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脈沖產(chǎn)(chǎn)生

p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

標(biāo)簽： p-n 隧道擊穿模型研究

上傳時間： 2013-10-31

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PCB LAYOUT設(shè)計(jì)規(guī)范手冊

　　PCB Layout Rule Rev1.70, 規(guī)範(fàn)內(nèi)容如附件所示, 其中分為: 　　(1) ”PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)”:為R&D Layout時必須遵守的事項(xiàng), 否則SMT,DIP,裁板時無法生產(chǎn). 　　(2) “錫偷LAYOUT RULE建議規(guī)範(fàn)”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. 　　(3) “PCB LAYOUT 建議規(guī)範(fàn)”:為製造單位為提高量產(chǎn)良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. 　　(4) ”零件選用建議規(guī)範(fàn)”: Connector零件在未來應(yīng)用逐漸廣泛, 又是SMT生產(chǎn)時是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時能顧慮製造的需求, 提高自動置件的比例.

標(biāo)簽： LAYOUT PCB 設(shè)計(jì)規(guī)范

上傳時間： 2013-10-28

上傳用戶：zhtzht
華碩內(nèi)部的PCB基本規(guī)范

PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)項(xiàng)次項(xiàng)目備註1 一般PCB 過板方向定義：􀀹 PCB 在SMT 生產(chǎn)方向?yàn)槎踢呥^迴焊爐(Reflow), PCB 長邊為SMT 輸送帶夾持邊.􀀹 PCB 在DIP 生產(chǎn)方向?yàn)镮/O Port 朝前過波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過板方向定義：􀀹 SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直.􀀹 DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 􀀹 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil.􀀹 SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區(qū)).PAD

標(biāo)簽： PCB 華碩

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：jokey075
對于電源故障保護(hù)應(yīng)用，超級電容器能夠替代后備電池

在越來越多的短時間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中，超級電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類應(yīng)用之一，在該電路中，如果主電源發(fā)生短時間故障，則接入一個後備電源，用於給負(fù)載供電

標(biāo)簽： 電源故障保護(hù) 后備電池超級電容器

上傳時間： 2014-01-08

上傳用戶：lansedeyuntkn
N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

N+緩沖層設(shè)計(jì)對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時間： 2013-11-12

上傳用戶：thesk123
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
艾默生開關(guān)電源基礎(chǔ)

艾默生開關(guān)電源基礎(chǔ)

標(biāo)簽： 開關(guān)電源

上傳時間： 2013-10-11

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佳生CCFL可調(diào)光護(hù)眼燈電路原理分析

理想的閱讀光源應(yīng)具備白色光、無閃爍、亮度可調(diào)及光照均勻等特性，佳生護(hù)眼燈是一款亮度在600-1300LX范圍內(nèi)六擋可調(diào)，采用全新冷陰極熒光燈管（即CCFL），壽命可達(dá)15000小時的護(hù)眼燈，依實(shí)物測繪的原理圖見附圖所示，供參考。

標(biāo)簽： CCFL 可調(diào)光分護(hù)眼燈

上傳時間： 2013-10-17

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FR-E500-CH變頻用戶手冊

本內(nèi)容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊

標(biāo)簽： FR-E 500 CH 用戶手冊

上傳時間： 2013-11-13

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（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國家，各大通信運(yùn)營商、電力供應(yīng)商、軍隊(duì)均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點(diǎn)。

標(biāo)簽： 熱插拔模塊并聯(lián) 應(yīng)用前景

上傳時間： 2014-03-24

上傳用戶：alan-ee