本文介紹了一種由低次級(jí)聯(lián)形式構(gòu)成的W波段寬帶六倍頻器。輸入信號(hào)先經(jīng)過(guò)MMIC得到二倍頻，再由反向并聯(lián)二極管對(duì)平衡結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)寬帶三倍頻，從而將Ku波段信號(hào)六倍頻到W波段。該倍頻器的輸入端口為玻璃絕緣子同軸轉(zhuǎn)換接頭，輸出為 WR-10 標(biāo)準(zhǔn)矩形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明當(dāng)輸入信號(hào)功率為20dBm時(shí)，三倍頻器在整個(gè)W波段的輸出三次諧波功率為4.5dBm左右，變頻損耗小于17dB。該設(shè)計(jì)可以降低毫米波設(shè)備的主振頻率，擴(kuò)展已有微波信號(hào)源的工作頻段。
上傳時(shí)間： 2013-11-16
上傳用戶：qingzhuhu
由于電子對(duì)抗技術(shù)的飛速發(fā)展，低頻段電子干擾設(shè)備已經(jīng)非常完善，低頻段主動(dòng)雷達(dá)的工作效能相應(yīng)地大幅度降低。為了提高雷達(dá)系統(tǒng)的抗干擾能力，通過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)外雷達(dá)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的研究，以及影響雷達(dá)系統(tǒng)抗干擾能力主要因素的分析，說(shuō)明了采用更高頻段的雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)發(fā)展的重要性。以W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用為前提，對(duì)其中需要解決的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了分解，論述了W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭的基本實(shí)現(xiàn)方案、關(guān)鍵技術(shù)解決途徑，得出W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)發(fā)展具有策略上的必要性和技術(shù)上的可行性的結(jié)論。
標(biāo)簽： W波段 雷達(dá)導(dǎo)引頭 技術(shù)分析
上傳時(shí)間： 2013-12-04
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W-RXM2013基于高性能ASK無(wú)線超外差射頻接收芯片 設(shè)計(jì)，是一款完整的、體積小巧的、低功耗的無(wú)線接 收模塊。 模塊采用超高性價(jià)比ISM頻段接收芯片設(shè)計(jì) 主要設(shè)定為315MHz-433MHz頻段，標(biāo)準(zhǔn)傳輸速率下接 收靈敏度可達(dá)到-115dbm。并且具有行業(yè)內(nèi)同類方案W-RXM2013 Micrel、SYNOXO、PTC等知名品牌的芯片所不具備的超強(qiáng)抗干擾能力。外圍省去10.7M的中頻 器件模塊將芯片的使能腳引出，可作休眠喚醒控制，也可通過(guò)電阻跳線設(shè)置使能置高控制。 本公司推出該款模塊力求解決客戶開發(fā)產(chǎn)品過(guò)程中無(wú)線射頻部分的成本壓力，為客戶提供 性能卓越價(jià)格優(yōu)勢(shì)突出的電子組件。模塊接口采用金手指方式,方便生產(chǎn)及應(yīng)用。天線輸入部 分可以將接收天線焊接在模塊上面，也可以通過(guò)接口轉(zhuǎn)接至客戶主機(jī)板上，應(yīng)用非常靈活。 優(yōu)勢(shì)應(yīng)用：機(jī)電控制板、電源控制板、高低溫環(huán)境數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)等復(fù)雜條件下 的控制指令的無(wú)線傳輸。 1.1 基本特性 λ ●省電模式下，低電流損耗 ●方便投入應(yīng)用 ●高效的串行編程接口 ●工作溫度范圍：﹣40℃～＋85℃ ●工作電壓：2.4~ 5.5 Volts. ●有效頻率：250-348Mhz, 400-464Mhz ●靈敏度高（-115dbm）、功耗低在3.5mA@315MHz應(yīng)用下 ●待機(jī)電流小于1uA，系統(tǒng)喚醒時(shí)間5ms（RF Input Power=-60dbm）
上傳時(shí)間： 2013-10-08
上傳用戶：dapangxie
無(wú)線感測(cè)器已變得越來(lái)越普及，短期內(nèi)其開發(fā)和部署數(shù)量將急遽增加。而無(wú)線通訊技術(shù)的突飛猛進(jìn)，也使得智慧型網(wǎng)路中的無(wú)線感測(cè)器能夠緊密互連。此外，系統(tǒng)單晶片(SoC)的密度不斷提高，讓各式各樣的多功能、小尺寸無(wú)線感測(cè)器系統(tǒng)相繼問(wèn)市。儘管如此，工程師仍面臨一個(gè)重大的挑戰(zhàn)：即電源消耗。
標(biāo)簽： 能量采集 無(wú)線感測(cè)器
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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意法半導(dǎo)體STM32F103核心板外擴(kuò)測(cè)試程序
上傳時(shí)間： 2013-11-02
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產(chǎn)品說(shuō)明： 是 1000M自適應(yīng)以太網(wǎng)外置電源光纖收發(fā)器，可以將 10/100BASE-TX的雙絞線電信號(hào)和1000BASE-LX的光信號(hào)相互轉(zhuǎn)換。它將網(wǎng)絡(luò)的傳輸距離的極限從銅線的100 米擴(kuò)展到224/550m（多模光纖）、100公里（單模光纖）。可簡(jiǎn)便地實(shí)現(xiàn) HUB、SWITCH、服務(wù)器、終端機(jī)與遠(yuǎn)距離終端機(jī)之間的互連。HH-GE-200 系列以太網(wǎng)光纖收發(fā)器即插即用，即可單機(jī)使用，也可多機(jī)集成于同一機(jī)箱內(nèi)使用。
上傳時(shí)間： 2013-12-22
上傳用戶：哈哈haha
項(xiàng)目簡(jiǎn)介 外翅片機(jī)用于將普通的光亮銅管加工成翅片狀銅管,翅片管大都用于要求有高翅片系數(shù)的熱交換設(shè)備中,使用翅片管與使用光管相比重量可減少1/3~1/2.
標(biāo)簽： SIEMENS LOGO 外翅片機(jī) 中的應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-11-12
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單片機(jī)外接EEPROM的代碼實(shí)現(xiàn)
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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本文提出了利用PLC控制球面軸承外滾道超精機(jī)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)磨削功能的見解和方法，給出了控制系統(tǒng)方案及軟、硬件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)思想，對(duì)于工業(yè)實(shí)現(xiàn)相關(guān)機(jī)床的改造具有較高的應(yīng)用與參考價(jià)值。1 引言以往深溝球面內(nèi)外套精磨床是采用繼電器進(jìn)行控制的，控制部分體積龐大，響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)，且可靠性不高，經(jīng)常出現(xiàn)故障，磨床磨削工件的功能單一，有的磨床只能進(jìn)粗磨，有的磨床只能進(jìn)行精磨。完成一個(gè)成品工件加工，先在粗磨磨床進(jìn)行粗磨，然后再將其送到精磨磨機(jī)進(jìn)行精磨。基于這種情況，我們采用可編程序控制器對(duì)其控制電路進(jìn)行了技術(shù)改造，將兩臺(tái)磨床的功能集中到一臺(tái)磨床上實(shí)現(xiàn)，即粗磨、精磨一次完成。這樣不僅可以減小控制部分體積、增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性，而且提高了系統(tǒng)的利用率，降低了成本，在實(shí)際應(yīng)用中取得了很好的效果，對(duì)于工業(yè)企業(yè)實(shí)現(xiàn)相關(guān)機(jī)床的改造具有較高的應(yīng)用與參考價(jià)值。
標(biāo)簽： PLC 超精機(jī) 中的應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-12-11
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PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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