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無(wú)速度傳感器

  • 基于新唐mini58系列單片機(jī)的電動(dòng)工具BLDC無(wú)感驅(qū)動(dòng)例程

    基于新唐mini58系列單片機(jī)的電動(dòng)工具BLDC無(wú)感驅(qū)動(dòng)例程,官方例程,基于比較器過(guò)零點(diǎn)檢測(cè),稍做修改基本可以穩(wěn)定運(yùn)行

    標(biāo)簽: mini58 單片機(jī) bldc 驅(qū)動(dòng)

    上傳時(shí)間: 2022-06-02

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  • 正點(diǎn)原子高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器用戶(hù)資料

    1 產(chǎn)品簡(jiǎn)介1.1 產(chǎn)品特點(diǎn)下載速度快,超越 JLINK V8,接近 JLINK V9采用 2.4G 無(wú)線(xiàn)通信,自動(dòng)跳頻支持 1.8V~5V 設(shè)備,自動(dòng)檢測(cè)支持 1.8V/3.3V/5V 電源輸出,上位機(jī)設(shè)置支持目標(biāo)板取電/給目標(biāo)板供電支持 MDK/IAR 編譯器,無(wú)需驅(qū)動(dòng),不丟固件支持 Cortex M0/M1/M3/M4/M7 等內(nèi)核 ARM 芯片支持仿真調(diào)試,支持代碼下載、支持虛擬串口提供 20P 標(biāo)準(zhǔn) JTAG 接口、提供 4P 簡(jiǎn)化 SWD 接口支持 XP/WIN7/WIN8/WIN10 等操作系統(tǒng)尺寸小巧,攜帶方便1.2 基本參數(shù)產(chǎn)品名稱(chēng) ATK-HSWLDBG 高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器產(chǎn)品型號(hào) ATK-HSWLDBG支持芯片 ARM Cortex M0/M1/M3/M4/M7 全系列通信方式 USB(免驅(qū))仿真接口 JTAG、SWD支持編譯器 MDK、IAR串口速度 10Mbps(max)燒錄速度 10M通信距離 ≥10MTX 端工作電壓 5V(USB 供電)TX 端工作電流 151mARX 端工作電壓 3.3V/5V(USB 或者 JTAG 或者 SWD 供電)RX 端工作電流 132mA@5V工作溫度 -40℃~+85℃尺寸 66.5mm*40mm*17mm1.3 產(chǎn)品實(shí)物圖圖 發(fā)送端圖 接收端圖 接收端接口輸出電壓示意圖,所有標(biāo)注 GND 的引腳均為地線(xiàn)1.4 接線(xiàn)示意圖高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器發(fā)送端,接線(xiàn)圖:高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器接收端,JTAG/SWD 接口供電,接線(xiàn)示意圖:高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器接收端,USB 接口供電,接線(xiàn)示意圖:1.5 高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器工作原理示意圖電腦端 高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器發(fā)送端 USB 接口目標(biāo) MCU 高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器接收端 JTAG/SWD 接口目標(biāo) MCU 高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器接收端5V 電源JTAG/SW 接口 USB 接口高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器JTAG/SW 接口 目標(biāo) MCU 高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器接收端USB 接口 電腦端 高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器發(fā)送端無(wú)線(xiàn)模塊無(wú)線(xiàn)模塊2、MDK 配置教程注意:低版本 MDK 對(duì)高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器的支持不完善,推薦 MDK5.23及以上版本。MDK5.23~MDK5.26 對(duì)高速 DAP 的支持都有 bug,必須打補(bǔ)丁。參考“mdk 補(bǔ)丁”文件夾下的相關(guān)文檔解決。SWD 如果接3 線(xiàn),請(qǐng)查看第 10 章,常見(jiàn)問(wèn)題 1。要提高速度,參考 4.2 節(jié)配置無(wú)線(xiàn)參數(shù)為大包模式。如果無(wú)線(xiàn)通信不穩(wěn)定,參考常見(jiàn)問(wèn)題 4。

