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若干問題

  • 本書完整的說明與充分的網(wǎng)路支援

    本書完整的說明與充分的網(wǎng)路支援，可以使讀者能充分地掌握MATLAB的脈動，擁有解決工程問題的最佳利器,21-29章

    標(biāo)簽： 分

    上傳時間： 2014-01-21

    上傳用戶：fxf126@126.com

  • 安裝 winxp sp3 後

    安裝 winxp sp3 後，我的電腦右鍵無法開啟裝置管理員與服務(wù)的問題解決

    標(biāo)簽： winxp sp3

    上傳時間： 2016-11-21

    上傳用戶：siguazgb

  • 本文件雖已力求正確

    本文件雖已力求正確，然而無法保證所有操作／設(shè)定範(fàn)例， 都可以順利的在您的系統(tǒng)上面進(jìn)行。 如果您依 照本文件的說明而使您的系統(tǒng)發(fā)生任何問題或損失， 作者都將不負(fù)任何責(zé)任。 希望由於本文的出現(xiàn)，能大量減少在網(wǎng)路上一再重複出現(xiàn)的問題："為 什麼我不能輸入/看到中文?"，"為什 麼我 xxxx 裝不起來?" 等等。 雖然我也了解這是不太可能的...

    標(biāo)簽： 正

    上傳時間： 2013-12-19

    上傳用戶：wang5829

  • I2C slave可以作動

    I2C slave可以作動，請使用 如果有問題請再讓我知道,Thank you

    標(biāo)簽： slave I2C

    上傳時間： 2016-12-19

    上傳用戶：zm7516678

  • Programming the Microsoft Windows driver model繁中版 透過Windows驅(qū)動程式的權(quán)威們專業(yè)的協(xié)助

    Programming the Microsoft Windows driver model繁中版 透過Windows驅(qū)動程式的權(quán)威們專業(yè)的協(xié)助，學(xué)習(xí)如何使用簡易的方式來撰寫Windows驅(qū)動程式。 Microsoft WDM支援隨插即用（PnP）功能，提供了電源管理能力，並詳述撰寫驅(qū)動程式/迷你驅(qū)動程式的方法。這本由長時間接觸裝置驅(qū)動程式的專家Walter Oney 與Windows核心小組共同合作的書提供了大量很實用的例子、圖表、建議，並一行一行分析範(fàn)例的程式碼，好讓您能夠清楚了解實際上在撰寫驅(qū)動程式時所會發(fā)生的問題。另外亦更新了Windows XP及Windows 2000的最新驅(qū)動程式技術(shù)，又告訴您如何除錯。

    標(biāo)簽： Windows Programming Microsoft driver

    上傳時間： 2014-01-19

    上傳用戶：cjl42111

  • 二元搜尋樹簡單易懂

    二元搜尋樹簡單易懂，不過有一個問題：它並非平衡樹。本章將介紹平衡的 AVL 搜尋樹，討論它的資料結(jié)構(gòu)、函式，並設(shè)計程式使用它。

    標(biāo)簽： 二元

    上傳時間： 2017-05-30

    上傳用戶：yzy6007

  • vbsql學(xué)習(xí)源碼

    vbsql學(xué)習(xí)源碼，適合一般初學(xué)者，如有問題，麻煩請指教一下

    標(biāo)簽： vbsql

    上傳時間： 2017-07-04

    上傳用戶：himbly

  • 這是個prolog程式

    這是個prolog程式，能解決4x4的數(shù)獨問題 例： ?- sudoku ([4,2,0,0]/[0,1,0,2]/[0,0,1,0]/[1,0,0,4], Solution). Solution = [[4,2,3,1]/[3,1,4,2]/[2,4,1,3]/[1,3,2,4]]

    標(biāo)簽： prolog 程式

    上傳時間： 2017-07-21

    上傳用戶：rocwangdp

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間： 2020-06-05

    上傳用戶：shancjb

  • ESD_Technology

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些 可靠度的問題。

    標(biāo)簽： ESD_Technology

    上傳時間： 2020-06-05

    上傳用戶：shancjb

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