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異步傳輸模式

  • 基于新型CCCII電流模式二階帶通濾波器設(shè)計(jì)

    針對(duì)傳統(tǒng)第二代電流傳輸器（CCII）電壓跟隨不理想的問(wèn)題，提出了新型第二代電流傳輸器（CCCII）并通過(guò)采用新型第二代電流傳輸器（CCCII）構(gòu)成二階電流模式帶通濾波器，此濾波器只需使用2個(gè)電流傳輸器和2個(gè)電容即可完成設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其中心頻率可由電流傳輸器的偏置電流控制。利用HSpice軟件仿真分析并驗(yàn)證了理論設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性和可行性。

    標(biāo)簽： CCCII 電流模式 二階 帶通濾波器設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間： 2013-11-15

    上傳用戶：jqy_china

  • 基于新型CCCII的電流模式積分電路

    介紹了廣泛應(yīng)用于各種電流模式電路的第二代電流控制電流傳輸器原件的跨導(dǎo)線性環(huán)特性和端口特性，以及其基本組成共源共柵電流鏡，并提出了基于共源共柵電流鏡的新型COMS電流傳輸器。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了基于電流控制電流傳輸器的電流模式積分電路，并利用Hspice軟件進(jìn)行輸入為正弦波和方波時(shí)的輸出波形的仿真驗(yàn)證。

    標(biāo)簽： CCCII 電流模式 積分電路

    上傳時(shí)間： 2013-10-22

    上傳用戶：wtrl

  • 開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下?lián)p壞的模式，并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過(guò)電流和過(guò)電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開(kāi)通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過(guò)電流和過(guò)電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過(guò)程。

    標(biāo)簽： MOSFET 開(kāi)關(guān)電源 功率 分

    上傳時(shí)間： 2013-11-14

    上傳用戶：dongqiangqiang

  • 降壓-升壓型控制器簡(jiǎn)化手持式產(chǎn)品的DCDC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

    對(duì)於輸出電壓處?kù)遁斎腚妷汗?fàn)圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應(yīng)用中是一種很常見(jiàn)的情形) 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少，但迄今為止都不能令人非常滿意

    標(biāo)簽： DCDC 降壓 升壓型 控制器

    上傳時(shí)間： 2013-11-19

    上傳用戶：urgdil

  • 峰值電流模式的單片式DCDC變換器設(shè)計(jì)

    峰值電流模式的單片式DCDC變換器設(shè)計(jì)

    標(biāo)簽： DCDC 峰值電流 單片式 變換器

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶：debuchangshi

  • 五種PWM反饋控制模式研究

    五種PWM反饋控制模式研究

    標(biāo)簽： PWM 反饋控制 模式

    上傳時(shí)間： 2013-10-14

    上傳用戶：Amygdala

  • 結(jié)構(gòu)電流模式與電壓模式的比較 中文

    結(jié)構(gòu)電流模式與電壓模式的比較 中文

    標(biāo)簽： 電流模式 電壓模式 比較

    上傳時(shí)間： 2013-11-16

    上傳用戶：1406054127

  • 透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間： 2014-09-08

    上傳用戶：swing

  • 全橋DCDC變換器平均電流控制模式控制分析

    全橋DCDC變換器平均電流控制模式控制分析

    標(biāo)簽： DCDC 全橋 變換器 分

    上傳時(shí)間： 2013-11-18

    上傳用戶：jackgao

  • SM8015大功率電流模式PWM控制芯片

    鉦銘科SM8015是一個(gè)離線式中大功率電流模式PWM控制芯片，應(yīng)用于AC/DC反激式開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)。采用多模式自動(dòng)切換控制方式，滿足系統(tǒng)的低待機(jī)功耗（<0.3W,265V AC），高轉(zhuǎn)換效率的要求。內(nèi)部集成過(guò)流保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、VDD過(guò)壓保護(hù)等完善的保護(hù)功能以提高系統(tǒng)可靠性。封裝形式：DIP8、SOP8

    標(biāo)簽： 8015 PWM SM 大功率

    上傳時(shí)間： 2013-10-27

    上傳用戶：windypsm

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