    標(biāo)簽: 高速無(wú)線(xiàn)調(diào)試器

    上傳時(shí)間: 2022-06-04

    上傳用戶(hù):d1997wayne

  • 基于STM32正弦波逆變器設(shè)計(jì)資料

    本人對(duì)逆變器感興趣,參考各類(lèi)資料后,經(jīng)過(guò)兩次改版,制作了這一款純正弦波逆變器。設(shè)計(jì)功率在300W。從DC升壓到SPWM產(chǎn)生正弦波,均采用stm32c8t6(STM32C8T6數(shù)據(jù)手冊(cè))作為主控芯片,并同時(shí)提供高壓,低壓,過(guò)功率,和短路保護(hù)功能。現(xiàn)開(kāi)源。希望和喜歡做逆變的朋友交流,共同提高。  SPWM穩(wěn)壓方式暫時(shí)采用310/DC求調(diào)制比的方式。從調(diào)試到現(xiàn)在已經(jīng)燒毀了5片stm32都是cpu短路,等有空查查是什么原因。  本機(jī)帶載過(guò)手電鉆,豆?jié){機(jī),電視機(jī),和一臺(tái)臺(tái)式電腦。豆?jié){機(jī)空載沒(méi)問(wèn)題,放上豆子后,幾秒鐘后會(huì)觸發(fā)保護(hù)。臺(tái)式電腦工作10分鐘后電瓶沒(méi)電了,就沒(méi)再試。

    標(biāo)簽: stm32 正弦波逆變器

    上傳時(shí)間: 2022-06-10

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  • 超聲波電機(jī)之設(shè)計(jì)及分析

    1-1前言一般人所能夠感受到聲音的頻率約介於5H2-20KHz,超音波(Ultrasonic wave)即爲(wèi)頻率超過(guò)20KHz以上的音波或機(jī)械振動(dòng),因此超音波馬達(dá)就是利用超音波的彈性振動(dòng)頻率所構(gòu)成的制動(dòng)力。超音波馬達(dá)的內(nèi)部主要是以壓電陶瓷材料作爲(wèi)激發(fā)源,其成份是由鉛(Pb)、結(jié)(Zr)及鈦(Ti)的氧化物皓鈦酸鉛(Lead zirconate titanate,PZT)製成的。將歷電材料上下方各黏接彈性體,如銅或不銹鋼,並施以交流電壓於壓電陶瓷材料作爲(wèi)驅(qū)動(dòng)源,以激振彈性體,稱(chēng)此結(jié)構(gòu)爲(wèi)定子(Stator),將其用彈簧與轉(zhuǎn)子Rotor)接觸,將所産生摩擦力來(lái)驅(qū)使轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動(dòng),由於壓電材料的驅(qū)動(dòng)能量很大,並足以抗衡轉(zhuǎn)子與定子間的正向力,雖然伸縮振幅大小僅有數(shù)徵米(um)的程度,但因每秒之伸縮達(dá)數(shù)十萬(wàn)次,所以相較於同型的電磁式馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)能量要大的許多。超音波馬達(dá)的優(yōu)點(diǎn)爲(wèi):1,轉(zhuǎn)子慣性小、響應(yīng)時(shí)間短、速度範(fàn)圍大。2,低轉(zhuǎn)速可產(chǎn)生高轉(zhuǎn)矩及高轉(zhuǎn)換效率。3,不受磁場(chǎng)作用的影響。4,構(gòu)造簡(jiǎn)單,體積大小可控制。5,不須經(jīng)過(guò)齒輸作減速機(jī)構(gòu),故較爲(wèi)安靜。實(shí)際應(yīng)用上,超音波馬達(dá)具有不同於傳統(tǒng)電磁式馬達(dá)的特性,因此在不適合應(yīng)用傳統(tǒng)馬達(dá)的場(chǎng)合,例如:間歇性運(yùn)動(dòng)的裝置、空間或形狀受到限制的場(chǎng)所;另外包括一些高磁場(chǎng)的場(chǎng)合,如核磁共振裝置、斷層掃描儀器等。所以未來(lái)在自動(dòng)化設(shè)備、視聽(tīng)音響、照相機(jī)及光學(xué)儀器等皆可應(yīng)用超音波馬達(dá)來(lái)取代。

    標(biāo)簽: 超聲波電機(jī)

