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穩(wěn)(wěn)幅

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

    標(biāo)簽: MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2014-08-01

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  • 含穩(wěn)幅RC正弦波振蕩電路 multisim仿真

    含穩(wěn)幅RC正弦波振蕩電路 multisim仿真

    標(biāo)簽: multisim 穩(wěn)幅 RC正弦 振蕩電路

    上傳時(shí)間: 2014-01-22

    上傳用戶:zhoujunzhen

  • 2.5Gbs限幅放大器設(shè)計(jì)

    限幅放大器信號(hào)通道利用多級(jí)放大方式"降低了輸出信號(hào)上升:下降時(shí)間"減小了級(jí)間驅(qū)動(dòng)能力不匹配對(duì)信號(hào)完整性的影響#通過(guò)負(fù)反饋環(huán)路消除了信號(hào)通道上的偏移電壓"采用獨(dú)特的遲滯技術(shù)"使檢測(cè)電路的遲滯對(duì)外接電阻變化不敏感!

    標(biāo)簽: 2.5 Gbs 限幅 放大器設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-11-05

    上傳用戶:s藍(lán)莓汁

  • 采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

    計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路,廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ),用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器,并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單、可行,運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽: 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

    上傳時(shí)間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時(shí)間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • CMOS工藝下高擺幅共源共柵偏置電路

    共源共柵級(jí)放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng),在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡(jiǎn)單的高擺幅共源共柵偏置電路,且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級(jí)電流密度的定義,本文提出器件寬長(zhǎng)比與輸出電壓擺幅的關(guān)系,并設(shè)計(jì)一種高擺幅的共源共柵級(jí)偏置電路。

    標(biāo)簽: CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路

    上傳時(shí)間: 2013-10-08

    上傳用戶:debuchangshi

  • RC橋式正弦波振蕩電路的輸出幅值分析

    在RC橋式正弦波振蕩電路的研究中,一般文獻(xiàn)只給出電路的振蕩條件、起振條件、振蕩頻率等技術(shù)指標(biāo),而不涉及電路輸出幅值的大小。本文通過(guò)理論分析、Multisim仿真實(shí)驗(yàn)測(cè)試,研究了決定電路輸出幅值的因素,即輸出電壓的幅值與電路起振時(shí)電壓放大倍數(shù)的大小有關(guān),在電路的線性工作范圍內(nèi),起振時(shí)電壓放大倍數(shù)比3大得越多,最后的穩(wěn)定輸出電壓幅值也越大。研究結(jié)論有利于系統(tǒng)地研究振蕩電路的構(gòu)成及電路元件參數(shù)的選擇。

    標(biāo)簽: RC橋 正弦波 振蕩電路 幅值

    上傳時(shí)間: 2013-11-03

    上傳用戶:潛水的三貢

  • N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • W波段反對(duì)稱漸變探針過(guò)渡轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)

    介紹了一種反對(duì)稱漸變波導(dǎo)微帶探針過(guò)渡結(jié)構(gòu),采用高頻仿真軟件HFSS仿真分析了這個(gè)波導(dǎo)微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)在 W 頻段的特性,并對(duì)影響過(guò)渡性能的幾個(gè)因素進(jìn)行了敏感性分析,得出了可供工程應(yīng)用參考的設(shè)計(jì)曲線。在全波導(dǎo)帶寬內(nèi),實(shí)現(xiàn)了插入損耗小于0.088 dB,回波損耗大于27 dB。該結(jié)構(gòu)具有寬頻帶、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和易加工等優(yōu)點(diǎn),可廣泛用于毫米波固態(tài)電路系統(tǒng)中。

    標(biāo)簽: W波段 對(duì)稱 探針 轉(zhuǎn)換

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

    上傳用戶:名爵少年

  • S8JX開(kāi)關(guān)電源(35/50/100/150-W型)

    符合全球標(biāo)準(zhǔn)的小巧電源•35~150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導(dǎo)軌安裝• 安全標(biāo)準(zhǔn)  :  UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1

    標(biāo)簽: S8JX 100 150 35

    上傳時(shí)間: 2014-04-17

    上傳用戶:fklinran

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