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紅外發(fā)射

  • 射頻電路PCB設(shè)計中注意問題

      PCB 設(shè)計對于電路設(shè)計而言越來越重要。但不少設(shè)計者往往只注重原理設(shè)計,而對PCB 板的設(shè)計布局考慮不多,因此在完成的電路設(shè)計中常會出現(xiàn)EMC 問題。文中從射頻電路的特性出發(fā),闡述了射頻電路PCB 設(shè)計中需要注意的一些問題。

    標(biāo)簽: PCB 射頻電路

    上傳時間: 2013-10-24

    上傳用戶:jiangxiansheng

  • protel 99se進(jìn)行射頻電路PCB設(shè)計的流程

    介紹了采用protel 99se進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計的設(shè)計流程為了保證電路的性能。在進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計時應(yīng)考慮電磁兼容性,因而重點討論了元器件的布局與布線原則來達(dá)到電磁兼容的目的.關(guān)鍵詞 射頻電路 電磁兼容 布局

    標(biāo)簽: protel PCB 99 se

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:竺羽翎2222

  • 印刷電路板設(shè)計原則

    減小電磁干擾的印刷電路板設(shè)計原則 內(nèi) 容 摘要……1 1 背景…1 1.1 射頻源.1 1.2 表面貼裝芯片和通孔元器件.1 1.3 靜態(tài)引腳活動引腳和輸入.1 1.4 基本回路……..2 1.4.1 回路和偶極子的對稱性3 1.5 差模和共模…..3 2 電路板布局…4 2.1 電源和地…….4 2.1.1 感抗……4 2.1.2 兩層板和四層板4 2.1.3 單層板和二層板設(shè)計中的微處理器地.4 2.1.4 信號返回地……5 2.1.5 模擬數(shù)字和高壓…….5 2.1.6 模擬電源引腳和模擬參考電壓.5 2.1.7 四層板中電源平面因該怎么做和不應(yīng)該怎么做…….5 2.2 兩層板中的電源分配.6 2.2.1 單點和多點分配.6 2.2.2 星型分配6 2.2.3 格柵化地.7 2.2.4 旁路和鐵氧體磁珠……9 2.2.5 使噪聲靠近磁珠……..10 2.3 電路板分區(qū)…11 2.4 信號線……...12 2.4.1 容性和感性串?dāng)_……...12 2.4.2 天線因素和長度規(guī)則...12 2.4.3 串聯(lián)終端傳輸線…..13 2.4.4 輸入阻抗匹配...13 2.5 電纜和接插件……...13 2.5.1 差模和共模噪聲……...14 2.5.2 串?dāng)_模型……..14 2.5.3 返回線路數(shù)目..14 2.5.4 對板外信號I/O的建議14 2.5.5 隔離噪聲和靜電放電ESD .14 2.6 其他布局問題……...14 2.6.1 汽車和用戶應(yīng)用帶鍵盤和顯示器的前端面板印刷電路板...15 2.6.2 易感性布局…...15 3 屏蔽..16 3.1 工作原理…...16 3.2 屏蔽接地…...16 3.3 電纜和屏蔽旁路………………..16 4 總結(jié)…………………………………………17 5 參考文獻(xiàn)………………………17  

    標(biāo)簽: 印刷電路板 設(shè)計原則

    上傳時間: 2013-10-24

    上傳用戶:18165383642

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時,晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 一種無片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

    電路如果存在不穩(wěn)定性因素,就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點,運用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計了一款無片外電容LDO,電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結(jié)果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進(jìn)行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF,減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V,輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時,最小相位裕度為830,最小帶寬為4.58 MHz

    標(biāo)簽: LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:wangjin2945

  • 基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設(shè)計

    基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設(shè)計

    標(biāo)簽: 9835 DDS AD 射頻信號源

    上傳時間: 2013-10-23

    上傳用戶:woshiayin

  • AWG線規(guī)—導(dǎo)線外徑(MM)與電流(A)對照

    據(jù)線的外徑,了解載流量是多大,

    標(biāo)簽: AWG MM 導(dǎo)線外徑 對照

    上傳時間: 2013-11-10

    上傳用戶:nem567397

  • CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術(shù)

    設(shè)計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較,指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響;提出了一種片上變壓器的設(shè)計方法,即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式,解決了在CMOS工藝中設(shè)計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設(shè)計的變壓器在2~3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1.35 dB,其功率合成效率高達(dá)76 以上,適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。

    標(biāo)簽: CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術(shù)

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:ewtrwrtwe

  • 單片機(jī)P0口的片外數(shù)據(jù)存儲器擴(kuò)展

    單片機(jī)作為一種微型計算機(jī),其內(nèi)部具有一定的存儲單元(8031除外),但由于其內(nèi)部存儲單元及端口有限,很多情況下難以滿足實際需求。為此介紹一種新的擴(kuò)展方法,將數(shù)據(jù)線與地址線合并使用,通過軟件控制的方法實現(xiàn)數(shù)據(jù)線與地址線功能的分時轉(zhuǎn)換,數(shù)據(jù)線不僅用于傳送數(shù)據(jù)信號,還可作為地址線、控制線,用于傳送地址信號和控制信號,從而實現(xiàn)單片機(jī)與存儲器件的有效連接。以單片機(jī)片外256KB數(shù)據(jù)存儲空間的擴(kuò)展為例,通過該擴(kuò)展方法,僅用10個I/O端口便可實現(xiàn),與傳統(tǒng)的擴(kuò)展方法相比,可節(jié)約8個I/O端口。 Abstract:  As a micro-computer,the SCM internal memory has a certain units(except8031),but because of its internal storage units and the ports are limited,in many cases it can not meet the actual demand.So we introduced a new extension method,the data line and address lines combined through software-controlled approach to realize the time-conversion functions of data lines and address lines,so the data lines not only transmited data signals,but also served as address lines and control lines to transmit address signals and control signals,in order to achieve an effective connection of microcontroller and memory chips.Take microcontroller chip with256KB of data storage space expansion as example,through this extension method,with only10I/O ports it was achieved,compared with the traditional extension methods,this method saves8I/O ports.

    標(biāo)簽: 單片機(jī) P0口 數(shù)據(jù)存儲器 擴(kuò)展

    上傳時間: 2014-12-26

    上傳用戶:adada

  • 調(diào)Q Nd∶YAG環(huán)形腔外腔倍頻技術(shù)研究

    摘要: 用磷酸氧鈦鉀(KTP)作為倍頻晶體,對Nd∶YAG聲光調(diào)Q激光的環(huán)形腔外腔倍頻技術(shù)進(jìn)行了實驗和理論的研究,利用最大平均功率50W、聲光調(diào)Q、輸出頻率1005Hz、燈抽運Nd∶YAG激光器做為基頻光光源,在基頻輸入功率35W時,獲得了大約為31.4%的光光轉(zhuǎn)換效率的綠光輸出。從實驗結(jié)果分析了環(huán)形腔倍頻的特性,指出了該方法的優(yōu)缺點。從光束質(zhì)量和聚焦光斑直徑方面,對基頻光和二次諧波進(jìn)行了比較,提供了利用CCD測得光斑的部分圖片,分析了環(huán)形腔倍頻的工作原理,解決了困擾倍頻技術(shù)的轉(zhuǎn)換效率問題和光束質(zhì)量問題。關(guān)鍵詞: 激光技術(shù);倍頻;環(huán)形腔;轉(zhuǎn)換效率;光束質(zhì)量

    標(biāo)簽: YAG 環(huán)形 倍頻 技術(shù)研究

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:rocwangdp

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