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紅外診斷

  • 一種無片外電容LDO的穩定性分析

    電路如果存在不穩定性因素,就有可能出現振蕩。本文對比分析了傳統LDO和無片電容LDO的零極點,運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO,電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF,減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V,輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時,最小相位裕度為830,最小帶寬為4.58 MHz

    標簽: LDO 無片外電容 穩定性分析

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:wangjin2945

  • AWG線規—導線外徑(MM)與電流(A)對照

    據線的外徑,了解載流量是多大,

    標簽: AWG MM 導線外徑 對照

    上傳時間: 2013-11-10

    上傳用戶:nem567397

  • 單片機P0口的片外數據存儲器擴展

    單片機作為一種微型計算機,其內部具有一定的存儲單元(8031除外),但由于其內部存儲單元及端口有限,很多情況下難以滿足實際需求。為此介紹一種新的擴展方法,將數據線與地址線合并使用,通過軟件控制的方法實現數據線與地址線功能的分時轉換,數據線不僅用于傳送數據信號,還可作為地址線、控制線,用于傳送地址信號和控制信號,從而實現單片機與存儲器件的有效連接。以單片機片外256KB數據存儲空間的擴展為例,通過該擴展方法,僅用10個I/O端口便可實現,與傳統的擴展方法相比,可節約8個I/O端口。 Abstract:  As a micro-computer,the SCM internal memory has a certain units(except8031),but because of its internal storage units and the ports are limited,in many cases it can not meet the actual demand.So we introduced a new extension method,the data line and address lines combined through software-controlled approach to realize the time-conversion functions of data lines and address lines,so the data lines not only transmited data signals,but also served as address lines and control lines to transmit address signals and control signals,in order to achieve an effective connection of microcontroller and memory chips.Take microcontroller chip with256KB of data storage space expansion as example,through this extension method,with only10I/O ports it was achieved,compared with the traditional extension methods,this method saves8I/O ports.

    標簽: 單片機 P0口 數據存儲器 擴展

    上傳時間: 2014-12-26

    上傳用戶:adada

  • 調Q Nd∶YAG環形腔外腔倍頻技術研究

    摘要: 用磷酸氧鈦鉀(KTP)作為倍頻晶體,對Nd∶YAG聲光調Q激光的環形腔外腔倍頻技術進行了實驗和理論的研究,利用最大平均功率50W、聲光調Q、輸出頻率1005Hz、燈抽運Nd∶YAG激光器做為基頻光光源,在基頻輸入功率35W時,獲得了大約為31.4%的光光轉換效率的綠光輸出。從實驗結果分析了環形腔倍頻的特性,指出了該方法的優缺點。從光束質量和聚焦光斑直徑方面,對基頻光和二次諧波進行了比較,提供了利用CCD測得光斑的部分圖片,分析了環形腔倍頻的工作原理,解決了困擾倍頻技術的轉換效率問題和光束質量問題。關鍵詞: 激光技術;倍頻;環形腔;轉換效率;光束質量

    標簽: YAG 環形 倍頻 技術研究

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:rocwangdp

  • 意法半導體STM32F103核心板外擴測試程序

    意法半導體STM32F103核心板外擴測試程序

    標簽: F103 STM 103 32F

    上傳時間: 2013-11-02

    上傳用戶:88mao

  • HH千兆多光多電外置電源光纖收發器

    產品說明: 是 1000M自適應以太網外置電源光纖收發器,可以將 10/100BASE-TX的雙絞線電信號和1000BASE-LX的光信號相互轉換。它將網絡的傳輸距離的極限從銅線的100 米擴展到224/550m(多模光纖)、100公里(單模光纖)。可簡便地實現 HUB、SWITCH、服務器、終端機與遠距離終端機之間的互連。HH-GE-200 系列以太網光纖收發器即插即用,即可單機使用,也可多機集成于同一機箱內使用。

    標簽: 光纖收發器 外置電源

    上傳時間: 2013-12-22

    上傳用戶:哈哈haha

  • SIEMENS LOGO!在外翅片機中的應用

    項目簡介 外翅片機用于將普通的光亮銅管加工成翅片狀銅管,翅片管大都用于要求有高翅片系數的熱交換設備中,使用翅片管與使用光管相比重量可減少1/3~1/2.

    標簽: SIEMENS LOGO 外翅片機 中的應用

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:cc1015285075

  • 單片機外接EEPROM的代碼實現

    單片機外接EEPROM的代碼實現

    標簽: EEPROM 單片機 代碼

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:gokk

  • PLC在球面軸承外滾道超精機中的應用

    本文提出了利用PLC控制球面軸承外滾道超精機實現自動磨削功能的見解和方法,給出了控制系統方案及軟、硬件結構的設計思想,對于工業實現相關機床的改造具有較高的應用與參考價值。1 引言以往深溝球面內外套精磨床是采用繼電器進行控制的,控制部分體積龐大,響應時間長,且可靠性不高,經常出現故障,磨床磨削工件的功能單一,有的磨床只能進粗磨,有的磨床只能進行精磨。完成一個成品工件加工,先在粗磨磨床進行粗磨,然后再將其送到精磨磨機進行精磨。基于這種情況,我們采用可編程序控制器對其控制電路進行了技術改造,將兩臺磨床的功能集中到一臺磨床上實現,即粗磨、精磨一次完成。這樣不僅可以減小控制部分體積、增強系統的可靠性,而且提高了系統的利用率,降低了成本,在實際應用中取得了很好的效果,對于工業企業實現相關機床的改造具有較高的應用與參考價值。

    標簽: PLC 超精機 中的應用

    上傳時間: 2013-12-11

    上傳用戶:huyahui

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2013-11-04

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