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硅整流

  • 自制12v開關電源電路圖

    關鍵字:12v開關電源+12V、0.5A單片開關穩壓電源的電路如圖所示。其輸出功率為6w.當輸入交流電壓在 110~260V范圍內變化時,電壓調整率Svs 1%。當負載電流大幅度變化時,負載調整率Si=5%~7%。為簡化電路,這里采用了基本反饋方式。接通電源后,220V交流電首先經過橋式整流和C1濾波,得到約+300V的直流高壓,再通過高頻變壓器的初級線圈 N1,給WS157提供所需的工作電壓。從次級線圈 N2上輸出的脈寬調制功率信號,經 VD7,C4,L和C5進行高頻整流濾波,獲得 +12V,0.5A的穩壓輸出。反饋線圈 N3上的電壓則通過 VD6,R2、C3整流濾波后,將控制電流加至控制端 C上。由VD5,R1,和C2構成的吸收回路,能有效抑制漏極上的反向峰值電壓。該電路的穩壓原理分析如下:當由于某種原因致使Uo4時,反饋線圈電壓及控制端電流也隨之降低,而芯片內部產生的誤差電壓 Urt時,PWM比較器輸出的脈沖占空比 Dt,經過MOSFET和降壓式輸出電路使得 Uot,最終能維持輸出電壓不變。反之亦然。如圖所示12v開關電源電路圖

    標簽: 開關電源

    上傳時間: 2022-06-26

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  • 超薄芯片Backend工藝分析及失效研究

    本文主要超薄芯片的背面金屬化中的一些問題,闡述了兩種主要的背面金屬化工藝的建立,并解決了這兩個工藝中關鍵問題,使得工藝獲得好的成品率,提高了產品的可靠性,實現了大規模量產。流程(一)介紹了一種通過技術轉移在上海先進半導體制造有限公司(ASMC)開發的一種特殊工藝,工藝采用特殊背面去應力工藝,通過機械應力和背銀沾污的控制,將背面金屬和硅片的黏附力和金硅接觸電阻大大改善。論文同時闡述了一種自創的檢驗黏附力的方法,通過這種方法的監控,大幅度提高了產品良率,本論文的研究課題來源于企業的大規模生產實踐,對于同類的低壓低導通電阻VDMOS產品有實用的參考意義。流程(二)討論了在半導體器件中應用最為廣泛的金-硅合金工藝的失效模式及其解決辦法。并介紹了我公司獨創的刻蝕-淀積-合金以及應力控制同時完成的方案。通過這種技術,使得金硅合金質量得到大步的提升,并同時大大減少了背金工藝中的碎片問題,為企業獲得了很好的效益。

    標簽: 超薄芯片 backend工藝

    上傳時間: 2022-06-26

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  • 自制家用簡易逆變器電路圖

    電路見圖1當把開關K1打向“逆變”位置時,BG1導通,由時基電路NE555及外圍元件組成的無穩態多諧振蕩器開始振蕩,其充?放電時間常數可調節?如果選擇R1=R2則輸出脈沖的占空比為50%,該多諧振蕩器的振蕩頻率f=1.443/(R1+R2+2W)C2,圖中的元件數值可使振蕩頻率調在50Hz,振蕩脈沖由役腳輸出,波形為方波,該方波經C4耦合,R3?C5積分變為三角波,這個三角波又經RPC6,第二次積分和R5?C7第三次積分,變為近似的正弦波,通過C8耦合到BG2,由BG2放大后在B1的L2線圈上輸出?當L2上端電壓為正時,D4截止,D3導通,使BGPBG6截止,BG3?BG5導通,電流由電瓶正極→B2的L1-BG5-電瓶負極;當L2上端電壓為負時,D3截止,D4導通,使BG2BG5截止,BG4?BG6導通,電流由電瓶正極一B2的L2-BG6電瓶負極?BGBG6交替導通?截止,經變壓器B2合成正負對稱的正弦波,并由L3升壓送至逆變輸出插座CZ12CZ2,供用電器使用,同時LED1(紅色)亮,指示逆變狀態?當開關打向“充電”位置時,市電經變壓器B2降壓?D5?D6全波整流?R11限流后對電瓶充電,同時LED2(綠色)亮,指示充電狀態?