    上傳時(shí)間: 2022-06-17

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  • 一種新穎的正弦正交編碼器細(xì)分方法

    一種新穎的正弦正交編碼器細(xì)分方法摘要,提出了一種不用查詢(xún)表的正弦正交編碼器細(xì)分方法利用控制系統(tǒng)臨界穩(wěn)定原理生成一個(gè)高頻數(shù)字正弦載波與采樣得到的正弦編碼信號(hào)實(shí)時(shí)比較來(lái)獲取相位信息,與傳統(tǒng)查詢(xún)表細(xì)分方法相比,節(jié)省了大量的存儲(chǔ)空間而且整個(gè)細(xì)分過(guò)程通過(guò)軟件實(shí)現(xiàn),不需要添加額外的硬件,同時(shí)闡述了影響細(xì)分分辨率的因素,推導(dǎo)出了防止電機(jī)高速運(yùn)行時(shí)細(xì)分混登的條件;最后,以一臺(tái)7kw的電梯用永磁同步電機(jī)配套海德漢的ERN487-2048正弦增量式編碼器為平臺(tái),驗(yàn)證了該細(xì)分方法用于轉(zhuǎn)子初始位置識(shí)別及速度控制的可行性.關(guān)鍵詞,正弦編碼器,細(xì)分,永磁同步電機(jī),電梯,轉(zhuǎn)子初始位置隨著社會(huì)的發(fā)展人們對(duì)電梯的體積載重量功耗調(diào)速精度及調(diào)速范圍等提出了越來(lái)越高的要求永磁同步電機(jī)以功率密度大氣隙密度高轉(zhuǎn)矩電流比高轉(zhuǎn)矩慣量比大壽命長(zhǎng)及結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)成為無(wú)齒輪電引機(jī)的首選 對(duì)于正弦波永磁同0步電機(jī)矢量控制系統(tǒng)坐標(biāo)變換中的轉(zhuǎn)子位置角是否能準(zhǔn)確實(shí)時(shí)地檢測(cè)直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的性能因此高性能要求的系統(tǒng)一般采用分辨率高的光電式編碼器檢測(cè)轉(zhuǎn)子位置.

    標(biāo)簽: 正弦正交編碼器

    上傳時(shí)間: 2022-06-18

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  • 超聲波換能器諧振頻率跟蹤方法分析.

