對于國內(nèi)金屬化電容器研究現(xiàn)狀進行闡述，并對電容器自愈性展開討論。
標簽： 薄膜電容器
上傳時間： 2022-02-09
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硬件工程師 電子工程師必備知識手冊關鍵字： 電阻 基礎知識 線繞電阻器 薄膜電阻器 實心電阻器 電阻 導電體對電流的阻礙作用稱著電阻，用符號 R 表示，單位為歐姆、千歐、兆歐， 分別用Ω、kΩ、MΩ 表示。 一、電阻的型號命名方法： 國產(chǎn)電阻器的型號由四部分組成（不適用敏感電阻） 第一部分：主稱 ，用字母表示，表示產(chǎn)品的名字。如 R 表示電阻，W 表示電位 器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成 碳膜、S-有機實心、N-無機實心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、 X-線繞。 第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個別類型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類 型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6- 精密、7-精密、8-高壓、 9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。 第四部分：序號，用數(shù)字表示，表示同類產(chǎn)品中不同品種，以
上傳時間： 2022-02-17
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按鍵-開關Altium Designer AD原理圖庫元件庫SV text has been written to file : 5.1 - 按鍵-開關.csvLibrary Component Count : 36Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------CSW-10P 10路編碼開關CSW-11P 11路編碼開關CSW-12P 12路編碼開關CSW-1P 1路編碼開關CSW-2P 2路編碼開關CSW-3P 3路編碼開關CSW-4P 4路編碼開關CSW-5P 5路編碼開關CSW-6P 6路編碼開關CSW-7P 7路編碼開關CSW-8P 8路編碼開關CSW-9P 9路編碼開關EC11 數(shù)字開關編碼器KCD1-101 1路單刀船型開關KFC 6X6 6*6自鎖開關KFC 7X7 7*7自鎖開關KFC 8X8 8*8自鎖開關KW01 微動開關LSI 12X12 1路單刀船型開關LSW 帶燈機械按鍵開關MICRO_SW 微動開關MTS-10x MTS10x系列3腳扭子開關PB6149L 6*6自鎖帶燈開關SSW-1P 1路波動開關SSW-2P 2路波動開關TS-027A 薄膜輕觸開關TS-030 防水輕觸開關TS-034 貼片輕觸開關TSW 3x6 3x6輕觸開關TSW DIP-12x12 直插12x12輕觸開關TSW DIP-2Pin-6x6 2腳直插6x6輕觸開關TSW DIP-6x6 直插6x6輕觸開關TSW DIP-6x6_V 側按直插6x6輕觸開關TSW SMD-12x12 貼片12x12輕觸開關TSW SMD-6x6 貼片6x6輕觸開關TTS 觸控彈簧
標簽： Altium Designer
上傳時間： 2022-03-13
