本白皮書(shū)介紹 Stratix V FPGA 是怎樣幫助用戶提高帶寬同時(shí)保持其成本和功耗預(yù)算不變。在工藝方法基礎(chǔ)上，Altera 利用 FPGA 創(chuàng)新技術(shù)超越了摩爾定律，滿足更大的帶寬要求，以及成本和功耗預(yù)算。Altera Stratix ® V FPGA 通過(guò) 28-Gbps 高功效收發(fā)器突破了帶寬限制，支持用戶使用嵌入式 HardCopy ®模塊將更多的設(shè)計(jì)集成到單片F(xiàn)PGA中，部分重新配置功能還提高了靈活性。
標(biāo)簽： Stratix FPGA 28 創(chuàng)新技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶：luke5347
如何在STM32上得到高精度的ADC
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶：a67818601
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來(lái)連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí)，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時(shí)，SODIMM內(nèi)存條不安裝。請(qǐng)問(wèn)專(zhuān)家：1、在設(shè)計(jì)中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管腳約束文件是否還可更改？若能更改，則必須要滿足什么條件下更改？生成的約束文件中，ADDR，data之間是否能調(diào)換？ 2、對(duì)DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么？通過(guò)兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進(jìn)行匹配 和 通過(guò)一只49.9歐的電阻連接到0.9V進(jìn)行匹配，哪種匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut時(shí)，DDR2線路阻抗單端為50歐，差分為100歐？Hyperlynx仿真時(shí)，那些參數(shù)必須要達(dá)到那些指標(biāo)DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低頻率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片內(nèi)存顆粒，則物理上兩部分是連在一起的，若實(shí)際使用時(shí)，只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒，是否會(huì)造成信號(hào)完成性的影響？若有影響，如何控制？ 6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時(shí)使用，構(gòu)成一個(gè)(max:8GB)的DDR2單元？若能，則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的參考電壓0.9V的實(shí)際工作電流有多大？工作時(shí)候，DDR2芯片是否很燙，一般如何考慮散熱？ 8、由于多層板疊層的問(wèn)題，可能頂層和中間層的銅箔不一樣后，中間的夾層后度不一樣時(shí)，也可能造成阻抗的不同。請(qǐng)教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進(jìn)疊層？
標(biāo)簽： FPGA DDR2 連接 問(wèn)題討論
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：han_zh
最新藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)V4.0在Android平臺(tái)上的應(yīng)用
標(biāo)簽： Android 4.0 藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)
上傳時(shí)間： 2013-11-10
上傳用戶：lchjng
NE602單片頻率轉(zhuǎn)換器
標(biāo)簽： 602 NE 頻率轉(zhuǎn)換器
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：wivai
Si4432在無(wú)線抄表設(shè)備上的應(yīng)用
標(biāo)簽： 4432 Si 無(wú)線抄表 設(shè)備
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：onewq
片內(nèi)光通信技術(shù)綜述
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：kr770906
[無(wú)線電愛(ài)好者讀本(上)].人民郵電出版社.掃描版.PDF
標(biāo)簽： 無(wú)線電愛(ài)好者 出版社 掃描版
上傳時(shí)間： 2013-10-17
上傳用戶：talenthn
介紹了限力矩離合器的結(jié)構(gòu)及其摩擦片所使用的油槽結(jié)構(gòu)；根據(jù)熱力學(xué)理論，建立溫度場(chǎng)的數(shù)學(xué)模型；計(jì)算了限力矩離合器摩擦片的熱流密度和對(duì)流換熱系數(shù)以及熱流分配系數(shù)；建立了考慮油槽結(jié)構(gòu)的摩擦片三維瞬態(tài)熱傳導(dǎo)模型。通過(guò)COMSOL對(duì)摩擦片進(jìn)行熱分析，模擬摩擦片在接合過(guò)程中不同時(shí)刻的瞬態(tài)溫度場(chǎng)，得出摩擦片溫度分布規(guī)律，為限矩離合器摩擦片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供了一定的理論依據(jù)。
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：czl10052678
設(shè)計(jì)寬范圍高精度測(cè)速電路；通過(guò)對(duì)三種常用轉(zhuǎn)速測(cè)量方法的分析比較，確定采用M法與M/T法相結(jié)合的方法測(cè)速，從理論上保證測(cè)速的寬范圍和高精度；電路設(shè)計(jì)中為了簡(jiǎn)單，快速，準(zhǔn)確的測(cè)速，兩種測(cè)速方法之間采用硬件切換電路完成，克服了軟件切換因工作量大而導(dǎo)致的實(shí)時(shí)控制變差的缺陷；采用片外計(jì)數(shù)器8253彌補(bǔ)了8051硬件資源短缺的不足，利用霍爾元件完成轉(zhuǎn)速到旋轉(zhuǎn)脈沖的轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)了低成本，高性能。
標(biāo)簽： 霍爾傳感器 測(cè)速 電路設(shè)計(jì) 高精度
上傳時(shí)間： 2013-11-02
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