    超聲波是一種能量存在的方式,超聲波通過(guò)高頻的振動(dòng)作用于水介質(zhì),從而產(chǎn)生超聲空化效應(yīng),這種空化效應(yīng)已經(jīng)在超聲波清洗中得到應(yīng)用,或者超聲波作用于傳聲媒介當(dāng)中,能夠引起媒介之間發(fā)生不同的效應(yīng),已經(jīng)在基礎(chǔ)學(xué)科研究和工程應(yīng)用開(kāi)發(fā)都表示出非常廣闊的應(yīng)用前景[12]。按照超聲波研究?jī)?nèi)容上劃分,可以分為功率超聲和檢測(cè)超聲兩大領(lǐng)域Bl]。檢測(cè)超聲是工業(yè)及醫(yī)學(xué)檢查的一種方法之一,也被認(rèn)為是弱超聲的“被動(dòng)應(yīng)用”,功率超聲主要是通過(guò)超聲接觸對(duì)接觸面進(jìn)行高頻的振動(dòng)摩擦,以改變介質(zhì)的一些特性,所以功率超聲也被稱(chēng)為“主動(dòng)應(yīng)用”[]。本課題主要是針對(duì)功率超聲波換能器進(jìn)行研究。超聲波的產(chǎn)生主要依靠的是超聲波換能器。超聲波換能器是一種能夠進(jìn)行機(jī)、電能量或者聲、電能量轉(zhuǎn)換的器件。對(duì)于功率超聲換能器而言,換能器通過(guò)壓電材料的壓電效應(yīng)將輸入的高頻電能轉(zhuǎn)換成高頻振動(dòng)的機(jī)械能量。換能器的種類(lèi)有很多,應(yīng)用的領(lǐng)域也不相同,如磁致伸縮超聲換能器間,壓電陶瓷換能器等等。目前研究最為廣泛的是壓電陶瓷換能器,壓電陶瓷換能器是依靠壓電陶瓷的壓電效應(yīng)及逆壓電效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)能量的轉(zhuǎn)換。壓電陶瓷的壓電效應(yīng)是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)引起的,壓電材料主要有鈦酸鋇、錯(cuò)鈦酸鉛、偏銳酸鉛、銳酸鉀鈉、鈦酸鉛等]。這些電介質(zhì)在某一恰當(dāng)?shù)姆较蚴┘右欢ǖ耐饬r(shí),會(huì)引起內(nèi)部電極分布狀態(tài)發(fā)生改變,在介質(zhì)的相對(duì)表面上會(huì)出現(xiàn)和外力成正比且極性相反的帶電電荷,這種由外力引起的電介質(zhì)的現(xiàn)象叫做壓電效應(yīng)則。相反,若在電介質(zhì)上某一恰當(dāng)?shù)姆较蚣由弦欢◤?qiáng)度的外電場(chǎng)時(shí),會(huì)引起電介質(zhì)內(nèi)部電極分布發(fā)生相應(yīng)的變化,從而產(chǎn)生和外電場(chǎng)強(qiáng)度成正比的應(yīng)變效應(yīng),這種由于外電場(chǎng)引起的電介質(zhì)的應(yīng)變現(xiàn)象叫做逆壓電效應(yīng)]。功率超聲換能是超聲學(xué)領(lǐng)域中一個(gè)重要的分支學(xué)科。本課題主要針對(duì)壓電陶瓷式功率超聲波換能器展開(kāi)研究。20世紀(jì)初期超聲波技術(shù)開(kāi)始出現(xiàn),而我國(guó)50年代才開(kāi)始進(jìn)行大功率超聲的研究[]。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展特別是電子技術(shù)的發(fā)展,如單片機(jī)、DSP、FPFA等微處理器得快速發(fā)展,微處理器功能越來(lái)越強(qiáng)大,運(yùn)算速度越來(lái)也快,以及IGBT、MOSFET等功率器件的快速發(fā)展,功率器件的容量不斷的增加,響應(yīng)速度不斷的提高。對(duì)超聲波發(fā)生器的要求也越來(lái)越高,體積越來(lái)越小,功能越來(lái)越強(qiáng)大,越來(lái)越智能,可靠性進(jìn)一步提高。

    標(biāo)簽: 超聲波換能器

    上傳時(shí)間: 2022-06-18

    上傳用戶(hù):shjgzh

  • 探討逆變焊機(jī)IGBT炸管的原因及保護(hù)措施

    1電壓型PWM控制器過(guò)流保護(hù)固有問(wèn)題目前國(guó)內(nèi)常見(jiàn)的IGBT逆變弧焊機(jī)PWM控制器通常采用TL494.SG3525等電壓型集成芯片,電流反饋信號(hào)一般取自整流輸出端,當(dāng)輸出電流信號(hào)由分流器檢出電流與給定電流比較后,經(jīng)比例積分放大器大,控制輸出脈沖寬度IGBT導(dǎo)通后,即使產(chǎn)生過(guò)電流,PWM控制電路也不可能及時(shí)關(guān)斷正在導(dǎo)通的過(guò)流脈沖由于系統(tǒng)存在延退環(huán)節(jié),過(guò)流保護(hù)時(shí)間將延長(zhǎng).2電流型過(guò)流保護(hù)電流型PWM控制電路反饋電流信號(hào)由高頻變壓器初級(jí)端通過(guò)電流互感器取得,由于電流信號(hào)取自變壓器初級(jí),反應(yīng)速度快,保護(hù)信號(hào)與正在流過(guò)IGBT的電流同步,一旦發(fā)生過(guò)流PWM立即關(guān)斷輸出脈沖,IGBT獲得及時(shí)保護(hù),電流型PwM控制器固有的逐個(gè)脈沖檢測(cè)瞬時(shí)電流值的控制方式對(duì)輸入電壓和負(fù)載變化響應(yīng)快,系統(tǒng)穩(wěn)定性好同意老兄的觀點(diǎn),在實(shí)際應(yīng)用中電壓型PWM確實(shí)占了大多數(shù),但過(guò)流保護(hù)取樣也可以從變壓器初級(jí)取,通過(guò)互感線(xiàn)圈或霍爾傳感器取得過(guò)流信號(hào),比如控制3525的8腳,這點(diǎn)深圳瑞凌的焊機(jī)做的不錯(cuò),可以很好保護(hù)開(kāi)關(guān)管過(guò)流.如何通過(guò)檢測(cè)手段判斷一種逆變電源的主電路是否可靠,我認(rèn)為可以從開(kāi)關(guān)器件和主變壓器的空載和負(fù)載狀態(tài)下的電流電壓波形來(lái)分析,從而針對(duì)性的調(diào)整開(kāi)關(guān)器件參數(shù)及過(guò)流過(guò)壓緩沖元件參數(shù)以及高頻變壓器的參數(shù),難點(diǎn)在于如何選擇匹配.