    標簽: 逆變器 電路圖

    上傳時間: 2022-06-27

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  • 無刷直流電機驅動控制系統的研制

    無刷直流電動機是現代工業設備中重要的運動部件,保留了有刷直流電動機寬闊而平滑的優良調速性能,同時又克服了有刷直流電動機機械換向帶來的一系列的缺點,在各個領域中得到廣泛應用。本論文闡述了無刷直流電動機的系統構成和工作原理,分析了無刷直流電動機的數學模型、等效電路、傳遞函數以及調速原理。采用轉速電流雙閉環控制與H PWM.L ON的脈寬調制方法驅動控制無刷直流電機,并在MATLAB/Simulink平臺上進行了計算機仿真。仿真結果表明,控制系統有較好的動靜態特性。論文還分析了經典PID控制和模糊控制各自的優缺點,并介紹了結合二者優點的模糊自適應PID控制的優點。在MATLAB/Simulink平臺進行了基于模糊自適應PID控制器的無刷直流電機控制系統的計算機建模仿真。與采用經典PID控制器的控制系統相比,采用模糊自適應PID控制器的控制系統的動靜態特性都得到改善。本論文設計了無刷直流電機控制系統的硬件,包括控制單元、功率變換單元,并進行了電磁兼容性設計。控制單元以TI的TMS320F2812DSP控制器為核心,設計了位置傳感器接口電路、人機界面電路、電平轉換電路、電流采樣電路以及采樣調理電路等。功率變換單元以三菱的IPM PS21 563.P為核心,設計了整流電路、逆變電路、能耗制動電路以及多項保護電路。設計了基于TMS320F281 2 DSP控制器的速度電流雙閉環電機驅動控制程序、位置檢測程序、電流采樣程序、人機界面程序以及各項安全保護程序等。在對硬件部分和軟件部分進行調試后,對控制系統進行了實驗,通過實驗波形,檢驗了控制系統的工作性能。本文最后對整個系統的設計進行了總結,并對本系統存在的問題和后續的研究工作提出了自己的看法看法。

    標簽: 無刷直流電機 控制系統

    上傳時間: 2022-06-28

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  • bq24650同步整流MPPT充電ic手冊, 秒殺CN3722

    最近在做一個太陽能充電的項目,使用了這個ic,充電電流穩定,發熱小,好用

    標簽: bq24650 同步整流 mppt

    上傳時間: 2022-06-30

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  • LLC原理分析

    與傳統PWM(脈寬調節)變換器不同,LLC是一種通過控制開關頻率(頻率調節)來實現輸出電壓恒定的諧振電路。 它的優點是:實現原邊兩個主MOS開關的零電壓開通(ZVS)和副邊整流二極管的零電流關斷(ZCS),通過軟開關技術,可以降低電源的開關損耗,提高功率變換器的效率和功率密度。

    標簽: LLC

    上傳時間: 2022-07-04

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  • 脈寬調制DC/DC全橋變換器的軟開關技術

    脈寬調制(PWM)DC/DC充全橋變換器適用于中大功率變換場合,為了實現其高效率、高功率密度和高可靠性,有必要研究其軟開關技術。《脈寬調制DC/DC全橋變換器的軟開關技術(第二版)》系統闡述PWM DC/民金橋變換器的軟開關技術。系統提出DC/DC金橋變換器的一族PWM控制方式,并對這些PWM控制方式進行分析,指出為了實現PWM DC/DC全橋變換器的軟開關,必須引人超前橋臂和滯后橋臂的概念,而且超前橋臂只能實現零電壓開關(ZVS),滯后橋臂可以實現ZVS或零電流開關(ZCS)鈕根據超前橋臂和滯后橋臀實現軟開關的方式,將軟開關PWM DC/DC全橋變換器歸納為ZVS和ZVZCS兩種類型,并討論這兩類變換器的電路拓撲、控制方式和工作原理。提出消除輸出整流二極管反向恢復引起的電壓振蕩的方法,包括加入籍位二極管與電流互感器和采用輸出倍流整流電路方法。介紹PWM DC/DC全橋變換器的主要元件,包括輸入濾波電容、高頻變壓器、輸出濾波電感和濾波電容的設計,介紹移相控制芯片UC3875的使用以及IGBT和MOSFET的驅動電路,給出一種采用ZVS PWM DC/DC全橋變換器的通訊用開關電源的設計實例。

