電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無(wú)片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無(wú)片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無(wú)片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí)，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標(biāo)簽： LDO 無(wú)片外電容 穩(wěn)定性分析
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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據(jù)線的外徑，了解載流量是多大，
標(biāo)簽： AWG MM 導(dǎo)線外徑 對(duì)照
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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晶片wafer 平面工藝詳細(xì)介紹
標(biāo)簽： wafer 晶片 工藝 詳細(xì)介紹
上傳時(shí)間： 2013-11-21
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TDK公司的子公司TDK-EPC推出了愛(ài)普科斯PQ鐵氧體磁芯的擴(kuò)展系列。新加入了PQ40/40和PQ50/50磁芯后，PQ磁芯系列覆蓋了PQ16/11.6至PQ50/50的全部尺寸。 PQ磁芯專為開(kāi)關(guān)電源的變壓器研制。這些磁芯的插入高度可以調(diào)節(jié)，同時(shí)可以通過(guò)適當(dāng)調(diào)整磁芯保存相同的占用面積。新款鐵氧體磁芯可用于AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器中的標(biāo)準(zhǔn)繞線變壓器以及平面變壓器。 與傳統(tǒng)ETD/ER/E磁芯設(shè)計(jì)相比，PQ磁芯的主要優(yōu)勢(shì)在于擁有穩(wěn)定的圓形中心支腳和更大的外表面。憑借該圓形中心支腳和更大的繞組表面積，銅線的長(zhǎng)度得以縮短。因此，變壓器生產(chǎn)的成本也得以降低。此外，更大的外表面可以保證更好的散熱。PQ磁芯外形經(jīng)過(guò)優(yōu)化，從而可以更小的尺寸和重量獲得與e磁芯相同的變壓器性能。PQ磁芯可由多種鐵氧體材料制成，如：N49、N51、N87、N92、N95和N97。
標(biāo)簽： 鐵氧體 PQ芯 產(chǎn)品系列 擴(kuò)展
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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單片機(jī)作為一種微型計(jì)算機(jī)，其內(nèi)部具有一定的存儲(chǔ)單元（8031除外），但由于其內(nèi)部存儲(chǔ)單元及端口有限，很多情況下難以滿足實(shí)際需求。為此介紹一種新的擴(kuò)展方法，將數(shù)據(jù)線與地址線合并使用，通過(guò)軟件控制的方法實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線與地址線功能的分時(shí)轉(zhuǎn)換，數(shù)據(jù)線不僅用于傳送數(shù)據(jù)信號(hào)，還可作為地址線、控制線，用于傳送地址信號(hào)和控制信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)單片機(jī)與存儲(chǔ)器件的有效連接。以單片機(jī)片外256KB數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間的擴(kuò)展為例，通過(guò)該擴(kuò)展方法，僅用10個(gè)I/O端口便可實(shí)現(xiàn)，與傳統(tǒng)的擴(kuò)展方法相比，可節(jié)約8個(gè)I/O端口。 Abstract: As a micro-computer,the SCM internal memory has a certain units(except8031),but because of its internal storage units and the ports are limited,in many cases it can not meet the actual demand.So we introduced a new extension method,the data line and address lines combined through software-controlled approach to realize the time-conversion functions of data lines and address lines,so the data lines not only transmited data signals,but also served as address lines and control lines to transmit address signals and control signals,in order to achieve an effective connection of microcontroller and memory chips.Take microcontroller chip with256KB of data storage space expansion as example,through this extension method,with only10I/O ports it was achieved,compared with the traditional extension methods,this method saves8I/O ports.
