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紅外焦平面

  • 一種無片外電容LDO的穩定性分析

    電路如果存在不穩定性因素,就有可能出現振蕩。本文對比分析了傳統LDO和無片電容LDO的零極點,運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO,電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF,減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V,輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時,最小相位裕度為830,最小帶寬為4.58 MHz

    標簽: LDO 無片外電容 穩定性分析

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:wangjin2945

  • AWG線規—導線外徑(MM)與電流(A)對照

    據線的外徑,了解載流量是多大,

    標簽: AWG MM 導線外徑 對照

    上傳時間: 2013-11-10

    上傳用戶:nem567397

  • 晶片wafer 平面工藝詳細介紹

    晶片wafer 平面工藝詳細介紹

    標簽: wafer 晶片 工藝 詳細介紹

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:jesuson

  • 鐵氧體PQ芯產品系列擴展

    TDK公司的子公司TDK-EPC推出了愛普科斯PQ鐵氧體磁芯的擴展系列。新加入了PQ40/40和PQ50/50磁芯后,PQ磁芯系列覆蓋了PQ16/11.6至PQ50/50的全部尺寸。 PQ磁芯專為開關電源的變壓器研制。這些磁芯的插入高度可以調節,同時可以通過適當調整磁芯保存相同的占用面積。新款鐵氧體磁芯可用于AC/DC和DC/DC轉換器中的標準繞線變壓器以及平面變壓器。 與傳統ETD/ER/E磁芯設計相比,PQ磁芯的主要優勢在于擁有穩定的圓形中心支腳和更大的外表面。憑借該圓形中心支腳和更大的繞組表面積,銅線的長度得以縮短。因此,變壓器生產的成本也得以降低。此外,更大的外表面可以保證更好的散熱。PQ磁芯外形經過優化,從而可以更小的尺寸和重量獲得與e磁芯相同的變壓器性能。PQ磁芯可由多種鐵氧體材料制成,如:N49、N51、N87、N92、N95和N97。

    標簽: 鐵氧體 PQ芯 產品系列 擴展

    上傳時間: 2013-11-10

    上傳用戶:zgu489

  • 單片機P0口的片外數據存儲器擴展

    單片機作為一種微型計算機,其內部具有一定的存儲單元(8031除外),但由于其內部存儲單元及端口有限,很多情況下難以滿足實際需求。為此介紹一種新的擴展方法,將數據線與地址線合并使用,通過軟件控制的方法實現數據線與地址線功能的分時轉換,數據線不僅用于傳送數據信號,還可作為地址線、控制線,用于傳送地址信號和控制信號,從而實現單片機與存儲器件的有效連接。以單片機片外256KB數據存儲空間的擴展為例,通過該擴展方法,僅用10個I/O端口便可實現,與傳統的擴展方法相比,可節約8個I/O端口。 Abstract:  As a micro-computer,the SCM internal memory has a certain units(except8031),but because of its internal storage units and the ports are limited,in many cases it can not meet the actual demand.So we introduced a new extension method,the data line and address lines combined through software-controlled approach to realize the time-conversion functions of data lines and address lines,so the data lines not only transmited data signals,but also served as address lines and control lines to transmit address signals and control signals,in order to achieve an effective connection of microcontroller and memory chips.Take microcontroller chip with256KB of data storage space expansion as example,through this extension method,with only10I/O ports it was achieved,compared with the traditional extension methods,this method saves8I/O ports.

    標簽: 單片機 P0口 數據存儲器 擴展

    上傳時間: 2014-12-26

    上傳用戶:adada

  • 調Q Nd∶YAG環形腔外腔倍頻技術研究

    摘要: 用磷酸氧鈦鉀(KTP)作為倍頻晶體,對Nd∶YAG聲光調Q激光的環形腔外腔倍頻技術進行了實驗和理論的研究,利用最大平均功率50W、聲光調Q、輸出頻率1005Hz、燈抽運Nd∶YAG激光器做為基頻光光源,在基頻輸入功率35W時,獲得了大約為31.4%的光光轉換效率的綠光輸出。從實驗結果分析了環形腔倍頻的特性,指出了該方法的優缺點。從光束質量和聚焦光斑直徑方面,對基頻光和二次諧波進行了比較,提供了利用CCD測得光斑的部分圖片,分析了環形腔倍頻的工作原理,解決了困擾倍頻技術的轉換效率問題和光束質量問題。關鍵詞: 激光技術;倍頻;環形腔;轉換效率;光束質量