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目前cPU+ Memory等系統(tǒng)集成的多芯片系統(tǒng)級封裝已經(jīng)成為3DSiP（3 Dimension System in Package，三維系統(tǒng)級封裝）的主流，非常具有代表性和市場前景，SiP作為將不同種類的元件，通過不同技術，混載于同一封裝內(nèi)的一種系統(tǒng)集成封裝形式，不僅可搭載不同類型的芯片，還可以實現(xiàn)系統(tǒng)的功能。然而，其封裝具有更高密度和更大的發(fā)熱密度和熱阻，對封裝技術具有更大的挑戰(zhàn)。因此，對SiP封裝的工藝流程和SiP封裝中的濕熱分布及它們對可靠性影響的研究有著十分重要的意義本課題是在數(shù)字電視（DTV）接收端子系統(tǒng)模塊設計的基礎上對CPU和DDR芯片進行芯片堆疊的SiP封裝。封裝形式選擇了適用于小型化的BGA封裝，結構上采用CPU和DDR兩芯片堆疊的3D結構，以引線鍵合的方式為互連，實現(xiàn)小型化系統(tǒng)級封裝。本文研究該SP封裝中芯片粘貼工藝及其可靠性，利用不導電膠將CPU和DDR芯片進行了堆疊貼片，分析總結了SiP封裝堆疊貼片工藝最為關鍵的是涂布材料不導電膠的體積和施加在芯片上作用力大小，對制成的樣品進行了高溫高濕試驗，分析濕氣對SiP封裝的可靠性的影響。論文利用有限元軟件 Abaqus對SiP封裝進行了建模，模型包括熱應力和濕氣擴散模型。模擬分析了封裝體在溫度循環(huán)條件下，受到的應力、應變、以及可能出現(xiàn)的失效形式：比較了相同的熱載荷條件下，改變塑封料、粘結層的材料屬性，如楊氏模量、熱膨脹系數(shù)以及芯片、粘結層的厚度等對封裝體應力應變的影響。并對封裝進行了濕氣吸附分析，研究了SiP封裝在85℃RH85%環(huán)境下吸濕5h、17h、55和168h后的相對濕度分布情況，還對SiP封裝在濕熱環(huán)境下可能產(chǎn)生的可靠性問題進行了實驗研究。在經(jīng)過168小時濕氣預處理后，封裝外部的基板和模塑料基本上達到飽和。模擬結果表明濕應力同樣對封裝的可靠性會產(chǎn)生重要影響。實驗結果也證實了，SiP封裝在濕氣環(huán)境下引入的濕應力對可靠性有著重要影響。論文還利用有限元分析方法對超薄多芯片SiP封裝進行了建模，對其在溫度循環(huán)條件下的應力、應變以及可能的失效形式進行了分析。采用二水平正交試驗設計的方法研究四層芯片、四層粘結薄膜、塑封料等9個封裝組件的厚度變化對芯片上最大應力的影響，從而找到最主要的影響因子進行優(yōu)化設計，最終得到更優(yōu)化的四層芯片疊層SiP封裝結構。
標簽： sip封裝
上傳時間： 2022-04-08
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TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)即薄膜晶體管液晶顯示器，是微電子技術與液晶顯示器技術巧妙結合的的一種技術。CRT顯示器的工作原理是通電后燈絲發(fā)熱，陰極被激發(fā)后發(fā)射出電子流，電子流受到高電壓的金屬層的加速，經(jīng)過透鏡聚焦形成極細的電子束打在熒光屏上，使熒光粉發(fā)光顯示圖像。LCD顯示器需要來自背后的光源，當光束通過這層液晶時，液晶會呈不規(guī)則扭轉形狀（形狀由TFT上的信號與電壓改變實現(xiàn)），所以液晶更像是一個個閘門，選擇光線穿透與否，這樣就可以在屏幕上看到深淺不一，錯落有致的圖像。目前主流的LCD顯示器都是TFT-LCD，是由原有液晶技術發(fā)展而來。TFT液晶為每個像素都設有一個半導體開關，以此做到完全的單獨控制一個像素點，液晶材料被夾在TFT陣列和彩色濾光片之間，通過改變刺激液晶的電壓值就可以控制最后出現(xiàn)的光線強度和色彩，
上傳時間： 2022-04-09
