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薄膜

薄膜是一種薄而軟的透明薄片。用塑料、膠粘劑、橡膠或其他材料制成。薄膜科學(xué)上的解釋為：由原子，分子或離子沉積在基片表面形成的2維材料。例：光學(xué)薄膜、復(fù)合薄膜、超導(dǎo)薄膜、聚酯薄膜、尼龍薄膜、塑料薄膜等等。薄膜被廣泛用于電子電器，機(jī)械，印刷等行業(yè)。

  • KAR高精薄膜貼片系列--KAT

    KAR高精薄膜貼片系列--KAT

    標(biāo)簽： KAR KAT 薄膜 貼片

    上傳時(shí)間： 2013-06-14

    上傳用戶：eeworm

  • 納米粒子與納米結(jié)構(gòu)薄膜

    納米粒子與納米結(jié)構(gòu)薄膜

    標(biāo)簽： 納米粒子 納米結(jié)構(gòu) 薄膜

    上傳時(shí)間： 2013-04-15

    上傳用戶：eeworm

  • 壓電薄膜的制備、結(jié)構(gòu)與應(yīng)用

    壓電薄膜的制備、結(jié)構(gòu)與應(yīng)用

    標(biāo)簽： 壓電 薄膜

    上傳時(shí)間： 2013-06-14

    上傳用戶：eeworm

  • 新型電子薄膜材料

    新型電子薄膜材料

    標(biāo)簽： 電子 材料 薄膜

    上傳時(shí)間： 2013-07-05

    上傳用戶：eeworm

  • 壓電薄膜的制備、結(jié)構(gòu)與應(yīng)用-167頁(yè)-3.2M.pdf

    專輯類-電子工藝-質(zhì)量及可靠性相關(guān)專輯-80冊(cè)-9020M 壓電薄膜的制備、結(jié)構(gòu)與應(yīng)用-167頁(yè)-3.2M.pdf

    標(biāo)簽： 167 3.2 壓電

    上傳時(shí)間： 2013-05-16

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  • 納米粒子與納米結(jié)構(gòu)薄膜-448頁(yè)-19.6M.pdf

    專輯類-微波相關(guān)專輯-共31冊(cè)-341M 納米粒子與納米結(jié)構(gòu)薄膜-448頁(yè)-19.6M.pdf

    標(biāo)簽： 19.6 448 納米粒子

    上傳時(shí)間： 2013-04-24

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  • KAR高精薄膜貼片系列-KAT.pdf

    專輯類-元器件樣本專輯-116冊(cè)-3.03G KAR高精薄膜貼片系列-KAT.pdf

    標(biāo)簽： KAR KAT 薄膜

    上傳時(shí)間： 2013-06-20

    上傳用戶：3233

  • 基于ARM的壓電薄膜軸的車輛動(dòng)態(tài)稱重系統(tǒng)嵌入式研究與設(shè)計(jì)

    WIM動(dòng)態(tài)稱重系統(tǒng)的研究對(duì)于保護(hù)公路的正常使用有著非常重要的經(jīng)濟(jì)利益和社會(huì)價(jià)值。針對(duì)我國(guó)公路WIM系統(tǒng)的研究現(xiàn)狀和存在的問題，提出了新的思路、解決辦法和改進(jìn)措施，用以提高整個(gè)WIM系統(tǒng)的各項(xiàng)性能指標(biāo)。 基于ARM的壓電薄膜軸的車輛動(dòng)態(tài)稱重系統(tǒng)的嵌入式研究與設(shè)計(jì)，致力于提高WIM系統(tǒng)精度等各項(xiàng)性能指標(biāo)，其采用了高新的軟硬件技術(shù)，是一個(gè)比較有研究意義的課題。 本文首先從分析稱重原理入手，提出了一個(gè)改進(jìn)的系統(tǒng)整體設(shè)計(jì)方案，在該方案的前提下，通過不斷地試驗(yàn)修改，搭建了一個(gè)基于Labview的現(xiàn)場(chǎng)模擬實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，為下一步研究和整個(gè)系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。本文所做的具體工作，概括起來有如下幾點(diǎn)： 第一，簡(jiǎn)要地介紹了基于壓電薄膜軸的WIM系統(tǒng)原理、影響因素以及課題研究的意義等； 第二，給出了系統(tǒng)整體設(shè)計(jì)方案，并設(shè)計(jì)了多個(gè)信號(hào)調(diào)理電路，諸如電荷放大電路，隔離電路以及濾波電路等； 第三，采用了32位的微處理器，并采用了一種比較完善的數(shù)據(jù)處理方法，提高了系統(tǒng)的軟硬件技術(shù)，在此基礎(chǔ)上研究設(shè)計(jì)了基于ARM-μgC/OS-Ⅱ的WIM嵌入式系統(tǒng)平臺(tái)，完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及操作系統(tǒng)移植； 最后，設(shè)計(jì)并實(shí)地進(jìn)行了一個(gè)新的試驗(yàn)，即基于LabVIEW8.2的數(shù)據(jù)采集卡的現(xiàn)場(chǎng)模擬試驗(yàn)，給出了試驗(yàn)結(jié)果和分析。該試驗(yàn)方便于測(cè)量與數(shù)據(jù)采集，可得到較為精準(zhǔn)的現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)，為后續(xù)的數(shù)據(jù)處理打下了基礎(chǔ)；

    標(biāo)簽： ARM 壓電 動(dòng)態(tài)稱重系統(tǒng) 薄膜

    上傳時(shí)間： 2013-07-29

    上傳用戶：源弋弋

  • 薄膜硅電池生產(chǎn)線面臨的挑戰(zhàn)

    　　薄膜硅電池生產(chǎn)線的問題 　　•設(shè)備投資過大 　　•技術(shù)升級(jí)過快 　　•生產(chǎn)工藝不成熟 　　•電池效率仍較低 　　•電池的長(zhǎng)期壽命有待驗(yàn)證(電池的穩(wěn)定性仍不好)

    標(biāo)簽： 薄膜硅電池 生產(chǎn)線

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶：ruan2570406

  • NIP型非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的研究

    采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。

    標(biāo)簽： NIP 非晶硅 薄膜太陽(yáng)能電池

    上傳時(shí)間： 2013-11-21

    上傳用戶：wanqunsheng

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