PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
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上傳時(shí)間： 2013-11-17
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LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時(shí)間： 2013-10-29
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ELT-2131絕緣油介電強(qiáng)度測(cè)定儀簡(jiǎn)述
標(biāo)簽： 2131 ELT 絕緣油介 度測(cè)定儀
上傳時(shí)間： 2013-10-12
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電容器及介質(zhì)種類： ※高頻類： 此類介質(zhì)材料的電容器為Ⅰ類電容器，包括通用型高頻COG、COH電容器和溫度補(bǔ)償型高頻HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器。其中COG、COH電容器電性能最穩(wěn)定，幾乎不隨溫度、電壓和時(shí)間的變化而變化，適用于低損耗，穩(wěn)定性要求高的高頻電路，HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器容量隨溫度變化而相應(yīng)變化，適用于低損耗、溫度補(bǔ)償型電路中。 ※ X7R、X5R：此類介質(zhì)材料的電容器為Ⅱ類電容器，具有較高的介電常數(shù)，容量比Ⅰ類電容器高，具有較穩(wěn)定的溫度特性，適用于容量范圍廣，穩(wěn)定性要求不高的電路中，如隔直、耦合、旁路、鑒頻等電路中。 ※Y5V：此類介質(zhì)材料的電容器為Ⅱ類電容器，是所有電容器中介電常數(shù)最大的電容器，但其容量穩(wěn)定性較差，對(duì)溫度、電壓等條件較敏感，適用于要求大容量，溫度變化不大的電路中。 ※Z5U：此類介質(zhì)材料的電容器為Ⅱ類電容器，其溫度特性介于X7R和Y5V之間，容量穩(wěn)定性較差，對(duì)溫度、電壓等條件較敏感，適用于要求大容量，使用溫度范圍接近于室溫的旁路，耦合等，低直流偏壓的電路中。
標(biāo)簽： 風(fēng)華 產(chǎn)品承認(rèn)書
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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瓷介電容及膽電容知識(shí)。
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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RAID技術(shù)的詳解資料
標(biāo)簽： RAID
上傳時(shí)間： 2014-01-16
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C語(yǔ)言標(biāo)準(zhǔn)文檔.
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JPEG-MPEG編解碼技術(shù)書集的代碼
標(biāo)簽： JPEG-MPEG
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J2ME開(kāi)發(fā)指南,技術(shù)大匯總
標(biāo)簽： J2ME 開(kāi)發(fā)指南
上傳時(shí)間： 2015-02-01
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簡(jiǎn)單的JAVA STRUTS結(jié)構(gòu)留言簿,功能強(qiáng)大..支持多用戶.瀏覽:http://guestbook.strongd.net/?name=strong
標(biāo)簽： guestbook strongd STRUTS strong
上傳時(shí)間： 2015-02-05
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