PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時(shí)間： 2013-12-20
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為了提高交錯(cuò)并聯(lián)變換器的性能，對(duì)四相交錯(cuò)并聯(lián)雙向DC/DC變換器中不對(duì)稱耦合電感進(jìn)行分析，推導(dǎo)出等效穩(wěn)態(tài)電感和等效暫態(tài)電感的數(shù)學(xué)表達(dá)式。結(jié)合提出的耦合電感結(jié)構(gòu)進(jìn)行不對(duì)稱耦合電感對(duì)稱化研究。通過(guò)Saber和3D Maxwell軟件進(jìn)行仿真驗(yàn)證和樣機(jī)實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了理論分析和仿真結(jié)果的正確性。
標(biāo)簽： 交錯(cuò)并聯(lián) 變換器 耦合電感 對(duì)稱
上傳時(shí)間： 2013-10-19
上傳用戶：wangfei22
一種單相電路無(wú)功電流實(shí)時(shí)檢測(cè)新方法的研究
標(biāo)簽： 單相 電路 無(wú)功電流 實(shí)時(shí)檢測(cè)
上傳時(shí)間： 2013-10-28
上傳用戶：穿著衣服的大衛(wèi)
N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
MSTS是一款快速負(fù)荷轉(zhuǎn)移開(kāi)關(guān)，它的最小轉(zhuǎn)移負(fù)荷時(shí)間為6ms,它適應(yīng)在同相與不同相情況下使用。能真正意義上起到負(fù)荷轉(zhuǎn)移的目的。MSTS除上述快速轉(zhuǎn)移負(fù)荷外還可多臺(tái)連接組合成n+1=1路輸出，能更大的增強(qiáng)供電的安全性。MSTS體積小，擁有友好人機(jī)交互界面給人一種小巧和諧的感覺(jué)。
標(biāo)簽： MSTS 靜態(tài)切換開(kāi)關(guān)
上傳時(shí)間： 2013-12-27
上傳用戶：stella2015
X電容和Y電容的使用及注意方法
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：sevenbestfei
介紹X,Y電容的一片通俗易懂的資料
標(biāo)簽： 電容
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶：teddysha
本書(shū)是一本介紹電源理論與工程技術(shù)設(shè)計(jì)相結(jié)合的工具書(shū)，介紹了電源在系統(tǒng)中的作用，設(shè)計(jì)流程......
標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源 工程技術(shù) 設(shè)計(jì)指南 電源
上傳時(shí)間： 2013-10-14
上傳用戶：31633073
單相正弦波逆變電源詳細(xì)介紹
上傳時(shí)間： 2013-10-28
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