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文章針對800×600象素的 TFT LCD，介紹了LCD顯示原理、TFT元件特性、TFT-LCD的結構及驅(qū)動原理，重點進行了 TFT-LCD周邊驅(qū)動電路設計，包括柵（行）驅(qū)動電路和源〔列）驅(qū)動電路。柵驅(qū)動芯片，內(nèi)部主要包括邏輯控制電路、雙向移位寄存器、電平位移電路和4-Level輸出電路。本文設計了一種多模式工作的柵驅(qū)動電路，其中控制電路包含左右移位控制、輸入輸出控制、分段清零、工作模式選擇，且相互之間必須進行互相配合。可根據(jù)應用場合的不同，而選擇不同的工作模式。列驅(qū)動芯片，首先分析其工作原理，并對內(nèi)部兩個關鍵電路進行設計：并行輸入串行輸出電路和用于實現(xiàn)λ校正的DA變換電路。并采用兩種方式實現(xiàn)了DA轉換，一種是利用高低電壓組合；另一種是采用高低位譯碼電路來實現(xiàn)。在此基礎上，為了能夠降低列驅(qū)動芯片的功耗，對列驅(qū)動芯片的結構進行了改進，并對改進后的緩沖電路進行了設計，采用 Hspice對芯片內(nèi)部的模塊電路進行仿真，仿真結果表明，所設計的驅(qū)動芯片基本能夠滿足所需的要求，并對柵驅(qū)動電路進行版圖設計關鍵詞：TFT LCD電平位移柵驅(qū)動列驅(qū)動科學技術的發(fā)展日新月異，顯示技術也在發(fā)生一場革命，隨著顯示技術的突破及市場需求的急劇增長，使得以液晶顯示（LCD）為代表的平板顯示（FPD）技術迅速崛起。目前競爭最激烈的平板顯示器有四個品種：場致發(fā)射平板顯示器（FED）、等離子體平板顯示器（PDP）、薄膜晶體管液晶平板顯示器（TFT-ICD）和有機電致發(fā)光顯示器（OLED）。而由于 TFT-LCD在亮度、對比度、功耗、壽命、體積和重量等方面的優(yōu)勢，從而得到廣泛的關注和應用
上傳時間： 2022-04-22
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在各種顯示技術中，以液晶顯示器(LiquidCrystalDisplay)為代表的平板顯示器發(fā)展最快、應用最廣。而在高分辨率的液晶顯示器中，為了提高顯示畫面的質(zhì)量。人們在每個顯示像素上設計了一個非線性的有源薄膜晶體管(TFT―ThinFilmTransistor)來對每一個液晶像素進行獨立驅(qū)動。因此，這種液晶顯示器被稱為TFT-LCD。 本文利用蘇州友達光電有限公司提供的TFT液晶模塊和背光源逆變器，設計并制作了由可編程門陣列(FPGA―FieldProgrammableGateArray)和單片機控制的顯示系統(tǒng)。為此，首先深入分析了TFT-LCD的驅(qū)動原理，針對蘇州友達光電有限公司提供的低壓差分信號(LVDS―LowVoltageDifferentialSignaling)接口方式的液晶模塊，又進一步分析了LVDS接口信號原理。 在深入分析了液晶顯示器驅(qū)動原理和LVDS接口特性的基礎上，基于FPGA設計了控制顯示器行/場同步信號和顯示像素信號輸出LVDS接口的驅(qū)動電路，并采用高性價比的FPGA芯片EP1C3T144和LVDS發(fā)送器芯片DS90C387制作和調(diào)試了相應的電路。 同時，蘇州友達光電有限公司為液晶顯示模塊的CCFL(ColdCathodeFluorescentLamp)背光源提供一塊逆變器。針對該逆變器，本文設計了基于單片機、D/A轉換器和三端可調(diào)穩(wěn)壓電源模塊的輸出可調(diào)的直流穩(wěn)壓電源來控制逆變器的工作，從而實現(xiàn)了對背光源亮暗的調(diào)節(jié)。該電源電路能將輸出的電壓值的大小用數(shù)碼管實時的顯示出來。 經(jīng)過實際調(diào)試運行，本文設計的LVDS接口的TFT液晶顯示模塊驅(qū)動電路，和單片機控制的直流穩(wěn)壓可調(diào)電源，能夠有效驅(qū)動TFT-LCD，并控制其像素的顯示。
上傳時間： 2022-05-31
