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iSensor IMU快速入門(mén)指南和偏置優(yōu)化技巧

iSensor IMU快速入門(mén)指南和偏置優(yōu)化技巧

標(biāo)簽： iSensor IMU 快速入門(mén)

上傳時(shí)間： 2014-12-23

上傳用戶(hù)：小草123
AW5007_CN_V0.95_EZ-FM內(nèi)置FM天線(xiàn)的低噪聲放大器

AW5007_CN_V0.95_EZ-FM內(nèi)置FM天線(xiàn)的低噪聲放_(tái)大器

標(biāo)簽： EZ-FM 5007 0.95 CN_V

上傳時(shí)間： 2014-01-14

上傳用戶(hù)：xiaowei314
CMOS工藝下高擺幅共源共柵偏置電路

共源共柵級(jí)放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng)，在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡(jiǎn)單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級(jí)電流密度的定義,本文提出器件寬長(zhǎng)比與輸出電壓擺幅的關(guān)系,并設(shè)計(jì)一種高擺幅的共源共柵級(jí)偏置電路。

標(biāo)簽： CMOS 工藝共源共柵偏置電路

上傳時(shí)間： 2013-10-08

上傳用戶(hù)：debuchangshi
BGA焊球重置工藝

BGA焊球重置工藝

標(biāo)簽： BGA 焊球重置工藝

上傳時(shí)間： 2013-11-01

上傳用戶(hù)：avensy
pcb layout規(guī)則

LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線(xiàn) )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線(xiàn)....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU

標(biāo)簽： layout pcb

上傳時(shí)間： 2013-12-20

上傳用戶(hù)：康郎
采用4mmX4mm QFN封裝的通用型TFT LCD偏置電源和白光LED驅(qū)動(dòng)器

LTC3524 的 2.5V 至 6V 輸入電源範(fàn)圍非常適合於那些從鋰離子電池或者多節(jié)堿性或鎳電池供電的便攜式設(shè)備。LCD 和 LED 驅(qū)動(dòng)器的工作頻率均為 1.5MHz，因而允許使用纖巧、低成本的電感器和電容器。

標(biāo)簽： 4mmX4mm QFN LCD LED

上傳時(shí)間： 2013-11-22

上傳用戶(hù)：zzbbqq99n
W波段反對(duì)稱(chēng)漸變探針過(guò)渡轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)

介紹了一種反對(duì)稱(chēng)漸變波導(dǎo)微帶探針過(guò)渡結(jié)構(gòu)，采用高頻仿真軟件HFSS仿真分析了這個(gè)波導(dǎo)微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)在 W 頻段的特性，并對(duì)影響過(guò)渡性能的幾個(gè)因素進(jìn)行了敏感性分析，得出了可供工程應(yīng)用參考的設(shè)計(jì)曲線(xiàn)。在全波導(dǎo)帶寬內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了插入損耗小于0.088 dB，回波損耗大于27 dB。該結(jié)構(gòu)具有寬頻帶、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和易加工等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛用于毫米波固態(tài)電路系統(tǒng)中。

標(biāo)簽： W波段對(duì)稱(chēng) 探針轉(zhuǎn)換

上傳時(shí)間： 2013-11-13

上傳用戶(hù)：名爵少年
內(nèi)置EEPROM的電壓監(jiān)控器電路設(shè)計(jì)與選型指南

安森美半導(dǎo)體公司為用戶(hù)提供了一種內(nèi)置E2PROM的復(fù)位監(jiān)控器件，該類(lèi)器件不但可以滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和復(fù)位監(jiān)控器的需求，而且該類(lèi)芯片采用硬件數(shù)據(jù)保護(hù)設(shè)計(jì)，解決了長(zhǎng)期困擾串行E2PROM的有關(guān)數(shù)據(jù)出錯(cuò)的問(wèn)題。加之該類(lèi)產(chǎn)品體積小、性?xún)r(jià)比高的優(yōu)點(diǎn)，深受廣大工程師的歡迎。下文將介紹安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的內(nèi)置E2PROM的復(fù)位監(jiān)控器的基本功能和電路設(shè)計(jì)方法。

標(biāo)簽： EEPROM 內(nèi)置電壓監(jiān)控器電路設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶(hù)：lty6899826
S8JX開(kāi)關(guān)電源(35/50/100/150-W型)

符合全球標(biāo)準(zhǔn)的小巧電源•35～150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導(dǎo)軌安裝• 安全標(biāo)準(zhǔn) ： UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1

標(biāo)簽： S8JX 100 150 35

上傳時(shí)間： 2014-04-17

上傳用戶(hù)：fklinran
stc12c5a60s2內(nèi)置AD

stc12c5a60s2內(nèi)置AD的用法

標(biāo)簽： stc 12c a60 60s

上傳時(shí)間： 2013-10-11

上傳用戶(hù)：zczc