ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列產品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結構，進一步降低了導通電阻；同時通過采用單獨設置柵極驅動器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開關特性，使開關損耗可以降低35%左右。此次，針對SiCMOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會社的應用工程師。關于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了導通電阻很低，還通過采用4引腳封裝使開關損耗降低了35%，對此我們非常感興趣。此次，想請您以4引腳封裝為重點介紹一下該產品。首先，請您大致講一下4引腳封裝具體是怎樣的封裝，采用這種封裝的背景和目的是什么。首先，采用4引腳封裝是為了改善SiCMOSFET的開關損耗。包括SiCMOSFET在內的電源開關用MOSFET和IGBT，被作為開關元件廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。必須盡可能地降低這種開關元件產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用，其降低損耗的方法也不盡相同。作為其中的一種手法，近年來發(fā)布了一種4引腳的新型封裝，即在MOSFET的源極、漏極、柵極三個引腳之外，另外設置了驅動器源極引腳。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通過采用最新的溝槽柵極結構，實現(xiàn)更低的導通電阻和傳導損耗；通過采用4引腳封裝，進一步發(fā)揮出SiC本身具有的高速開關性能，并降低開關損耗。那么，我想詳細了解一下剛剛您的概述中出現(xiàn)的幾個要點。首先，什么是“驅動器源極引腳”？驅動器源極引腳是應用了開爾文連接原理的源極引腳。開爾文連接是通過電阻測量中的4個引腳或四線檢測方式，在電流路徑基礎上加上兩條測量電壓的線路，以極力消除微小電阻測量或大電流條件下測量時不可忽略的線纜電阻和接觸電阻的影響的方法，是一種廣為人知的方法。這種4引腳封裝僅限源極，通過使連接柵極驅動電路返回線的源極電壓引腳與流過大電流的電源源極引腳獨立，來消除ID對柵極驅動電路的影響。
標簽：
sic
mosfet
封裝
上傳時間：
2021-11-07
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