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產(chǎn)(chǎn)品簡(jiǎn)介

  • N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶(hù):thesk123

  • FR-E500-CH變頻用戶(hù)手冊(cè)

    本內(nèi)容提供了FR-E500-CH變頻用戶(hù)手冊(cè)

    標(biāo)簽: FR-E 500 CH 用戶(hù)手冊(cè)

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

    上傳用戶(hù):xhz1993

  • CCFL背光簡(jiǎn)單介紹

      熱陰極螢光燈(HCFL)發(fā)光原理   冷陰極螢光燈(CCFL)發(fā)光原理   產(chǎn)品特性   CCFL製程概述   產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

    標(biāo)簽: CCFL 背光

    上傳時(shí)間: 2013-11-18

    上傳用戶(hù):cknck

  • (N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

    隨著我國(guó)通信、電力事業(yè)的發(fā)展,通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來(lái)越大,系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對(duì)交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來(lái)越重要。在中國(guó)通信、電力網(wǎng)絡(luò)中,傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善,(N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠;在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國(guó)家,各大通信運(yùn)營(yíng)商、電力供應(yīng)商、軍隊(duì)均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較,(N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點(diǎn)。

    標(biāo)簽: 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景

    上傳時(shí)間: 2014-03-24

    上傳用戶(hù):alan-ee

  • 自己做的單片機(jī)Proteus仿真實(shí)例

    自己在學(xué)校的時(shí)候做的一些單片機(jī)仿真實(shí)例和一些資料,希望對(duì)大家有些幫助

    標(biāo)簽: Proteus 單片機(jī) 仿真實(shí)例

    上傳時(shí)間: 2013-11-08

    上傳用戶(hù):oojj

  • 51單片機(jī)串口發(fā)N字節(jié)

    適用于51單片機(jī)的串口發(fā)n

    標(biāo)簽: 51單片機(jī) 串口 字節(jié)

    上傳時(shí)間: 2014-12-25

    上傳用戶(hù):qingzhuhu

  • 一種用N+1條線實(shí)現(xiàn)矩陣鍵盤(pán)

    89c51一種用N+1條線實(shí)現(xiàn)矩陣鍵盤(pán)

    標(biāo)簽: 矩陣鍵盤(pán)

    上傳時(shí)間: 2014-12-26

    上傳用戶(hù):lhw888

  • 介電體超晶格的研究

    介電體超晶格是一種新型的有序微結(jié)構(gòu)材料。它具有通常均質(zhì)材料所不具有的獨(dú)特的優(yōu)異性能,展現(xiàn)出重要的應(yīng)用前景。本文介紹南京大學(xué)研究組關(guān)于介電體超晶格研究所取得的進(jìn)展,如將多個(gè)獨(dú)立的光參量過(guò)程集成于一塊介電體超晶格之中獲得了多波長(zhǎng)激光的同時(shí)輸出,研制成超晶格全固態(tài)三基色原型激光器,在介電體超晶格中將拉曼散射強(qiáng)度增強(qiáng)到10的4次方-10的5次方倍,用超晶格研制的器件填補(bǔ)了體波超聲器件從幾百M(fèi)Hz到幾千MHz的空白頻段,發(fā)現(xiàn)了微波與超晶格振動(dòng)的強(qiáng)烈耦合以及研究了由此而產(chǎn)生的極化激元(polariton)的激發(fā)與傳播等。

    標(biāo)簽: 介電體 晶格

    上傳時(shí)間: 2013-11-01

    上傳用戶(hù):清山綠水

  • IPC介電常數(shù)測(cè)試方法

    IPC介電常數(shù)測(cè)試方法

    標(biāo)簽: IPC 介電常數(shù) 測(cè)試方法

    上傳時(shí)間: 2013-11-15

    上傳用戶(hù):gaoliangncepu

  • 高頻PCB基材介電常數(shù)與介電損耗的特性與改性進(jìn)展

    文章針對(duì)基板材料的介電常數(shù)與介電損耗的關(guān)系加以論述,并對(duì)它們與外部環(huán)境的關(guān)系做出相應(yīng)的闡述,使得在PCB的制造中對(duì)各種基板材料進(jìn)行合理正確的評(píng)估和使用。

    標(biāo)簽: PCB 高頻 基材 介電常數(shù)

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

    上傳用戶(hù):royzhangsz

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