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無線發(fā)(fā)射芯片

  • SX1278擴頻技術(shù)433M無線模塊

    APC340是高度集成低功耗雙工無線數(shù)據(jù)傳輸模塊,其嵌入高速低功耗單片機和高性能擴頻射頻芯片SX1276/8,同時采用高效的循環(huán)交織糾檢錯編碼,抗干擾和靈敏度均處于行業(yè)最領(lǐng)先水平,APC340提供了多個頻道選擇,可在線修改串口速率,收發(fā)頻率,發(fā)射功率,射頻速率等各種參數(shù)。APC340工作電壓為2.1-3.6V,可定制3.5-5.5V工作電壓,在接收狀態(tài)下僅消耗13mA,APC340有四種工作模式,各模式之間可任意切換,在1SEC周期輪詢喚醒省電模式(Polling mode)F,接收僅僅消耗幾+uA,一節(jié)3.6V/3.6AH時的鋰亞電池可工作數(shù)年,非常適合電池供電的系統(tǒng)。應(yīng)用:無線水氣熱表抄表極遠距離數(shù)據(jù)通訊無線傳感器網(wǎng)絡(luò)無線自動化數(shù)據(jù)采集野外數(shù)據(jù)遙控、遙測各種變送器,流量計智能儀表樓宇小區(qū)自動化與安防礦山石油設(shè)備控制通訊環(huán)境、節(jié)能、溫度監(jiān)測電氣電力設(shè)備

    標簽: sx1278 擴頻技術(shù) 無線模塊

    上傳時間: 2022-06-19

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  • 基于FM1702的射頻卡讀寫系統(tǒng)的設(shè)計

    本論文描述了以STC89C52單片機作為控制器,以射頻技術(shù)為核心,基于復(fù)旦微電子公司FM1702SL模塊設(shè)計的非接觸式IC卡讀寫器,闡述了該系統(tǒng)的組成、工作原理以及相應(yīng)的軟硬件設(shè)計。然后介紹了Type A型常用的卡片Mifarel IC S50以及對應(yīng)讀卡器的設(shè)計方法和電路(使用專用的射頻讀卡集成芯片F(xiàn)M1702),并詳細描述了系統(tǒng)各個模塊的組成和原理,給出了天線的設(shè)計規(guī)范,并根據(jù)課題要求詳細介紹了設(shè)計的一款Type A型讀卡器的射頻模塊的實現(xiàn)方案。最后介紹了系統(tǒng)設(shè)計的軟件部分,重點介紹了FM1702的主要特性(如防沖突、三重驗證等)以及與Mifarel非接觸IC卡通信等一些重要軟件模塊,并展示了實際測試的結(jié)果并證明了該讀寫器完成了基本功能,運行穩(wěn)定可靠。關(guān)鍵詞:STC89C52;FM1702:Mifarel;IC

    標簽: fm1702 射頻卡讀寫系統(tǒng)

    上傳時間: 2022-06-19

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  • 幾種用于IGBT驅(qū)動的集成芯片

    在一般較低性能的三相電壓源逆變器中, 各種與電流相關(guān)的性能控制, 通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流電流即可,如變頻器中的自動轉(zhuǎn)矩補償、轉(zhuǎn)差率補償?shù)取M瑫r, 這一檢測結(jié)果也可以用來完成對逆變單元中IGBT 實現(xiàn)過流保護等功能。因此在這種逆變器中, 對IGBT 驅(qū)動電路的要求相對比較簡單, 成本也比較低。這種類型的驅(qū)動芯片主要有東芝公司生產(chǎn)的TLP250,夏普公司生產(chǎn)的PC923等等。這里主要針對TLP250 做一介紹。TLP250 包含一個GaAlAs 光發(fā)射二極管和一個集成光探測器, 8腳雙列封裝結(jié)構(gòu)。適合于IGBT 或電力MOSFET 柵極驅(qū)動電路。圖2為TLP250 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡圖, 表1 給出了其工作時的真值表。TLP250 的典型特征如下:1) 輸入閾值電流( IF) : 5 mA( 最大) ;2) 電源電流( ICC) : 11 mA( 最大) ;3) 電源電壓( VCC) : 10~ 35 V;4) 輸出電流( IO) : ± 0.5 A( 最小) ;5) 開關(guān)時間( tPLH /tPHL ) : 0.5 μ( s 最 大 ) ;6) 隔離電壓: 2500 Vpms(最小)。表2 給出了TLP250 的開關(guān)特性,表3 給出了TLP250 的推薦工作條件。注: 使 用 TLP250 時 應(yīng) 在 管 腳 8和 5 間 連 接 一 個 0.1 μ的 F 陶 瓷 電 容 來穩(wěn)定高增益線性放大器的工作, 提供的旁路作用失效會損壞開關(guān)性能, 電容和光耦之間的引線長度不應(yīng)超過1 cm。圖3 和圖4 給出了TLP250 的兩種典型的應(yīng)用電路。

