在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
PCB Layout Rule Rev1.70, 規(guī)範(fàn)內(nèi)容如附件所示, 其中分為: (1) ”P(pán)CB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)”:為R&D Layout時(shí)必須遵守的事項(xiàng), 否則SMT,DIP,裁板時(shí)無(wú)法生產(chǎn). (2) “錫偷LAYOUT RULE建議規(guī)範(fàn)”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. (3) “PCB LAYOUT 建議規(guī)範(fàn)”:為製造單位為提高量產(chǎn)良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. (4) ”零件選用建議規(guī)範(fàn)”: Connector零件在未來(lái)應(yīng)用逐漸廣泛, 又是SMT生產(chǎn)時(shí)是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採(cǎi)購(gòu)在購(gòu)買(mǎi)異形零件時(shí)能顧慮製造的需求, 提高自動(dòng)置件的比例.
標(biāo)簽： LAYOUT PCB 設(shè)計(jì)規(guī)范
上傳時(shí)間： 2013-10-28
上傳用戶：zhtzht
PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)項(xiàng)次 項(xiàng)目 備註1 一般PCB 過(guò)板方向定義： PCB 在SMT 生產(chǎn)方向?yàn)槎踢呥^(guò)迴焊爐(Reflow), PCB 長(zhǎng)邊為SMT 輸送帶夾持邊. PCB 在DIP 生產(chǎn)方向?yàn)镮/O Port 朝前過(guò)波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過(guò)板方向定義： SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直. DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil. SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區(qū)).PAD
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：jokey075
N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
艾默生開(kāi)關(guān)電源基礎(chǔ)
標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2013-10-11
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理想的閱讀光源應(yīng)具備白色光、無(wú)閃爍、亮度可調(diào)及光照均勻等特性，佳生護(hù)眼燈是一款亮度在600-1300LX范圍內(nèi)六擋可調(diào)，采用全新冷陰極熒光燈管（即CCFL），壽命可達(dá)15000小時(shí)的護(hù)眼燈，依實(shí)物測(cè)繪的原理圖見(jiàn)附圖所示，供參考。
標(biāo)簽： CCFL 可調(diào)光 分 護(hù)眼燈
上傳時(shí)間： 2013-10-17
上傳用戶：3到15
本內(nèi)容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊(cè)
標(biāo)簽： FR-E 500 CH 用戶手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶：xhz1993
隨著我國(guó)通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來(lái)越大，系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對(duì)交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來(lái)越重要。在中國(guó)通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國(guó)家，各大通信運(yùn)營(yíng)商、電力供應(yīng)商、軍隊(duì)均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點(diǎn)。
標(biāo)簽： 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景
上傳時(shí)間： 2014-03-24
上傳用戶：alan-ee
在通訊電源的應(yīng)用中，電源的容量都大于實(shí)際負(fù)載的用量，這一方面是為了保證有足夠的容量用于電池充電，另一方面也是考慮擴(kuò)容的需要。這樣的話，往往電源系統(tǒng)由于帶載率低而低于最佳效率點(diǎn)運(yùn)行。艾默生公司發(fā)明的電源休眠節(jié)能技術(shù)可以控制實(shí)際工作的整流模塊容量，從而使電源系統(tǒng)接近最佳效率點(diǎn)運(yùn)行。其主要優(yōu)點(diǎn)是：
標(biāo)簽： 電源系統(tǒng) 休眠 技術(shù)簡(jiǎn)介 節(jié)能
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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