SI-PNP 60 V 0,6 A 0,6 W 100 MHz
標簽： 2N2905
上傳時間： 2021-07-02
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復(fù)活節(jié)計算 int y, n, a, q, b, m, w, d, mm = 4; y = atoi(argv[1]); n = y-1900; a = fmod(n,19);
上傳時間： 2021-07-09
上傳用戶：scfan2004
快速傅里葉變換，fft應(yīng)用實例。供學(xué)習(xí)，供參考。 原理：快速傅里葉變換 (fast Fourier transform), 即利用計算機計算離散傅里葉變換（DFT)的高效、快速計算方法的統(tǒng)稱，簡稱FFT?？焖俑道锶~變換是1965年由J.W.庫利和T.W.圖基提出的。采用這種算法能使計算機計算離散傅里葉變換所需要的乘法次數(shù)大為減少，特別是被變換的抽樣點數(shù)N越多，F(xiàn)FT算法計算量的節(jié)省就越顯著。
上傳時間： 2021-07-14
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PROTEL99SE電路設(shè)計教程protell技術(shù)大全程簡明使用手冊Protel封裝庫至Allegro的轉(zhuǎn)化等學(xué)習(xí)文檔資料PROTEL 99 SE特性手冊.docPROTEL 99SE 簡明使用手冊.docProtel for Windows PCB 轉(zhuǎn) GERBER文件.mhtProtel PCB 轉(zhuǎn)SCH全攻略.pdfProtel 原理圖-PCB到Cadence的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換.mhtProtel99 SE Gerber File 輸出說明.mhtPROTEL99SE教程protell技術(shù)大全.docProtel到Allegro -CCT格式轉(zhuǎn)換.mhtProtel封裝庫至Allegro的轉(zhuǎn)化.pdfProtel常見錯誤.pdfPRTEL99的PCB文件生成GERBER文件流程.mhtW-Protel99SE精彩教程.chm電路設(shè)計與制板Protel99入門與提高.pdf
標簽： protel99se 電路設(shè)計
上傳時間： 2021-10-15
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電磁兼容學(xué)科是一門綜合性交叉學(xué)科，實用性很強。本書注重從實際出發(fā)，結(jié)合強電類工程實際的特點，介紹了電磁兼容的基本知識，包括電磁干擾的產(chǎn)生和電磁兼容性的實現(xiàn)技術(shù)，以及一些常見的電磁干擾問題及其解決方法。
上傳時間： 2021-10-16
上傳用戶：bluedrops
電磁兼容學(xué)科是一門綜合性交叉學(xué)科，實用性很強。本書注重從實際出發(fā)，結(jié)合強電類工程實際的特點，介紹了電磁兼容的基本知識，包括電磁干擾的產(chǎn)生和電磁兼容性的實現(xiàn)技術(shù)，以及一些常見的電磁干擾問題及其解決方法。本書第1 章介紹了電磁兼容的基本概念和電磁干擾源及危害。第2 章介紹了傳導(dǎo)和輻射兩類干擾的產(chǎn)生機理。第3 章至第5 章介紹了接地、屏蔽和濾波等三種主要的電磁兼容性技術(shù)。第6 章介紹了電磁干擾的發(fā)射和敏感性測量技術(shù)。第7 至第9 章結(jié)合實際，具體介紹了靜電防護、電子系統(tǒng)的電磁兼容設(shè)計和浪涌抑制技術(shù)。第10 章介紹了與電力系統(tǒng)相關(guān)的一些典型的電磁兼容問題。
標簽： 電磁兼容
上傳時間： 2021-10-16
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AD7790是一款適合低頻測量應(yīng)用的低功耗、完整模擬前端，內(nèi)置一個低噪聲16位Σ-Δ型ADC，一路差分輸入可配置為緩沖或無緩沖模式，此外還有一個增益可設(shè)置為1、2、 4或8的數(shù)字PGA。該器件采用內(nèi)部時鐘工作，因此，用戶不必為其提供時鐘源。器件的輸出數(shù)據(jù)速率可通過軟件編程設(shè)置，可在9.5 Hz至120 Hz的范圍內(nèi)變化，更新速率較低時均方根(RMS)噪聲為1.1 μV。內(nèi)部時鐘頻率可以使用系數(shù)2、 4或8進行分頻，從而可以降低功耗。更新速率、截止頻率和建立時間與時鐘頻率成比例變化。這款器件采用2.5 V至5.25 V電源供電，工作電壓為3 V時，最大功耗為225 μW，采用10引腳MSOP封裝。
上傳時間： 2021-10-25
上傳用戶：得之我幸78
[摘要]全球電源管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）今天發(fā)布了IR1150 系列產(chǎn)品，專用于AC-DC 功率因數(shù)矯正電路，商標為PFC(tm)。由于采用緊湊的SO-8 封裝，有助于將PFC 控制板面積縮減一半，在75W-4k W 功率范圍內(nèi)，為計算機、消費電子產(chǎn)品和家電提供了簡便、靈活、高密度的解決方案。
標簽： ir集成電路
上傳時間： 2021-11-23
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作者：何亮，劉揚論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ，其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應(yīng) 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié) 構(gòu) 存 在 的 缺 點 ，業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用 化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。
標簽： 第三代半導(dǎo)體 GaN 功率開關(guān)器件
上傳時間： 2021-12-08
上傳用戶：XuVshu
常用繼電器類PCB封裝庫Altium封裝庫三維視圖PCB庫(3D封裝庫合集),76個封裝，PcbLibb后綴文件，封裝列表如下：Component Count : 76Component Name-----------------------------------------------0MI-SH-112LM012-1HW_BK012-1HW_W012-1ZW_BK012-1ZW_W855AWP-1A-C2892-1CC-C892N-1AC-CATQ203DSP1DSP2G4A-1A-E-CNG5NB-1A-E-5VG6K-2F-YHF46-xx-HS1HF163F-LHFD3-DIPHFD3-SMDHK19F-DCHK4100FHRS1HHRS2HJDQ-12V30AJDQ-793-PJDQ-835-1AJDQ-842-1JDQ-4078-2CJDQ-EC2-12NUJDQ-G5V-1JDQ-WJ112-1CJQX-14FC-1A_BKJQX-14FC-1A_WJQX-14FC-1AH_BKJQX-14FC-1AH_WJQX-14FC-1B_BKJQX-14FC-1B_WJQX-14FC-1BH_BKJQX-14FC-1BH_WJQX-14FC-1C_BKJQX-14FC-1C_WJQX-14FC-1CH_BKJQX-14FC-1CH_WJQX-14FC-2A_BKJQX-14FC-2A_WJQX-14FC-2B_BKJQX-14FC-2B_WJQX-14FC-2C_BKJQX-14FC-2C_WJQX-105F-2JZC-23F(4123)JZC-32F_1HJZC-32F_1ZK1MKT6-S-12DHOJ-SH-112LMHOJE-SS-112DMOMI-SH-112LMOMIF-S-112LMOZ-SS-112LOZ-SS-112LM1PCJRelay-1A0500SDT-S-112DMRSIL24-1A72-71DSLA-xxVDC-SL-ASPA-S-112DMSRD-A_BSRD-A_BKSRD-A_YSRD-B_BSRD-B_BKSRD-B_YSRD-C_BSRD-C_BKSRD-C_YTA-1a
上傳時間： 2021-12-21
上傳用戶：bluedrops
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