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硅基片

量程自動(dòng)切換數(shù)字電壓表proteus仿真和程序資料

　74HC4066是一款硅柵COMS四路模擬開關(guān)，被設(shè)計(jì)用于處理模擬和數(shù)字信號(hào)。74HC4066的各開關(guān)允許振幅高達(dá)6V（峰值）的信號(hào)進(jìn)行雙向傳輸。　　74HC4066的各個(gè)開關(guān)單元擁有各自的使能輸入控制（C）。在C端輸入高電平將會(huì)導(dǎo)通其對(duì)應(yīng)的開關(guān)單元。　　74HC4066的應(yīng)用包括信號(hào)選通、斬波、調(diào)制解調(diào)（modem）、以及用于模數(shù)轉(zhuǎn)換/數(shù)模轉(zhuǎn)換的信號(hào)復(fù)用系統(tǒng)。

標(biāo)簽： 數(shù)字電壓表 proteus

上傳時(shí)間： 2022-06-10

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單相全控橋式整流電路的設(shè)計(jì)

1.1 什么是整流電路整流電路（rectifying circuit）把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路。大多數(shù)整流電路由變壓器、整流主電路和濾波器等組成。它在直流電動(dòng)機(jī)的調(diào)速、發(fā)電機(jī)的勵(lì)磁調(diào)節(jié)、電解、電鍍等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。整流電路通常由主電路、濾波器和變壓器組成，20世紀(jì)70年代以后，主電路多用硅整流二極管和晶閘管組成。濾波器接在主電路與負(fù)載之間，用于濾除脈動(dòng)直流電壓中的交流成分。變壓器設(shè)置與否視具體情況而定。變壓器的作用是實(shí)現(xiàn)交流輸入電壓與直流輸出電壓間的匹配以及交流電網(wǎng)與整流電路之間的電隔離。可以從各種角度對(duì)整流電路進(jìn)行分類，主要的分類方法有：按組成的期間可分為不可控，半控，全控三種；按電路的結(jié)構(gòu)可分為橋式電路和零式電路：按交流輸入相數(shù)分為單相電路和多相電路；按變壓器二次側(cè)電流的方向是單向還是雙向，又可分為單拍電路和雙拍電路1.2整流電路的發(fā)展與應(yīng)用電力電子器件的發(fā)展對(duì)電力電子的發(fā)展起著決定性的作用，因此不管是整流器還是電力電子技術(shù)的發(fā)展都是以電力電子器件的發(fā)展為綱的，1947年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了晶體管，引發(fā)了電子技術(shù)的一次革命：1957年美國通用公司研制了第一個(gè)品閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生：70年代后期，以門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）、電力雙極型晶體管（BJT）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（power-MOSFET）為代表的全控型器件迅速發(fā)展，把電力電子技術(shù)推上一個(gè)全新的階段：80年代后期，以絕緣極雙極型品體管（IGBT）為代表的復(fù)合型器件異軍突起，成為了現(xiàn)代電力電子技術(shù)的主導(dǎo)器件。另外，采用全控型器件的電路的主要控制方式為PWM脈寬調(diào)制式，后來，又把驅(qū)動(dòng)，控制，保護(hù)電路和功率器件集成在一起，構(gòu)成功率集成電路（PIC），隨著全控型電力電子器件的發(fā)展，電力電電路的工作頻率也不斷提高。同時(shí)。電力電子器件的開關(guān)損耗也隨之增大，為了減小開關(guān)損耗，軟開關(guān)技術(shù)便應(yīng)運(yùn)而生，零電壓開關(guān)（ZVS）和零電流開關(guān)（ZCS）把電力電子技術(shù)和整流電路的發(fā)展推向了新的高潮。

標(biāo)簽： 整流電路

上傳時(shí)間： 2022-06-18

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微泵型壓電超聲波霧化器研究.