    標(biāo)簽: 逆變焊機(jī) igbt

    上傳時(shí)間: 2022-06-19

    上傳用戶(hù):fliang

  • 三相逆變器中IGBT的幾種驅(qū)動(dòng)電路的分析.

    摘要:對(duì)幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動(dòng)專(zhuān)用集成電路進(jìn)行了詳細(xì)的分析,對(duì)TLP250,EXB系列和M579系列進(jìn)行了深入的討論,給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖,還給出了它們的典型應(yīng)用電路。討論了它們的使用要點(diǎn)及注意事項(xiàng),對(duì)每種驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行了IGBT的驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn),通過(guò)有關(guān)的波形驗(yàn)證了它們的特點(diǎn),最后得出結(jié)論:IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的發(fā)展趨勢(shì)是集過(guò)流保護(hù)、驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大功能、能夠外接電源且具有很強(qiáng)抗干擾能力等于一體的復(fù)合型電路。關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管:集成電路;過(guò)流保護(hù)1前言電力電子變換技術(shù)的發(fā)展,使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀(jì)80年代,為了給高電壓應(yīng)用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件,有人提出了絕緣門(mén)極雙極型品體管(IGBT)[1].在IGBT中,用一個(gè)MoS門(mén)極區(qū)來(lái)控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸,這藏產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的非常誘人的器件,它具有控制功率小、開(kāi)關(guān)速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源(UPS)和交流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,它是日前最為常見(jiàn)的一種器件。

    標(biāo)簽: 三相逆變器 igbt 驅(qū)動(dòng)電路

    上傳時(shí)間: 2022-06-21

    上傳用戶(hù):jiabin

  • 基于IGBT的PWM變頻器的研究

    變頻器是指利用電力電子器件將工頰的交流電源變換為用戶(hù)所需頻率的交流電源,它分為直接變頻(交一交變頻)和間接變頻(交一直-交變頻),間接變頻技術(shù)在穩(wěn)頻穩(wěn)壓和調(diào)頻調(diào)壓的利用率以及變頻電源對(duì)負(fù)載特性的影響等方面,都具有明顯的優(yōu)勢(shì),是目前變頻技術(shù)領(lǐng)域普遍采取的方式,本課題所研究的正是間接變頻中的脈寬調(diào)制(PWM)變頻器技術(shù)由于IGBT器件的開(kāi)關(guān)速度很快,當(dāng)IGBT關(guān)斷或績(jī)流二極管反向恢復(fù)時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大的di/dr,該dild在主電路的布線(xiàn)電感上引發(fā)較大的尖峰電壓(關(guān)斷浪涌電壓).在采用PWM開(kāi)關(guān)控創(chuàng)模式的IGBT變頻器中,IGBT的開(kāi)關(guān)狀態(tài)不但與PWM脈沖有關(guān),還與變頻器主電路元器件及負(fù)載特性有很大關(guān)系,為了確保IGBT安全可靠的工作,有必要進(jìn)一步分析主電路和緩沖電路各器件的工作情況和接相過(guò)程,以期設(shè)計(jì)出有效的IGBT保護(hù)電路。本文推導(dǎo)了兩電平PWM三相變頻器的數(shù)學(xué)模型,對(duì)變頻器主電路的換相過(guò)程及緩沖電路的工作方式利用PSIM軟件進(jìn)行了細(xì)致的仿真分析,同時(shí)也仿真研究了布線(xiàn)電感及緩沖電路各參數(shù)對(duì)1GBT關(guān)斷電壓的影響;詳細(xì)介紹了變頻器所包含的各電路環(huán)節(jié)的理論基礎(chǔ)及設(shè)計(jì)過(guò)程:并在大量的文獻(xiàn)資料和相關(guān)仿真分析的基礎(chǔ)上推導(dǎo)出套級(jí)沖電路器件參數(shù)的計(jì)算公式,實(shí)踐表明計(jì)算結(jié)果符合要求并取得了良好的效果。經(jīng)過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)和反復(fù)的改進(jìn),并給出了調(diào)試結(jié)果及變頻器的額定輸出電壓、電流波形。通過(guò)將試驗(yàn)結(jié)果與理論外析進(jìn)行比較驗(yàn)證,證明了理論分析的合理性,本文所研究設(shè)計(jì)的變頻器性能穩(wěn)定,運(yùn)行可靠,完全滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求.