    標簽: igbt

    上傳時間: 2022-06-20

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  • WCDMA基站射頻電路及天線的設(shè)計

    隨著個人通信和移動通信技術(shù)在世界范圍內(nèi)的迅猛發(fā)展,人們對移動通信的服務(wù)質(zhì)量要求也越來越高.WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access)作為第三代移動通信系統(tǒng)的三大標準之一,因為具有優(yōu)良的通信質(zhì)量和較高的頻譜利用率而被廣泛應(yīng)用.在WCDMA接收機中,射頻前端電路占有重要的地位,其性能優(yōu)劣直按影響著接收機的接收靈敏度以及后繼信號處理部分的性能.因此,進行WCDMA射頻電路的研究和設(shè)計具有重要的現(xiàn)實意義.天線和低噪聲放大器(LNA)是射頻(RF)接收機芯片的重要組成部分。本文在廣泛查閱國內(nèi)、外參考文獻的基礎(chǔ)上,對微帶天線的寬頻帶技術(shù)和LNA的設(shè)計原理進行了深入地研究.綜合多種寬頻帶技術(shù),本文采用L形探針饋電與雙E形槽貼片相結(jié)合的方法,提出了一款適合于WCDMA基站的寬頻帶微帶天線結(jié)構(gòu)。利用電磁仿真軟件HFSS對該天線的性能進行了研究,研究了天線貼片尺寸對天線性能的影響。在此基礎(chǔ)上,優(yōu)化設(shè)計了適用于WCDMA基站的寬頻帶微帶天線,并對其進行了加工、測試和分析,仿真和測試結(jié)果均表明,該天線-10dB回波損耗帶寬為520MHz,天線在2GHz的增益為7.88dBi,滿足WCDMA基站的要求.另外,本文還根據(jù)WCDMA基站對LNA性能的要求,利用仿真軟件ADS(Advanced Design System)設(shè)計了一款高線性的兩級平衡低噪聲放大器,給出了電路原理圖,并制作了版圖,結(jié)果表明,該低噪聲放大器在1.92GH2~1.98GHz頻段增益不低于30dB,噪聲系數(shù)小于1dB,滿足WCDMA的要求,具有一定的實用價值。

    標簽: wcdma 基站 射頻電路 天線

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 北斗二代導(dǎo)航系統(tǒng)接收機射頻前端設(shè)計

    本文首先介紹了衛(wèi)星導(dǎo)航接收機的發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢。接著對比分析了現(xiàn)如今主流的接收機技術(shù):超外差式、零中頻式、低中頻式及數(shù)字中頻式結(jié)構(gòu),介紹了各結(jié)構(gòu)的拓撲結(jié)構(gòu)并對比了相互之間的優(yōu)缺點,然后根據(jù)B1導(dǎo)航信號的特征參數(shù)要求,確定本文接收機所采用低中頻結(jié)構(gòu)的技術(shù)指標。結(jié)合選擇的芯片參數(shù)搭建系統(tǒng)仿真模型,利用系統(tǒng)仿真軟件ADS對接收機前端鏈路進行行為級仿真,驗證設(shè)計方案的可行性,分模塊設(shè)計了接收機前端系統(tǒng)的各功能電路,主要有多級低噪聲放大器、選頻濾波電路、本振電路、混頻器電路以及系統(tǒng)自動增益控制電路。針對衛(wèi)星導(dǎo)航信號接收機前端必須具備高靈敏度、強選擇性以及一定動態(tài)范圍的特點,需要平衡設(shè)計低噪聲放大器噪聲性能與單級增益,以及折中接收機前端鏡像頻率抑制性能與信道的選擇性。利用仿真軟件輔助設(shè)計了電路原理圖與印刷電路板版圖,對其PCB貼片后進行測試與調(diào)試。最后將調(diào)試好的模塊級聯(lián)成系統(tǒng),測試射頻前端系統(tǒng)的性能并加以冊NWL.Clogin.com最終實現(xiàn)的接收機射頻前端5V電壓供電,接收信號中心頻率1561.098MHz,鏈路最大增益為122dB,系統(tǒng)噪聲小于2dB.中頻信號中心頻率46.1MHz,帶寬為4.3MHz,紋波在1.5dB內(nèi),帶外抑制與鏡像抑制都大于30dB,端口駐波比小于2.0,測試結(jié)果基本滿足設(shè)計指標要求。