    標簽: 脈寬調制 DC/DC全橋變換器 軟開關

    上傳時間: 2022-07-05

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  • 現代傳感技術 東北大學出版社

    本書簡要介紹了現代傳感技術及檢測技術的概況,闡明了動態測量和其他檢測理論及其應用,詳細論述了各種傳感器的結構、原理。其中第一章為傳感技術概況。第二章論述了硅傳感器與智能傳感器;第三章論述了光與輻射傳感器及應用;笫四章論述了各種光纖傳感器的原理及其新成果;第五、第六章介紹了近年研究熱點---氣敏傳感器和離子敏傳感器。根據傳感器在檢測技術中的地位 在本書中用較大的篇幅來介紹傳感新理論和新技術。內容上注意突出原理性、系統性、層次性和漸進性。

    標簽: 傳感技術

    上傳時間: 2022-07-06

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  • 德州儀器基準電壓源(VREF)應用設計技巧和訣竅

    日常生活的電子產品和子系統變得越來越智能,這就需要其“大腦”(硅芯片)在面對現實環境中多種多樣情況時,能夠對各種可能最終影響系統行為和性能做出可預測和期望的反應。這時,基準電壓源就出現在我們面前了。基準電壓源是一種精密的器件,專門設計用來維持恒定的輸出電壓,即使在環境溫度或者電源電壓等參數變化的情況下也一樣。基準電壓源其精度之高,它能用于除數據轉換器之外還能用于其他應用場合。你將在本文檔中看到其應用的范圍表明了,基準電壓雖然不是一個新的概念,但它們是系統設計繼續向前推進的一個組成部分。本文對基準電壓源作了綜合的概述,包括基礎知識和設計應技巧。第一章重點介紹基準電壓源的基本特征。作者探討了在一定情況下,電源設計人員可能需要從一個拓撲結構中獲得某些特性,同時利用另一個拓撲的優點。第二章研究了基準電壓源性能和數據轉換器的設計原則。第三章也是最后一章,討論了基準電壓源的靈活應用,如低漂移直流基準電壓和電流源。

    標簽: 基準電壓源 VREF

    上傳時間: 2022-07-11

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  • 你一定需要!2019最新門極驅動選型指南

    英飛凌EiceDRIVER門極驅動芯片選型指南2019門極驅動芯片相當于控制信號(數字或模擬控制器)與功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之間的接口。集成的門極驅動解決方案有助于您降低設計復雜度,縮短開發時間,節省用料(BOM)及電路板空間,相較于分立的方式實現的門極驅動解決方案,可提高方案的可靠度。每一個功率器件都需要一個門極驅動,同時每一個門極驅動都需要一個功率器件。英飛凌提供一系列擁有各種結構類型、電壓等級、隔離級別、保護功能和封裝選項的驅動芯片產品。這些靈活的門極驅動芯片是英飛凌分立式器件和模塊——包括硅MOSFET(CoolMOS?、OptiMOS?和StrongIRFET?)和碳化硅MOSFET(CoolSiC?)、氮化鎵HEMT(CoolGaN?),或者作為集成功率模塊的一部分(CIPOS? IPM和iMOTION? smart IPM)——最完美的搭檔。

    標簽: 門極驅動

    上傳時間: 2022-07-16

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