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1引言有要發(fā)光二極管（OLED）具有低驅(qū)動電壓、寬溫工作、主動發(fā)光、響應速度快和視角寬等優(yōu)點]，其作為全彩顯示器件，與LCD相比，具有更簡單的工藝和更低的成本。近年，單色和局域色的OLED顯示屏已有較多報道~1，并推出了全彩OLED顯示屏~9]。本文研制了尺寸為1.9、分辨率為128（×3）×160的全彩OLED屏。在目前報道的同等或以下尺寸的采用無源矩陣（PM）驅(qū)動的全彩OLED屏中，該屏的分辨率處于較高水平。2全彩OLED屏2.1全彩技術的實現(xiàn)圖1是5種實現(xiàn)全彩OLED顯示屏技術的示意圖。本文采用（a）所示的平面結構式，每個全彩像素包括紅、綠和藍3個子像素，利用空間混色實現(xiàn)彩色。這種技術的難點是在制作全彩OLED時，需要將紅、綠和藍OLED的發(fā)光層（EML）材料分隔開01。屏的最高分辨率不僅受限于機械掩模制作的公差，還受限于在器件制作工藝過程中機械掩模與ITO基板玻璃的對準誤差。2.2P-OLED屏的驅(qū)動技術OLFD屬于電流型器件，其發(fā)光亮度與驅(qū)動電流成正比，故OLED均采用恒流源驅(qū)動。由于OLED自身較高的寄生電容（20~30pF/pixel）和ITO電極引線的電阻（幾～幾109/口形成的電壓降，對恒流源的性能提出了較高的要求，例如可提供高達~30V的電壓。為了實現(xiàn)多灰度顯示，電流必須可程控。lare公司為了精確控制每個OLED子像素的發(fā)光亮度，提出了預充電方案]。根據(jù)有無開關和驅(qū)動薄膜晶體管的存在，可將矩陣式OLED的驅(qū)動可分為P10l和有源矩陣AM112種。PM驅(qū)動的顯示器件由于制作工藝比AM要簡單得多，且成本低廉，故在小尺寸的顯示器件上得到了廣泛應用。PM驅(qū)動電路如圖2所示。
標簽： oled
上傳時間： 2022-06-24
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觸摸控制技術又可分為觸摸屏（Touch Screen）技術和觸摸按鍵（TouchKey）技術.在觸摸按鍵技術方面，目前主要可分為電阻式觸摸按鍵與電容式感應按鍵.由于電阻式的觸摸按鍵需要在設備表面貼一張觸摸電阻薄膜，其耐用性較低"；而電容感應按鍵技術具有在非金屬操作面板上無須開孔處理、防水防污、易清潔、無機械開關磨損而壽命長等優(yōu)點.近幾年隨著蘋果公司將電容觸摸感應技術從筆記本電腦引用到iPod后，電容觸摸感應熱浪正席卷幾乎所有電子產(chǎn)品，從筆記本電腦、智能電話、PDA、游戲機等手持設備，到LCDTV、DVD等消費電子產(chǎn)品，再到洗衣機、空調(diào)、冰箱、熱水器、電磁爐以及咖啡壺等大小家電，無不以加入電容觸摸感應為新的賣點[l.目前，世界知名電子元件供應商均加大了對電容觸摸按鍵的應用研究，并推出眾多的專業(yè)芯片，有專用電容感應按鍵類的全ASIC，也有眾多基于MCU集成類的IC.但這些芯片價格較高，在一些按鍵數(shù)量少、成本要求低的電路中很難得到運用.另外，使用這些集成類IC，很難做到所選資源恰好等于使用的情況，存在資源的浪費情況.而且對于升級成熟產(chǎn)品的機械式按鍵，還存在變更原MCU代碼的風險.同時，目前，對于電容式觸摸按鍵的介紹大多也停留在基于電容量測量的原理上1筆者結合電容感應按鍵的原理，設計了一種用MCU的A/D口實現(xiàn)電容觸摸按鍵的低成本電路
上傳時間： 2022-06-24
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本書是納米氧化鈦光催化材料及應用的一個專著。書中從氧化鈦晶體結構和光催化基本原理入手，深入淺出地討論了納米氧化鈦品晶相、能帶結構和譜學特性等多種與材料及光催化活性密切相關的科學問題。用較多篇幅介紹了多種制備氧化鈦納米晶薄膜、介孔材料上修飾氧化認納米晶、骨架為結晶態(tài)的氧化鈦及氧化鈦復合光催化材料的方法以及如何通過控制合成條件制備高活性氧化鈦光催化材料。書中還結合實例介紹了光催化技術及氧化仗光催化材料在污水處理窄氣凈化、太陽能利用抗菌防霧、自清潔功能等方面的應用技術。本書對從事納米氧化怯光催化材料制備和應用研究的科技工作者有重要參考價值。
標簽： 光催化材料
上傳時間： 2022-07-10
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