基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
標簽： MOS N溝道 H橋驅動 電路設計
上傳時間： 2014-08-01
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計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
標簽： 歸零法 N進制計數器原
上傳時間： 2013-10-11
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在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
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凌力爾特數字系統的線性電路—凌力爾特一直致力服務全球模擬產品用戶，滿足日益增長的嚴格模擬產品設計的需求。公司具有超強的創新能力，每年推出的新產品超過200款，該公司產品的應用領域包括電信、蜂窩電話、網絡產品、筆記本電腦和臺式電腦等等。
標簽： 凌力爾特 數字系統 線性電路
上傳時間： 2014-12-23
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
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經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
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艾默生開關電源基礎
標簽： 開關電源
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理想的閱讀光源應具備白色光、無閃爍、亮度可調及光照均勻等特性，佳生護眼燈是一款亮度在600-1300LX范圍內六擋可調，采用全新冷陰極熒光燈管（即CCFL），壽命可達15000小時的護眼燈，依實物測繪的原理圖見附圖所示，供參考。
標簽： CCFL 可調光 分 護眼燈
上傳時間： 2013-10-17
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本內容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊
標簽： FR-E 500 CH 用戶手冊
上傳時間： 2013-11-13
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隨著我國通信、電力事業的發展，通信、電力網絡的規模越來越大，系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中，傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發達的國家，各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。
標簽： 熱插拔 模塊 并聯 應用前景
上傳時間： 2014-03-24
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