)接：需請(qǐng)考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding機(jī)上的夾具穩(wěn)定工作,還應(yīng)考慮是否有無(wú)影響插件過(guò)軌道,及是否影響裝配組裝.

標(biāo)簽： PCB 阻抗匹配計(jì)算工具教程

上傳時(shí)間： 2013-10-15

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基于FPGA的循環(huán)冗余校驗(yàn)算法實(shí)現(xiàn)

基于FPGA的循環(huán)冗余校驗(yàn)算法實(shí)現(xiàn)

標(biāo)簽： FPGA 循環(huán)冗余校驗(yàn)算法

上傳時(shí)間： 2013-10-09

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磁芯電感器的諧波失真分析

磁芯電感器的諧波失真分析摘要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)，磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來(lái)，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。一、歷史回顧總諧波失真（Total harmonic distortion），簡(jiǎn)稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器，阻抗 150Ω，增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝，（線架為一格），其空心電感值為 318μH（誤差1％）被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz，使輸出電平值為+17.4 dB，即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平（P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3），則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證，就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求，必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制）轉(zhuǎn)換時(shí)期，日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

標(biāo)簽： 磁芯電感器分諧波失真

上傳時(shí)間： 2013-12-15

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IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫(xiě)名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時(shí)間： 2013-11-04

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弧焊機(jī)器人MOTOMAN示教編程方法

MOTOMAN示教編程方法

標(biāo)簽： MOTOMAN 弧焊機(jī)器人編程方法

上傳時(shí)間： 2013-10-18

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