    標簽: YAG 環形 倍頻 技術研究

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:rocwangdp

  • 同地彈現象的分析和講解

    地彈的形成:芯片內部的地和芯片外的PCB地平面之間不可避免的會有一個小電感。這個小電感正是地彈產生的根源,同時,地彈又是與芯片的負載情況密切相關的。下面結合圖介紹一下地彈現象的形成。 簡單的構造如上圖的一個小“場景”,芯片A為輸出芯片,芯片B為接收芯片,輸出端和輸入端很近。輸出芯片內部的CMOS等輸入單元簡單的等效為一個單刀雙擲開關,RH和RL分別為高電平輸出阻抗和低電平輸出阻抗,均設為20歐。GNDA為芯片A內部的地。GNDPCB為芯片外PCB地平面。由于芯片內部的地要通過芯片內的引線和管腳才能接到GNDPCB,所以就會引入一個小電感LG,假設這個值為1nH。CR為接收端管腳電容,這個值取6pF。這個信號的頻率取200MHz。雖然這個LG和CR都是很小的值,不過,通過后面的計算我們可以看到它們對信號的影響。先假設A芯片只有一個輸出腳,現在Q輸出高電平,接收端的CR上積累電荷。當Q輸出變為低電平的時候。CR、RL、LG形成一個放電回路。自諧振周期約為490ps,頻率為2GHz,Q值約為0.0065。使用EWB建一個仿真電路。(很老的一個軟件,很多人已經不懈于使用了。不過我個人比較依賴它,關鍵是建模,模型參數建立正確的話仿真結果還是很可靠的,這個小軟件幫我發現和解決過很多實際模擬電路中遇到的問題。這個軟件比較小,有比較長的歷史,也比較成熟,很容易上手。建議電子初入門的同學還是熟悉一下。)因為只關注下降沿,所以簡單的構建下面一個電路。起初輸出高電平,10納秒后輸出低電平。為方便起見,高電平輸出設為3.3V,低電平是0V。(實際200M以上芯片IO電壓會比較低,多采用1.5-2.5V。)

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    上傳時間: 2013-10-17

    上傳用戶:zhishenglu

  • 平面網絡中QOS多播路由算法研究與設計

    多播通信這種兼顧了廣播通信與單播通信兩者優點的通信模式,已經被越來越多地應用于平面網絡業務之中。首先討論了面向源節點的多播路由策略。在分析傳統多播路由算法中最佳鏈路選擇函數的基礎上,提出了一個新的最佳路由模型和QMRI算法,該算法成功地解決了網絡中多播節點動態變化時的QOS路由選擇問題。

    標簽: QOS 平面網絡 路由 算法研究

    上傳時間: 2013-12-06

    上傳用戶:sjw920325

  • 紅外熱成像技術在亞平面缺陷檢測中的應用

    根據紅外成像無損檢測原理,利用機器視覺技術,通過實驗將紅外熱像儀采集的亞表面紅外缺陷圖像進行一系列的處理,包括濾波降噪,圖像增強,邊緣提取等,將缺陷檢測出來。文中用matlab和Visual C++2010聯合編程的方式對紅外缺陷進行識別,通過窗口可視化將圖像和圖像中的缺陷位置,大小提取出來。通過多次實驗,本方法能夠檢測大多的亞平面缺陷,具有較高的應用價值。

    標簽: 紅外熱 成像技術 中的應用 缺陷檢測

    上傳時間: 2013-10-10

    上傳用戶:徐孺

  • 意法半導體STM32F103核心板外擴測試程序

    意法半導體STM32F103核心板外擴測試程序

    標簽: F103 STM 103 32F

    上傳時間: 2013-11-02

    上傳用戶:88mao

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