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羅技

  • 普 通 牌 分 析 儀

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    上傳時間: 2017-02-06

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  • 三公想拿到大牌的有什么辦法

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    上傳時間: 2017-02-06

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  • STM32的IAP方案

    IAP,全稱是“In-Application Programming”,中文解釋為“在程序中編程”。 IAP 是一種 對通過微控制器的對外接口(如 USART, IIC, CAN, USB,以太網(wǎng)接口甚至是無線射頻通道) 對正在運行程序的微控制器進行內(nèi)部程序的更新的技術(shù)(注意這完全有別于 ICP 或者 ISP 技 術(shù))

    標簽: STM IAP 32 方案

    上傳時間: 2017-05-15

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  • 電力電子器件及應用技術(shù)

    電力電子器件及應用技術(shù)電力電子器件及應用技電電力電子器件及應用技術(shù)力電子器件及應用技術(shù)術(shù)

    標簽: 電力電子器件及應用技術(shù)

    上傳時間: 2019-07-01

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  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間: 2020-06-05

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  • 華為PCB的EMC設計指南.rar

    電磁兼容學科是一門綜合性交叉學科,實用性很強。本書注重從實際出發(fā),結(jié)合強電類工程實際的特點,介紹了電磁兼容的基本知識,包括電磁干擾的產(chǎn)生和電磁兼容性的實現(xiàn)技術(shù),以及一些常見的電磁干擾問題及其解決方法。

    標簽: 華為 pcb emc

    上傳時間: 2021-10-16

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  • 電磁兼容原理及應用.rar

    電磁兼容學科是一門綜合性交叉學科,實用性很強。本書注重從實際出發(fā),結(jié)合強電類工程實際的特點,介紹了電磁兼容的基本知識,包括電磁干擾的產(chǎn)生和電磁兼容性的實現(xiàn)技術(shù),以及一些常見的電磁干擾問題及其解決方法。本書第1 章介紹了電磁兼容的基本概念和電磁干擾源及危害。第2 章介紹了傳導和輻射兩類干擾的產(chǎn)生機理。第3 章至第5 章介紹了接地、屏蔽和濾波等三種主要的電磁兼容性技術(shù)。第6 章介紹了電磁干擾的發(fā)射和敏感性測量技術(shù)。第7 至第9 章結(jié)合實際,具體介紹了靜電防護、電子系統(tǒng)的電磁兼容設計和浪涌抑制技術(shù)。第10 章介紹了與電力系統(tǒng)相關(guān)的一些典型的電磁兼容問題。

    標簽: 電磁兼容

    上傳時間: 2021-10-16

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  • 高速電路設計 詳細基礎理論知識

    設計高速電路必須考慮高速訊 號所引發(fā)的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應,所以訊號完整性 (signal  integrity)將是考量設計電路優(yōu)劣的一項重要指標,電路日異複雜必須仰賴可 靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應,才比較可能獲得高品質(zhì)且可靠的設計, 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項目之一。另外了解高速訊號所引發(fā)之 各種效應(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設計的重點之一。目前高速示波器的功能越來越多,使用上很複雜,必須事先 進修學習,否則無法全盤了解儀器之功能,因而無法有效發(fā)揮儀器的量測功能。 其次就是高速訊號量測與介面的一些測試規(guī)範也必須熟悉,像眼圖分析,探針 效應,抖動(jitter)測量規(guī)範及高速串列介面量測規(guī)範等實務技術(shù),必須充分 了解研究學習,進而才可設計出優(yōu)良之教學教材及教具。

    標簽: 高速電路

    上傳時間: 2021-11-02

    上傳用戶:jiabin

  • 第三代半導體GaN功率開關(guān)器件的發(fā)展現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)

    作者:何亮,劉揚論文摘要:氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ,非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ,具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ,其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) (p 型 柵 )和 共 源 共 柵 級 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ,并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié) 構(gòu) 存 在 的 缺 點 ,業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用 化 ,仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。

    標簽: 第三代半導體 GaN 功率開關(guān)器件

    上傳時間: 2021-12-08

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  • CYCLONE4E FPGA開發(fā)板EP4CE10F17 開拓者FPGA開發(fā)板PDF原理圖+主要器件技

    CYCLONE4E FPGA開發(fā)板EP4CE10F17 開拓者FPGA開發(fā)板PDF原理圖+主要器件技術(shù)手冊00-CYCLONE4E FPGA開發(fā)板EP4CE10F17 開拓者FPGA開發(fā)板PDF原理圖.pdfAD9708.pdfAMS1117.pdfAP3216C.pdfAT24C64.pdfCH340.pdfCyclone IV EP4CE10引腳信息.pdfCyclone IV器件手冊.pdfDHT11.pdfDS18B20_cn.pdfDS18B20_en.pdfGT9147數(shù)據(jù)手冊.pdfGT9147編程指南.pdfHR911105A-datasheet.pdfHS0038B.pdfnRF24L01P(新版無線模塊控制IC).PDFOTT2001A IIC協(xié)議指導.pdfOTT2001A_V02.pdfOV5640_CSP3_DS_2.01_Ruisipusheng.pdfPCF8563.pdfPCF8591.pdfRJ45_HR911105A.pdfRTL8201CP.pdfSMBJ3.3-440_series.pdfSMBJ5.0ca.pdfSN74LVC1G00.pdfSP3232.pdfSP3485.pdfTJA1050.pdfTLC5510.pdfW9825G6KH.pdfWM8978G.pdfWM8978中文資料.doc

    標簽: cyclone4e fpga 開發(fā)板

    上傳時間: 2022-01-10

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