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監(jiān)(jiān)測報(bào)(bào)警

N系列射頻同軸連接器

N系列射頻同軸連接器

標(biāo)簽： 射頻同軸連接器

上傳時(shí)間： 2013-06-29

上傳用戶：eeworm
用于FPGA的N+0.5分頻代碼

用于FPGA的N+0.5分頻代碼，可以用來進(jìn)行非整數(shù)分頻！

標(biāo)簽： FPGA 0.5 分頻代碼

上傳時(shí)間： 2013-08-06

上傳用戶：weixiao99
多路18b20測溫顯示系統(tǒng),可同時(shí)測量n個(gè)第三18b20

多路18b20測溫顯示系統(tǒng),可同時(shí)測量n個(gè)第三18b20

標(biāo)簽： 18b20 多路測溫顯示系統(tǒng)

上傳時(shí)間： 2013-08-21

上傳用戶：zhangchu0807
使8051能訪問整個(gè)128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個(gè)寄存器\r\n

8051工作于11.0592MHZ,RAM擴(kuò)展為128KB的628128,FlashRom擴(kuò)展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個(gè)區(qū)(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個(gè)區(qū)(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個(gè)128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個(gè)寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

標(biāo)簽： 128 FlashRom 8051 KB

上傳時(shí)間： 2013-08-30

上傳用戶：cainaifa
自己現(xiàn)在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

自己現(xiàn)在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設(shè)置下載模式

標(biāo)簽： CPLD 244 74 HC

上傳時(shí)間： 2013-08-31

上傳用戶：dancnc
<快學(xué)易用Protel99se>\r\n

\r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學(xué)出版社出版

標(biāo)簽： Protel 99 se

上傳時(shí)間： 2013-09-11

上傳用戶：Yukiseop
MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個(gè)，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)

標(biāo)簽： THD SINAD ENOB SFDR

上傳時(shí)間： 2014-01-22

上傳用戶：魚哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計(jì)與制作

基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計(jì)與制作

標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動電路設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2014-08-01

上傳用戶：1109003457
采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。

標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

上傳時(shí)間： 2013-10-11

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p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

標(biāo)簽： p-n 隧道擊穿模型研究

上傳時(shí)間： 2013-10-31

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