磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎上，還實現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時間： 2013-12-15
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PSEHO智能微水儀 產(chǎn)品概述： PSEHO智能微水儀采用世界先進的傳感器技術、英國ALPHA公司最新的傳感器，它采用DRYCAP-薄膜傳感技術，復和薄膜 濕敏材料，擁有三項世界專利。聚酯薄膜式的探頭DRYCAP?？估淠?、抗灰塵顆粒、不受汽油和大多數(shù)氣體影響。 技術指標： 微水范圍: -60～＋20℃、精度:±1℃ 響應時間: （＋20℃）-60～＋20℃、5s（63%）45s（90%）20～-60℃、10s（63%）240s（90%） 流量范圍: 0～1升/分鐘 電 源: 交、直流兩用
標簽： PSEHO
上傳時間： 2013-11-05
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本文對于電容的常見參數(shù)計算進行了詳解,另外對于電路中電容的故障進行了分析說明,以便大家參考及預防問題的發(fā)生.
上傳時間： 2013-10-27
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大多數(shù)設計人員一般都很熟悉現(xiàn)有的各種電容。但是，電容種類繁多，包括玻璃電容、鋁箔電容、固態(tài)鉭和鉭箔電容、銀云母電容、陶瓷電容、特氟龍電容，以及聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯和聚丙烯類型的薄膜電容等，因此精密電路設計中發(fā)生靜態(tài)和動態(tài)誤差的機制很容易被忘記。
標簽： 無源元件
上傳時間： 2013-10-13
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蟻群算法上傳一個文件這么復雜?。可陂L期進化過程中，積累了很多新奇的功能，人類很早就從中得到啟發(fā)而改進自己的工具，如史書中記戴“見蓬轉而做車輯”，傳說魯班被茅葦劃破，而發(fā)明鋸子……也許早先的發(fā)明,只是偶然的模仿和發(fā)現(xiàn),后來人們已有意識地進行這方面的研究,這就是“仿生學”。仿生學顧名思義就是模仿生物的某些功能的學問。有名的例子很多，如模仿海豚皮而構造的“海豚皮游泳衣”、科學家研究鯨魚的皮膚時，發(fā)現(xiàn)其上有溝漕的結構，于是有個科學家就依照鯨魚皮構造，造成一個薄膜蒙在飛機的表面，據(jù)實驗可節(jié)約能源3%，若全國的飛機都蒙上這樣的表面，每年可節(jié)約幾十億。又如有科學家研究蜘蛛，發(fā)現(xiàn)蜘蛛的腿上沒有肌肉，有腳的動物會走，主要是靠肌肉的收縮，現(xiàn)在蜘蛛沒有肌肉為什么會走路？經(jīng)研究蜘蛛不是靠肌肉的收縮進行走路的，而是靠其中的“液壓”的結構進行走路，據(jù)此人們發(fā)明了液壓步行機……總之,從自然界得到啟迪, 模仿其結構進行發(fā)明創(chuàng)造.這就是仿生學. 這是我們向自然界學習的一個方面.另一方面,我們還可以從自然的規(guī)律中得到啟迪,利用其原理進行設計(包括設計算法),這就是智能計算的思想.
上傳時間： 2014-01-21
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擴散集聚（DLA）模型，模擬分形，或薄膜生長
上傳時間： 2014-01-25
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用于采集PVDF壓電薄膜，壓電信號的電路圖
上傳時間： 2017-03-20
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中國振華集團云科電子有限公司 振華云科擁有從日本、美國等國家引進的先進自動化生產(chǎn)線，片式電阻器年產(chǎn)能達100多億只，建立了完善的進料檢驗、過程檢驗、出貨檢驗等檢測手段。主要產(chǎn)品涉及RMK1005、RMK1608、RMK2012、RMK3216、RMK3225、RMK5025、RMK6332型片式膜電阻器，RNK5084、RNK5085、RNK5086、RN5161、RN5101R、RN5102R、RN5103D、RN5041、RN5042型片式膜電阻網(wǎng)路，RM3263-3W、RM6332-4W、RM6363-6W大功率片式電阻器，RM6363型片式厚膜火工品電阻器，熔斷器，PPTC熱敏電阻器（PPTC可恢復保險絲），CEP系列靜電抑制器，單層片式瓷介電容器，微帶薄膜濾波器，電子漿料，貴金屬粉體等。振華云科先后向航空、航天、船舶、兵器、核工業(yè)、電子等領域提供上億只產(chǎn)品，被多家用戶評為優(yōu)秀供應商。
標簽： 產(chǎn)品手冊 振華 云科 電阻 熔斷器 芯片電容 溫補衰減器
上傳時間： 2018-04-16
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直流支撐電容器，又稱DC-Link電容器。直流支撐電容器，屬于無源器件的一種。直流支撐電容器，現(xiàn)主要采用聚丙烯薄膜介質直流支撐電容器，其具有耐電壓高、耐電流大、低阻抗、低電感、容量損耗小、漏電流小、溫度性能好、充放電速度快、使用壽命長(約10萬小時)、安全防爆穩(wěn)定性好、無極性安裝方便等優(yōu)點。被廣泛應用于電力電子行業(yè)
上傳時間： 2019-06-16
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半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN、SiC）材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料。四探針技術要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測量技術，對樣品形狀沒有要求， 且不需要測量樣品所有尺寸， 但需滿足以下四個條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質和各向同性的。? 所有四個觸點必須位于樣品的邊緣。
上傳時間： 2022-01-03
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