    標(biāo)簽: igbt pwm 變頻器

    上傳時(shí)間: 2022-06-21

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  • 逆變器IGBT損壞原因分析及處理

    1前言萊鋼型鋼廠(chǎng)大型生產(chǎn)線(xiàn)傳動(dòng)系統(tǒng)采用西門(mén)子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電,變頻器采用公共直流母線(xiàn)式結(jié)構(gòu);冷床傳輸鏈采用4臺(tái)電機(jī)單獨(dú)傳動(dòng),每臺(tái)電機(jī)分別由獨(dú)立的逆變單元控制,逆變單元的控制方式為無(wú)速度編碼器的矢量控制,相互之間依靠速度給定的同時(shí)性保持同步。自2005年投入生產(chǎn)以來(lái),冷床傳輸鏈運(yùn)行較為穩(wěn)定,但2007年2月以后,冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現(xiàn)絕緣柵雙極型晶體管(Insolated Gate Bipolar Transistor,IGBT)損壞現(xiàn)象,具體故障情況統(tǒng)計(jì)見(jiàn)表1由表1可知,冷床傳輸鏈4臺(tái)逆變器都出現(xiàn)過(guò)IGBT損壞的現(xiàn)象,故障代碼是F025和F0272原因分析1)IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實(shí)際情況上看,檢查輸出電纜及電機(jī)等外部條件沒(méi)有問(wèn)題,并且更換新的IGBT后,系統(tǒng)可以立即正常運(yùn)行,從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2)IGBT存在過(guò)壓。該系統(tǒng)采用公共直流母線(xiàn)控制方式,制動(dòng)電阻直接掛接于直流母線(xiàn)上,當(dāng)逆變單元的反饋能量使直流母線(xiàn)電壓超過(guò)DC 715 V時(shí),制動(dòng)單元?jiǎng)幼鳎M(jìn)行能耗制動(dòng);此外掛接于該直流母線(xiàn)上的其他逆變單元并沒(méi)有出現(xiàn)IGBT損壞的現(xiàn)象,因此不是由于制動(dòng)反饋過(guò)壓造成IGBT燒壞。3)由于負(fù)荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實(shí)際運(yùn)行波形上看,負(fù)荷分配相對(duì)較為均勻,相互差別僅為2%左右,應(yīng)該不會(huì)造成IGBT損壞。此外,4只逆變單元都出現(xiàn)了IGBT損壞現(xiàn)象,如果是由于負(fù)荷分配不均造成,應(yīng)該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞,因此排除由于負(fù)荷分配不均造成IGBT損壞。4)逆變單元容量選擇不合適,裝置容量偏小造成長(zhǎng)期過(guò)流運(yùn)行,從而導(dǎo)致IGBT燒毀。逆變單元型號(hào)及電機(jī)參數(shù):額定功率90kw,額定電流186A,負(fù)載電流169 A,短時(shí)電流254 A,中間同路額定電流221 A,電源電流205 A,電機(jī)功率110kw,電機(jī)額定電流205 A,電機(jī)正常運(yùn)行時(shí)的電流及轉(zhuǎn)矩波形如圖1所示。

    標(biāo)簽: 逆變器 igbt

    上傳時(shí)間: 2022-06-22

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