    標簽: 北斗二代導(dǎo)航系統(tǒng) 接收機 射頻前端

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 射頻功率放大器集成電路研究

    射頻功率放大器在雷達、無線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊、電子對抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用,是現(xiàn)代無線通信的關(guān)鍵設(shè)備.與傳統(tǒng)的行被放大器相比,射頻固態(tài)功率放大器具有體積小、動態(tài)范圍大、功耗低、壽命長等一系列優(yōu)點;由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統(tǒng)中的地位非常重要,使得功率放大器的研制變得十分重要,因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設(shè)計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs,SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力,但其價格昂貴,工藝一致性差;CMOS工藝的功率輸出能力不大,很難應(yīng)用于高輸出功率的場合;而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間,價格相對低廉并和CMOS電路兼容,非常適合于中功率應(yīng)用場合.本文介紹了應(yīng)用與無線局域網(wǎng)和Ka波段的射頻集成功率放大器的設(shè)計和實現(xiàn),分別使用了CMOS,SiGe BiCMOS,GaAs三種工藝.(1)由SMIC 0.18um CMOS工藝實現(xiàn)的放大器工作頻率為2.4GHz,采用了兩級共源共柵電路結(jié)構(gòu),在5V電源電壓下仿真結(jié)果為小信號增益22dB左右,1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%,最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%,芯片面積為1.4mm*0.96mm;(2)由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現(xiàn)的功率放大器工作頻率為5.25GHz,分為前置推動級和末級功率級,電源電壓為3.3V,仿真結(jié)果為小信號增益28dB左右,1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm,功率附加效率大于15%,最大飽和輸出功率為29.5dBm,芯片面積為1.56mm"1.2mm;(3)由WIN 0.15um GaAs工藝實現(xiàn)的功率放大器工作頻率為27-32GHz,使用了三級功率放大器結(jié)構(gòu),在電源電壓為5V下仿真結(jié)果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm,增益在20dB以上,最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%,芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設(shè)計、仿真、版圖設(shè)計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設(shè)計過程,對三種工藝實現(xiàn)的功率放大器進行了對比,并通過各自的仿真結(jié)果對出現(xiàn)的問題進行了詳盡的分析。

    標簽: 射頻功率放大器 集成電路

    上傳時間: 2022-06-20

    上傳用戶:shjgzh

  • 基于射頻識別技術(shù)的門禁系統(tǒng)的設(shè)計

    (1)研究了基于射頻識別技術(shù)的門禁系統(tǒng)的總體設(shè)計,設(shè)計了射頻IC讀卡器的電路原理圖,給出了PCB板,讀卡器主要由射頻天線、讀卡模塊、RS485通信接口及單片機控制系統(tǒng)組成,能讀寫Philips公司的Mifare非接觸式智能射頻卡,讀卡距離約10cm.當沒有卡進入讀卡能量范圍時,系統(tǒng)顯示時鐘,當有卡進入時則讀卡內(nèi)數(shù)據(jù)并將卡號信息顯示在液晶顯示器上.(2)深入研究RFID天線的EMC過濾器、接收電路以及天線匹配電路等構(gòu)成,結(jié)合本設(shè)計采用了線圈天線,并從品質(zhì)因素Q和調(diào)諧頻率兩方面設(shè)計讀寫器天線,設(shè)計優(yōu)化了天線耦合電路.(3)針對設(shè)備組網(wǎng)應(yīng)用要求,門禁終端通信采用RS485總線,同時結(jié)合門禁讀卡器研究了RS485的網(wǎng)絡(luò)拓撲結(jié)構(gòu),通過RS485接口與PC機組成通信網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。讀卡器平時可獨立工作,PC機會每隔一定時間訪問讀卡器,用PC機上的時鐘統(tǒng)一校準讀卡器上的時鐘,并讀取存儲器內(nèi)的讀卡數(shù)據(jù),以便讀卡器中的數(shù)據(jù)得到及時處理.(4)設(shè)計單片機的包看門狗、液品顯示、數(shù)據(jù)存儲和實時時鐘等在內(nèi)的外圍模塊電路,采用串口設(shè)計如SPI.PC等,從而節(jié)約了單片機的vo接口.同時結(jié)合門禁系統(tǒng)設(shè)計門禁控制電路,完成設(shè)備的選材。(5)根據(jù)射頻識別門禁系統(tǒng)總體設(shè)計要求,采用模塊化軟件設(shè)計方法,根據(jù)MF RC500的特性,系統(tǒng)地對MF RC500芯片的操作流程進行研究,設(shè)計主程序的流程圖和各個模塊子程序,使用Cs1語言開發(fā)了讀寫器的底層控制軟件,并完成程序的調(diào)試,證明結(jié)果滿足設(shè)計要求.

