電源正朝著高效率,高穩(wěn)定度,高功率密度,低污染,模塊化發(fā)展。為了滿足輸出電壓和頻率可變的逆變電源的基本指標(biāo),調(diào)制方式上各種新穎的調(diào)制技術(shù)不斷涌現(xiàn),控制上各種適合于不同要求的逆變器的控制方案被提了出來。本設(shè)計(jì)是基于SPWM逆變技術(shù),將由單片機(jī)產(chǎn)生的SPWM波輸出作為絕緣柵雙極晶閘管的驅(qū)動(dòng)信號(hào),最后通過低通濾波,從而在輸出端得到一個(gè)無失真的正弦信號(hào)波形。本文設(shè)計(jì)了一種交流電力頻率轉(zhuǎn)換器(AFC),提高交直流轉(zhuǎn)換器與無功功率控制,其超前相位補(bǔ)償原理是導(dǎo)致減少當(dāng)前控制回路的給定線頻率帶寬的要求。由于這些特性,可使用相對(duì)減緩轉(zhuǎn)換功率等設(shè)備,因此它可以用于高電平交流線頻率。
標(biāo)簽:
單片機(jī)
電源
上傳時(shí)間:
2022-03-28
上傳用戶:shjgzh
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同, 決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同.1, 由于MOSFET的結(jié)構(gòu), 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點(diǎn)頻率不是太高, 目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了. 不過相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領(lǐng)域的產(chǎn)品.3, 就其應(yīng)用, 根據(jù)其特點(diǎn):MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源, 鎮(zhèn)流器, 高頻感應(yīng)加熱, 高頻逆變焊機(jī), 通信電源等等高頻電源領(lǐng)域;IGBT 集中應(yīng)用于焊機(jī), 逆變器, 變頻器,電鍍電解電源, 超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域開關(guān)電源 (Switch Mode Power Supply ;SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇,即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題,但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較,確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討,如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS ( 零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_關(guān)損耗,并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外,還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET或 IGBT 導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素, 討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長外, IGBT和功率MOSFET的導(dǎo)通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路(見圖1)可看出,完全調(diào)節(jié)PNP BJT集電極基極區(qū)的少數(shù)載流子所需的時(shí)間導(dǎo)致了導(dǎo)通電壓拖尾( voltage tail )出現(xiàn)。
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mosfet
igbt
上傳時(shí)間:
2022-06-21
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