標(biāo)簽： 單片機(jī) P0口 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 擴(kuò)展
上傳時(shí)間： 2014-12-26
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摘要: 用磷酸氧鈦鉀(KTP)作為倍頻晶體,對(duì)Nd∶YAG聲光調(diào)Q激光的環(huán)形腔外腔倍頻技術(shù)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)和理論的研究,利用最大平均功率50W、聲光調(diào)Q、輸出頻率1005Hz、燈抽運(yùn)Nd∶YAG激光器做為基頻光光源,在基頻輸入功率35W時(shí),獲得了大約為31.4%的光光轉(zhuǎn)換效率的綠光輸出。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析了環(huán)形腔倍頻的特性,指出了該方法的優(yōu)缺點(diǎn)。從光束質(zhì)量和聚焦光斑直徑方面,對(duì)基頻光和二次諧波進(jìn)行了比較,提供了利用CCD測(cè)得光斑的部分圖片,分析了環(huán)形腔倍頻的工作原理,解決了困擾倍頻技術(shù)的轉(zhuǎn)換效率問(wèn)題和光束質(zhì)量問(wèn)題。關(guān)鍵詞: 激光技術(shù);倍頻;環(huán)形腔;轉(zhuǎn)換效率;光束質(zhì)量
標(biāo)簽： YAG 環(huán)形 倍頻 技術(shù)研究
上傳時(shí)間： 2013-11-19
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地彈的形成：芯片內(nèi)部的地和芯片外的PCB地平面之間不可避免的會(huì)有一個(gè)小電感。這個(gè)小電感正是地彈產(chǎn)生的根源，同時(shí)，地彈又是與芯片的負(fù)載情況密切相關(guān)的。下面結(jié)合圖介紹一下地彈現(xiàn)象的形成。 簡(jiǎn)單的構(gòu)造如上圖的一個(gè)小“場(chǎng)景”，芯片A為輸出芯片，芯片B為接收芯片，輸出端和輸入端很近。輸出芯片內(nèi)部的CMOS等輸入單元簡(jiǎn)單的等效為一個(gè)單刀雙擲開(kāi)關(guān)，RH和RL分別為高電平輸出阻抗和低電平輸出阻抗，均設(shè)為20歐。GNDA為芯片A內(nèi)部的地。GNDPCB為芯片外PCB地平面。由于芯片內(nèi)部的地要通過(guò)芯片內(nèi)的引線和管腳才能接到GNDPCB，所以就會(huì)引入一個(gè)小電感LG，假設(shè)這個(gè)值為1nH。CR為接收端管腳電容，這個(gè)值取6pF。這個(gè)信號(hào)的頻率取200MHz。雖然這個(gè)LG和CR都是很小的值，不過(guò)，通過(guò)后面的計(jì)算我們可以看到它們對(duì)信號(hào)的影響。先假設(shè)A芯片只有一個(gè)輸出腳，現(xiàn)在Q輸出高電平，接收端的CR上積累電荷。當(dāng)Q輸出變?yōu)榈碗娖降臅r(shí)候。CR、RL、LG形成一個(gè)放電回路。自諧振周期約為490ps，頻率為2GHz，Q值約為0.0065。使用EWB建一個(gè)仿真電路。（很老的一個(gè)軟件，很多人已經(jīng)不懈于使用了。不過(guò)我個(gè)人比較依賴它，關(guān)鍵是建模，模型參數(shù)建立正確的話仿真結(jié)果還是很可靠的，這個(gè)小軟件幫我發(fā)現(xiàn)和解決過(guò)很多實(shí)際模擬電路中遇到的問(wèn)題。這個(gè)軟件比較小，有比較長(zhǎng)的歷史，也比較成熟，很容易上手。建議電子初入門(mén)的同學(xué)還是熟悉一下。）因?yàn)橹魂P(guān)注下降沿，所以簡(jiǎn)單的構(gòu)建下面一個(gè)電路。起初輸出高電平，10納秒后輸出低電平。為方便起見(jiàn)，高電平輸出設(shè)為3.3V，低電平是0V。（實(shí)際200M以上芯片IO電壓會(huì)比較低，多采用1.5－2.5V。）
標(biāo)簽： 分
上傳時(shí)間： 2013-10-17
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多播通信這種兼顧了廣播通信與單播通信兩者優(yōu)點(diǎn)的通信模式，已經(jīng)被越來(lái)越多地應(yīng)用于平面網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)之中。首先討論了面向源節(jié)點(diǎn)的多播路由策略。在分析傳統(tǒng)多播路由算法中最佳鏈路選擇函數(shù)的基礎(chǔ)上，提出了一個(gè)新的最佳路由模型和QMRI算法，該算法成功地解決了網(wǎng)絡(luò)中多播節(jié)點(diǎn)動(dòng)態(tài)變化時(shí)的QOS路由選擇問(wèn)題。
標(biāo)簽： QOS 平面網(wǎng)絡(luò) 路由 算法研究
上傳時(shí)間： 2013-12-06
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根據(jù)紅外成像無(wú)損檢測(cè)原理，利用機(jī)器視覺(jué)技術(shù)，通過(guò)實(shí)驗(yàn)將紅外熱像儀采集的亞表面紅外缺陷圖像進(jìn)行一系列的處理，包括濾波降噪，圖像增強(qiáng)，邊緣提取等，將缺陷檢測(cè)出來(lái)。文中用matlab和Visual C++2010聯(lián)合編程的方式對(duì)紅外缺陷進(jìn)行識(shí)別，通過(guò)窗口可視化將圖像和圖像中的缺陷位置，大小提取出來(lái)。通過(guò)多次實(shí)驗(yàn)，本方法能夠檢測(cè)大多的亞平面缺陷，具有較高的應(yīng)用價(jià)值。
標(biāo)簽： 紅外熱 成像技術(shù) 中的應(yīng)用 缺陷檢測(cè)
上傳時(shí)間： 2013-10-10
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意法半導(dǎo)體STM32F103核心板外擴(kuò)測(cè)試程序
上傳時(shí)間： 2013-11-02
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