電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點(diǎn) 5 1.2 對靜電認(rèn)識的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機(jī)器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機(jī)理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護(hù)的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點(diǎn) 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護(hù)的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護(hù)材料 2.4.1 與靜電防護(hù)材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護(hù)材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護(hù)器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護(hù)的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運(yùn)送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護(hù)的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測及分類的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗方法的主要內(nèi)容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實際ESD檢測的結(jié)果統(tǒng)計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.2抗場感應(yīng)ESD失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護(hù)電路 4.2.1基本抗靜電保護(hù)電路 4.2.2對抗靜電保護(hù)電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護(hù)電路的考慮 4.2.4防靜電保護(hù)元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機(jī)理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計策略 4.4.1 設(shè)計保護(hù)電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達(dá)到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路的設(shè)計 4.5.1 基本ESD保護(hù)電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路 4.5.3 ESD設(shè)計的輔助工具－TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護(hù)設(shè)計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護(hù)電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時間： 2013-07-13
上傳用戶：2404
專輯類-開關(guān)電源相關(guān)專輯-119冊-749M 超寬電壓自適應(yīng)電源-14頁-0.5M.pdf
上傳時間： 2013-05-25
上傳用戶：wyc199288
專輯類-實用電子技術(shù)專輯-385冊-3.609G 模糊自適應(yīng)控制理論及其應(yīng)用-336頁-7.5M.pdf
標(biāo)簽： 336 7.5 模糊自適應(yīng)
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：hull021
專輯類-執(zhí)行器件相關(guān)專輯-43冊-296M 交直流傳動系統(tǒng)的自適應(yīng)控制-323頁-4.2M.pdf
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：1054154823
專輯類-超聲-紅外-激光-無線-通訊相關(guān)專輯-183冊-1.48G 自適應(yīng)天線原理-212頁-1.9M.pdf
上傳時間： 2013-06-28
上傳用戶：hank
專輯類-電子基礎(chǔ)類專輯-153冊-2.20G 電子技術(shù)（電工學(xué)Ⅱ）典型題解析及自測試題-299頁-3.2M.pdf
上傳時間： 2013-06-19
上傳用戶：aa17807091
專輯類-數(shù)字處理及顯示技術(shù)專輯-106冊-9138M 空時自適應(yīng)信號處理-207頁-4.8M.pdf
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：watch100
專輯類-數(shù)字處理及顯示技術(shù)專輯-106冊-9138M 自適應(yīng)濾波器原理（第三版）1007頁-15.4M.pdf
標(biāo)簽： 1007 15.4 自適應(yīng)濾波器
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：wang0123456789
專輯類-單片機(jī)專輯-258冊-4.20G 自裝單片微電腦快速入門-102頁-2.2M.pdf
上傳時間： 2013-05-23
上傳用戶：caixiaoxu26
正交頻分復(fù)用(OFDM)技術(shù)由于具有頻譜利用率高、抗多徑能力強(qiáng)等突出優(yōu)點(diǎn),因此在高速無線通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。但是,OFDM信號具有較高的峰平比(PAPR),受功率放大器(簡稱功放)非線性效應(yīng)的影響,產(chǎn)生信號帶內(nèi)失真和帶外頻譜擴(kuò)展,從而導(dǎo)致系統(tǒng)性能下降。因此,功放線性化技術(shù),對于無線通信技術(shù)的發(fā)展具有重要的意義。其中,數(shù)字預(yù)失真技術(shù)以其準(zhǔn)確性、復(fù)雜度、自適應(yīng)性等方面良好的綜合性能,已經(jīng)成為最具發(fā)展?jié)摿Φ墓Ψ啪€性化技術(shù)。本文深入研究了適用于無線通信OFDM系統(tǒng)的數(shù)字預(yù)失真技術(shù),研究內(nèi)容主要涉及:功率放大器預(yù)失真模型構(gòu)造、預(yù)失真模型參數(shù)辨識、OFDM系統(tǒng)預(yù)失真方案設(shè)計等方面。 本文主要研究工作與創(chuàng)新點(diǎn)總結(jié)如下: 1.針對現(xiàn)有無記憶多項式預(yù)失真器在輸出回退(OBO)減小時的性能受限問題,基于分段非線性補(bǔ)償?shù)乃枷?提出了一種動態(tài)系數(shù)多項式預(yù)失真方法。動態(tài)系數(shù)多項式具有多組系數(shù),隨著輸入信號幅度的變化,多項式選取不同的系數(shù)組合,從而降低非線性補(bǔ)償?shù)恼`差;文中討論了動態(tài)系數(shù)多項式模型的構(gòu)造方法,并且給出了基于直接學(xué)習(xí)結(jié)構(gòu)的簡化遞歸系數(shù)估計算法。
標(biāo)簽： 無線通信 射頻功率放大器 技術(shù)研究
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：sa123456
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號-1
