N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000簡(jiǎn)介
標(biāo)簽： chroma 8000 電源測(cè)試系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：xiehao13
一.晶片的作用: 晶片為L(zhǎng)ED的主要原材料,LED主要依靠晶片來(lái)發(fā)光. 二.晶片的組成. 主要有砷(AS) 鋁(AL) 鎵(Ga) 銦(IN) 磷(P) 氮(N)鍶(Ｓi)這幾種元素中的若干種組成.
標(biāo)簽： 芯片
上傳時(shí)間： 2013-12-10
上傳用戶：離殤
6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業(yè)應(yīng)用： 船舶、工程機(jī)械 產(chǎn)品特點(diǎn)： ■工作壓力可高達(dá)10,000PSI ■高精度-在整個(gè)應(yīng)用過(guò)程中,精度在±0.15%之內(nèi) ■高穩(wěn)定性-長(zhǎng)期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動(dòng)性能-采用了薄膜濺射式設(shè)計(jì),取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數(shù) 精度 0.15%FS 重復(fù)性 0.03%FS 長(zhǎng)期穩(wěn)定性 0.06%F.S/年 壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對(duì)于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環(huán) 零點(diǎn)公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應(yīng)時(shí)間0.5毫秒 溫度影響 溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環(huán)境參數(shù) 振動(dòng) 正弦曲線,峰值70g,5～5000HZ(根據(jù)MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出 電路 見PDF文件(3線) 激勵(lì) 高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環(huán)路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出 電路 2線 環(huán)路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環(huán)路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出 輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電 輸出激勵(lì)電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數(shù) 殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼 電氣連接 見訂貨指南 壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機(jī)械震動(dòng) 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的穩(wěn)定加速度時(shí)1bar(15psi)量程變送器的輸出會(huì)波動(dòng)0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時(shí)輸出波動(dòng)會(huì)按對(duì)數(shù)遞減至0.0007%FS/g. 認(rèn)證等級(jí) CE
上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶：sdfsdfs1
設(shè)計(jì)了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過(guò)對(duì)變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對(duì)變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計(jì)方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計(jì)變壓器時(shí)面臨的寄生電阻過(guò)大及有效耦合長(zhǎng)度不足等困難。設(shè)計(jì)的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。
標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術(shù)
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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找一塊電源仔細(xì)看一下，在電源部分中，跨接L-N之間的小方塊（單位是μF）電容就是X電容，通常在是電源入口的第一個(gè)；同樣，在電源部分的跨接L-PE和N-PE之間的藍(lán)色的安規(guī)電容（單位pF）就是Y電容，通常是成對(duì)出現(xiàn)的。 或者你可以形象的看，X電容具有2個(gè)輸入端，2個(gè)輸出端，很象X；Y電容具有一個(gè)輸入端，一個(gè)輸出端以及一個(gè)公共的大地，很象一個(gè)Y 沒有什么概念的，一個(gè)在差模回路上，一個(gè)在共?；芈飞?，X、Y的名稱純粹是一個(gè)稱呼，就象是X和Y軸一樣 X電容主要用于流電源線路中，此時(shí)當(dāng)電容失時(shí)不致產(chǎn)生線間放電。X電容器的測(cè)試條件是：在交流電壓的有效值*1.5的電壓下工作100Hour；再加上1KV的高壓測(cè)試。Y電容器在一旦失效會(huì)導(dǎo)致放電危險(xiǎn)（尤其是對(duì)外殼）時(shí)是強(qiáng)制使用的。Y類型電容器的測(cè)試條件是：在交流電壓的有效值*1.7的電壓下工作100Hour，加上2KV高壓測(cè)試。如果電容器用于不接地的II類產(chǎn)品中，則要增加至4KV。
標(biāo)簽： 電源 濾波設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-24
上傳用戶：1583264429
采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過(guò)程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過(guò)調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過(guò)調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
標(biāo)簽： NIP 非晶硅 薄膜太陽(yáng)能電池
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
隨著我國(guó)通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來(lái)越大，系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對(duì)交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來(lái)越重要。在中國(guó)通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國(guó)家，各大通信運(yùn)營(yíng)商、電力供應(yīng)商、軍隊(duì)均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點(diǎn)。
標(biāo)簽： 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景
上傳時(shí)間： 2014-03-24
上傳用戶：alan-ee
四位數(shù)碼管從一數(shù)到F,LED就向下移一位c語(yǔ)言代碼
標(biāo)簽： LED 數(shù)碼管 c語(yǔ)言 代碼
上傳時(shí)間： 2014-12-25
上傳用戶：1214209695
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