隨著科學(xué)水平的提高，生物、化學(xué)以及醫(yī)療相關(guān)器械領(lǐng)域?qū)纫笠苍诓粩嗟靥嵘?生物制劑提取、注射，化學(xué)藥品傳輸供給以及藥物治療等MEMS的研究不單單是對(duì)精密儀器的攻堅(jiān)克難，更是交叉學(xué)科賦予高精密儀器研究發(fā)展的難題。技術(shù)革新便要理論創(chuàng)新，才能突破現(xiàn)有技術(shù)發(fā)展的瓶頸。現(xiàn)有的壓電超聲波霧化器理論發(fā)展已頗具成熟，產(chǎn)業(yè)化發(fā)展也甚是豐富，可是由于產(chǎn)品的不斷創(chuàng)新?lián)Q代，同時(shí)也導(dǎo)致理論創(chuàng)新的不同步，致使許多創(chuàng)新產(chǎn)品缺少對(duì)應(yīng)的系統(tǒng)理論支持。本文立足微泵型壓電超聲波霧化器的研究，提出了系統(tǒng)的霧化理論、結(jié)構(gòu)仿真和霧化效果實(shí)驗(yàn)研究。本文主要的研究?jī)?nèi)容和成果如下：在霧化理論分析方面，通過對(duì)霧化片金屬基片和錐孔的變形公式推導(dǎo)分析，建立了微泵型壓電超聲波霧化器霧化理論數(shù)學(xué)模型，并結(jié)合變形分析對(duì)其霧化機(jī)理進(jìn)行了完整的闡述在有限元仿真分析計(jì)算方面，通過對(duì)霧化片簡(jiǎn)化建模，進(jìn)行了霧化片的諾響應(yīng)計(jì)算分析，得出霧化片諾響應(yīng)工作模態(tài)及其相應(yīng)振型。并結(jié)合霧化理論分析了各模態(tài)相應(yīng)霧化效果，提出霧化效果改進(jìn)意見。在霧化效果實(shí)驗(yàn)方面，進(jìn)行多普莉激光測(cè)振實(shí)驗(yàn)，與諾響應(yīng)仿真計(jì)算相互論證，提高其可行性，并通過霧化效果實(shí)驗(yàn)來驗(yàn)證霧化效果理論分析結(jié)果，最后結(jié)合仿真計(jì)算和多普勒激光測(cè)振結(jié)果綜合分析、總結(jié)出霧化效果的影響因素。關(guān)鍵詞：MEMS，壓電泵，超聲波，霧化器，壓電陶瓷，振型。本文工作在機(jī)械結(jié)構(gòu)力學(xué)及控制國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室完成。

標(biāo)簽： 超聲波霧化器

上傳時(shí)間： 2022-06-18

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三相10KVA UPS電源初步設(shè)計(jì)

為了滿足一些重要用電設(shè)備的連續(xù)供電，對(duì)電網(wǎng)供電提出了更高的要求。為此，引入一種新型UPS是不間斷電源（uninterruptible power system）的英文簡(jiǎn)稱，是能夠提供持續(xù)、穩(wěn)定、不間斷的電源供應(yīng)的重要外部設(shè)備。UPS先將交流電直流成直流電，一路給蓄電池充電，一路經(jīng)逆變器變成恒壓恒頻的交流電，不論是市電供電還是斷電由電池供電，總是通過逆變系統(tǒng)提供電力，因而市電停電或來電時(shí)無任何轉(zhuǎn)換間斷，市電的干擾也完全不影響到UPS的輸出端，另外，UPS提供的電力為純凈的正弦波交流電，適用的負(fù)載范圍寬，可以為多種精密用電設(shè)備提供穩(wěn)定的不間斷電源，此外，UPS的優(yōu)點(diǎn)還在于它的零轉(zhuǎn)換時(shí)間以及高質(zhì)量的輸出電源品質(zhì)，因此它更適合于一些關(guān)鍵性的應(yīng)用場(chǎng)合.UPS由于其工作方式是先對(duì)電池充電，然后再由逆變器將電池的電能逆變成交流，因此在電能的轉(zhuǎn)化過程中有一部分電能將被損失掉。電子技術(shù)是根據(jù)電子學(xué)的原理，運(yùn)用電子器件設(shè)計(jì)和制造某種特定功能的電路以解決實(shí)際問題的科學(xué)，包括信息電子技術(shù)和電力電子技術(shù)兩大分支。信息電子技術(shù)包括Analog（模擬）電子技術(shù)和Digital（數(shù)字）電子技術(shù)。電子技術(shù)是對(duì)電子信號(hào)進(jìn)行處理的技術(shù)，處理的方式主要有：信號(hào)的發(fā)生、放大、濾波、轉(zhuǎn)換。現(xiàn)代電力電子技術(shù)的發(fā)展方向，是從以低頻技術(shù)處理問題為主的傳統(tǒng)電力電子學(xué)，向以高頻技術(shù)處理問題為主的現(xiàn)代電力電子學(xué)方向轉(zhuǎn)變。電力電子技術(shù)起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件，其發(fā)展先后經(jīng)歷了整流器時(shí)代、逆變器時(shí)代和變頻器時(shí)代，并促進(jìn)了電力電子技術(shù)在許多新領(lǐng)域的應(yīng)用。八十年代末期和九十年代初期發(fā)展起來的、以功率MOSFET和IGBT為代表的、集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件，表明傳統(tǒng)電力電子技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入現(xiàn)代電力電子時(shí)代。