    標簽: 射頻識別 門禁系統(tǒng)

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 《射頻通信電路設(shè)計》學(xué)習(xí)筆記

    《射頻通信電路設(shè)計》學(xué)習(xí)筆記(一)1.1射頻概念1864-1873年,英國物理學(xué)家麥克斯書通過電磁學(xué)的研究,提出了著名的Maxwell方程組,并在理論上預(yù)言了電磁波的存在。1887-1891年,德國物理學(xué)家赫茲通過電磁學(xué)實驗首次證實了電磁波的存在901年,馬可尼利用電磁波實現(xiàn)了橫跨大西洋的無線通f1.2射頻通信電路應(yīng)用簡介在電子通信系統(tǒng)中,只有使用更高的載波頻率,才能獲得更大的帶寬。按照10%的帶寬計算,有線電視系統(tǒng)中使用100MHz的載波可以獲得10MHz的帶寬1.3射頻電路設(shè)計的特點1.3.1分布參數(shù)集總參數(shù)元件:指一個獨立的局域性元件,能夠在一定的頻率范圍內(nèi)提供特定的電路性能。在低頻電路設(shè)計中,可以把元件看作集總參數(shù)元件,認為元件的特性僅由二傳手自身決定,元件的電磁場部集中在元件內(nèi)部。如電容、電阻、電感等;一個電容的容抗是由電容自身的特性決定不會受周圍元件的影響,如果把其他元件靠近這個電容器,其容抗不會隨之產(chǎn)業(yè)化。分布參數(shù)元件:指一個元件的特性延伸擴展到一定的空間范圍內(nèi),不再局限于元件自身。由于分布參數(shù)元件的電磁場分布在附近空間中,其特性要受周圍環(huán)境的影響。同一個元件,在低頻電路設(shè)計中可以看作是集總參數(shù)元件,但是在射頻電路設(shè)計中可能需要作為分布參數(shù)元件進行處理。例如,一定長度的一段傳輸線,在低頻電路中可以看作集總參數(shù)元件;在射頻電路中,就必須看作分布參數(shù)元件。分布電容(Cp):指在元件自身封裝、元件之間、元件到接地平面和線路板布線間形成非期t電容。分布電容與元件瞇并聯(lián)關(guān)系。分布電感(LD):指元件引腳、連線、線路板布線等形成的非期望電感。分布電感通常與元件為串聯(lián)關(guān)系。

    標簽: 射頻通信 電路設(shè)計

    上傳時間: 2022-06-21

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  • MFRC522射頻模塊在門禁系統(tǒng)中的應(yīng)用

    引言隨著射頻技術(shù)的發(fā)展,基于ISO14443A協(xié)議的近場距離識別技術(shù)越來越多的應(yīng)用于民用產(chǎn)品中,最常見的如公共交通、身份識別、門禁監(jiān)控等眾多領(lǐng)域。為使應(yīng)用系統(tǒng)的開發(fā)人員快速開發(fā)射頻識別產(chǎn)品,本文設(shè)計了一種實用型射頻讀寫模塊,該模塊具有天線識別距離大、用戶接口靈活和操作簡單等特點。該模塊采用MFRC522作為射頻讀寫芯片,該芯片支持ISO14443A的多層協(xié)議;在內(nèi)部嵌入天線,同時支持使用外部天線的功能。分別從硬件和軟件兩方面對系統(tǒng)設(shè)計進行詳細的介紹:硬件方面給出系統(tǒng)總體框圖,并對主要芯片和天線設(shè)計進行介紹;軟件方面則重點介紹ISO14443A協(xié)議和接口編程,最后結(jié)合應(yīng)用實例,展示了模塊通用和易用等特點。1硬件電路設(shè)計本文設(shè)計的射頻模塊為基于MFRC522射頻讀寫芯片,適用于支持ISO14443A協(xié)議的所有非接觸式卡。硬件系統(tǒng)由射頻讀寫芯片MFRC522、單片機LPC931、電源模塊和天線電路組成,系統(tǒng)硬件框圖如圖1所示。

    標簽: mfrc522 射頻模塊 門禁系統(tǒng)

    上傳時間: 2022-06-24

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  • GaN基LED材料特性研究及芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計

    本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學(xué)特性之后,從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計兩個方面對氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開了討論。其中材料屬性部分,介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應(yīng)用范圍,然后根據(jù)實驗分析了TEM圖片,包括GaN多量子阱,重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形,分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜,并解釋其光譜藍移和紅移現(xiàn)象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應(yīng)用。在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計部分,本文提出了三種高效率LED芯片的設(shè)計結(jié)構(gòu),分別是基于雙光子晶體的LED芯片,基于微球模型的LED芯片,基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論,蒙特卡羅理論及激光剝離理論,本文分別介紹和分析了各類理論基礎(chǔ),并在此基礎(chǔ)上提出新的設(shè)計結(jié)構(gòu),給出仿真分析結(jié)果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層,出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結(jié)構(gòu)來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實現(xiàn)較好散熱效果和功率。

    標簽: led

    上傳時間: 2022-06-25

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