標(biāo)簽： UPS電源

上傳時(shí)間： 2022-06-19

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用于5g終端的毫米波多波束天線

PCB電路如微帶電路有較為顯著的介質(zhì)和輻射損耗，而傳統(tǒng)金屬波導(dǎo)雖然損耗低、信號(hào)干擾小，但其結(jié)構(gòu)很難做到小型化和集成。因此這兩種結(jié)構(gòu)不適用于要求低功耗且空間尺寸受限的移動(dòng)終端。采用基片集成波導(dǎo)（SIW）可同時(shí)降低損耗和增加可集成性，其兼?zhèn)淞私饘俨▽?dǎo)和平面電路的優(yōu)良屬性，是未來5G毫米波終端應(yīng)用場(chǎng)景最佳的選項(xiàng)之一。本文的主要內(nèi)容包括：對(duì)SIw、波柬掃描陣、縫隙天線陣和Butler知陣多波束饋電網(wǎng)絡(luò)等基本原理進(jìn)行了簡(jiǎn)要的回顧。此四方面的知識(shí)是本文所有設(shè)計(jì)的理論支撐。系統(tǒng)梳理了siw.縫隙天線陣的設(shè)計(jì)步驟和Butler矩陣饋電網(wǎng)絡(luò)的分析方法。提出了將4 x4 Butler矩陣多波束饋電網(wǎng)絡(luò)用于木來5G終端天線的設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)多波束寬角度高增益信號(hào)覆蓋、本文選擇采用了多被束方案，并結(jié)合了sG移動(dòng)終端設(shè)計(jì)了適用于5G終端的4x4 Buter矩陣多波束饋電網(wǎng)絡(luò)和縫隙天線陣，加工測(cè)試表明多波束方案基本可滿足未來5G終端天線的要求。在傳統(tǒng)4x4 Butler的基礎(chǔ)上，提出和設(shè)計(jì)了一款改進(jìn)型的4x4 SIW Butler矩陣。從理論上驗(yàn)證了方案的可行性且推導(dǎo)了各個(gè)器件須滿足的條件。新設(shè)計(jì)的Butler矩陣其核心是將移相器歸入到3dB定向耦合器的設(shè)計(jì)中。仿真和測(cè)試結(jié)果表明，改進(jìn)型的4x4 SIW Butler矩陣不僅擁有更好的輸出幅相平坦度還具有比傳統(tǒng)4x4 SIW Butler矩陣更高的設(shè)計(jì)靈活性。設(shè)計(jì)了一款3x3 SIw Butler矩陣。首先給出了該款矩陣的設(shè)計(jì)思路來源，然后從原理上驗(yàn)證了此矩陣設(shè)計(jì)的可行性和詳細(xì)地推導(dǎo)出了3x3 Butler短陣的結(jié)構(gòu)和器件參數(shù)。仿真和結(jié)果表明，該型Butler矩陣比4×4 SIW Butler矩陣尺寸更小、結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單，但具有和4×4 SIW Buter矩陣相當(dāng)?shù)脑鲆嬷岛筒ㄊ采w范圍。

標(biāo)簽： PCB 5g 毫米波天線

上傳時(shí)間： 2022-06-20

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超薄芯片Backend工藝分析及失效研究

本文主要超薄芯片的背面金屬化中的一些問題，闡述了兩種主要的背面金屬化工藝的建立，并解決了這兩個(gè)工藝中關(guān)鍵問題，使得工藝獲得好的成品率，提高了產(chǎn)品的可靠性，實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)。流程（一）介紹了一種通過技術(shù)轉(zhuǎn)移在上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司（ASMC）開發(fā)的一種特殊工藝，工藝采用特殊背面去應(yīng)力工藝，通過機(jī)械應(yīng)力和背銀沾污的控制，將背面金屬和硅片的黏附力和金硅接觸電阻大大改善。論文同時(shí)闡述了一種自創(chuàng)的檢驗(yàn)黏附力的方法，通過這種方法的監(jiān)控，大幅度提高了產(chǎn)品良率，本論文的研究課題來源于企業(yè)的大規(guī)模生產(chǎn)實(shí)踐，對(duì)于同類的低壓低導(dǎo)通電阻VDMOS產(chǎn)品有實(shí)用的參考意義。流程（二）討論了在半導(dǎo)體器件中應(yīng)用最為廣泛的金-硅合金工藝的失效模式及其解決辦法。并介紹了我公司獨(dú)創(chuàng)的刻蝕-淀積-合金以及應(yīng)力控制同時(shí)完成的方案。通過這種技術(shù)，使得金硅合金質(zhì)量得到大步的提升，并同時(shí)大大減少了背金工藝中的碎片問題，為企業(yè)獲得了很好的效益。

標(biāo)簽： 超薄芯片 backend工藝

上傳時(shí)間： 2022-06-26

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現(xiàn)代傳感技術(shù) 東北大學(xué)出版社

本書簡(jiǎn)要介紹了現(xiàn)代傳感技術(shù)及檢測(cè)技術(shù)的概況，闡明了動(dòng)態(tài)測(cè)量和其他檢測(cè)理論及其應(yīng)用，詳細(xì)論述了各種傳感器的結(jié)構(gòu)、原理。其中第一章為傳感技術(shù)概況。第二章論述了硅傳感器與智能傳感器；第三章論述了光與輻射傳感器及應(yīng)用；笫四章論述了各種光纖傳感器的原理及其新成果；第五、第六章介紹了近年研究熱點(diǎn)---氣敏傳感器和離子敏傳感器。根據(jù)傳感器在檢測(cè)技術(shù)中的地位在本書中用較大的篇幅來介紹傳感新理論和新技術(shù)。內(nèi)容上注意突出原理性、系統(tǒng)性、層次性和漸進(jìn)性。

標(biāo)簽： 傳感技術(shù)

上傳時(shí)間： 2022-07-06

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德州儀器基準(zhǔn)電壓源(VREF)應(yīng)用設(shè)計(jì)技巧和訣竅

日常生活的電子產(chǎn)品和子系統(tǒng)變得越來越智能，這就需要其“大腦”（硅芯片）在面對(duì)現(xiàn)實(shí)環(huán)境中多種多樣情況時(shí)，能夠?qū)Ω鞣N可能最終影響系統(tǒng)行為和性能做出可預(yù)測(cè)和期望的反應(yīng)。這時(shí)，基準(zhǔn)電壓源就出現(xiàn)在我們面前了。基準(zhǔn)電壓源是一種精密的器件，專門設(shè)計(jì)用來維持恒定的輸出電壓，即使在環(huán)境溫度或者電源電壓等參數(shù)變化的情況下也一樣。基準(zhǔn)電壓源其精度之高，它能用于除數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器之外還能用于其他應(yīng)用場(chǎng)合。你將在本文檔中看到其應(yīng)用的范圍表明了，基準(zhǔn)電壓雖然不是一個(gè)新的概念，但它們是系統(tǒng)設(shè)計(jì)繼續(xù)向前推進(jìn)的一個(gè)組成部分。本文對(duì)基準(zhǔn)電壓源作了綜合的概述，包括基礎(chǔ)知識(shí)和設(shè)計(jì)應(yīng)技巧。第一章重點(diǎn)介紹基準(zhǔn)電壓源的基本特征。作者探討了在一定情況下，電源設(shè)計(jì)人員可能需要從一個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中獲得某些特性，同時(shí)利用另一個(gè)拓?fù)涞膬?yōu)點(diǎn)。第二章研究了基準(zhǔn)電壓源性能和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)原則。第三章也是最后一章，討論了基準(zhǔn)電壓源的靈活應(yīng)用，如低漂移直流基準(zhǔn)電壓和電流源。

標(biāo)簽： 基準(zhǔn)電壓源 VREF

上傳時(shí)間： 2022-07-11

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你一定需要！2019最新門極驅(qū)動(dòng)選型指南

英飛凌EiceDRIVER門極驅(qū)動(dòng)芯片選型指南2019門極驅(qū)動(dòng)芯片相當(dāng)于控制信號(hào)(數(shù)字或模擬控制器)與功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之間的接口。集成的門極驅(qū)動(dòng)解決方案有助于您降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度，縮短開發(fā)時(shí)間，節(jié)省用料(BOM)及電路板空間，相較于分立的方式實(shí)現(xiàn)的門極驅(qū)動(dòng)解決方案，可提高方案的可靠度。每一個(gè)功率器件都需要一個(gè)門極驅(qū)動(dòng)，同時(shí)每一個(gè)門極驅(qū)動(dòng)都需要一個(gè)功率器件。英飛凌提供一系列擁有各種結(jié)構(gòu)類型、電壓等級(jí)、隔離級(jí)別、保護(hù)功能和封裝選項(xiàng)的驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品。這些靈活的門極驅(qū)動(dòng)芯片是英飛凌分立式器件和模塊——包括硅MOSFET(CoolMOS?、OptiMOS?和StrongIRFET?)和碳化硅MOSFET(CoolSiC?)、氮化鎵HEMT(CoolGaN?)，或者作為集成功率模塊的一部分(CIPOS? IPM和iMOTION? smart IPM)——最完美的搭檔。

標(biāo)簽： 門極驅(qū)動(dòng)

上傳時(shí)間： 2022-07-16

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三極管8050NPN型晶體三極管

三極管8050是非常常見的NPN型晶體三極管，在各種放大電路中經(jīng)常看到它，應(yīng)用范圍很廣，主要用于高頻放大。也可用作開關(guān)電路。類型:開關(guān)型;極性:NPN;材料:硅;8050三極管（SOT-23封裝）管腳圖最大集電極電流(A):0.5 A;直流電增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集電極-發(fā)射極電壓（VCEO）:25; [1] 特征頻率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

標(biāo)簽： 三極管 npn晶體三極管

上傳時(shí)間： 2022-07-18

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