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視頻圖像序列

傳輸線與電路觀點詳解

•1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問題的時域分析 •1-3 正弦狀的行進波 •1-4 傳輸線問題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配

標簽： 傳輸線電路

上傳時間： 2013-10-21

上傳用戶：fhzm5658
IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2013-11-04

上傳用戶：372825274
成像系統二維轉臺控制部分解決方案

成像系統二維轉臺控制部分解決方案

標簽： 成像系統二維分解轉臺控制

上傳時間： 2013-10-12

上傳用戶：michael20
微電腦型單相交流集合式電表（單相二線系統）

微電腦型單相交流集合式電表（單相二線系統）特點：精確度0.25%滿刻度±1位數可同時量測與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數點可任意設定瓦特單位W或KW可任意設定 CT比可任意設定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強度4仟伏特(1.2x50us) 數位RS-485界面 (Optional) 主要規格：精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協議: Modbus RTU mode 溫度系數: 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

標簽： 微電腦單相交流單相電表

上傳時間： 2015-01-03

上傳用戶：幾何公差
基于Opencv的運動目標的檢測和跟蹤

檢測運動物體需要無運動物體的背景圖像，所以，首先應用多幀像素平均值法提取了運動視頻序列的背景圖，從背景圖像中分離目標像素，獲取目標的質心坐標，并應用質心跟蹤法以灰色圖像序列為基礎，對運動的目標進行實時檢測和跟蹤。質心跟蹤法的目標位置通過質點的中心來確定，該算法計算簡單，計算量小，其穩定性與精度主要取決于序列圖像的分割及其閥值的確定情況。文中給出了用Opencv實現算法的具體過程和關鍵代碼，并且設計了跟蹤運動車輛的控制界面，方便了實時監控。實驗結果表明，該方法可以實現視頻序列中運動目標的識別，具有實時性、并能給出較好的識別效果。

標簽： Opencv 運動目標檢測

上傳時間： 2013-11-12

上傳用戶：蟲蟲蟲蟲蟲蟲
激光三維成像技術及其主要應用

闡述了目前三維成像在其常見應用領域中的研究，主要致力于研究高分辨率三維成像系統。三維激光成像是一項可以應用于探測隱藏目標、地形測繪、構建虛擬環境、城市建模、目標識別等領域中的技術。在區域成像技術中，除了如立體視覺和結構化燈光等更常規的技術，實時三維傳感也具有現實可操作性。當前三維激光成像技術已經發展到有能力提供厘米級波長的高分辨率三維成像，這將給許多領域提供方便，包括法律的實施和法醫調查。與CCD和紅外技術等傳統的被動成像系統相比，激光成像技術不僅能提供強度和范圍信息，還能穿透植被和窗戶等特定情景元素。這意味著激光三維成像系統在目標識別與辨認等方面具備新的潛力。結果表明，激光三維成像系統可以在許多情況下得到應用。

標簽： 激光三維成像

上傳時間： 2013-10-31

上傳用戶：wushengwu
基于波包提取技術的傳感器組設計二維成像技術

針對大型構件內部微損傷難以及時發現排除，給生活生產造成安全隱患的現狀，基于波包提取技術，利用波包的虛擬時間逆傳播，設計了一種新的傳感器陣列，并在理論上推導了該傳感器陣列二維成像的運算公式，最后利用MATLAB編程模擬仿真了用該傳感器陣列進行無損檢測時的二維成像結果，結果表明其成像結果的綜合精度可以達到98.7%，因此用該傳感器陣列進行大型構件內部微損傷的探測對于發現安全隱患、排除安全隱患具有重大的指導意義。

標簽： 提取技術傳感器二維成像技術

上傳時間： 2013-11-12

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LabVIEW是否能像C語言一樣？

LabVIEW是否能像C語言一樣？

標簽： LabVIEW C語言

上傳時間： 2013-10-22

上傳用戶：fhjdliu
站點映像程序

站點映像程序

標簽： 站點映像程序

上傳時間： 2014-01-25

上傳用戶：nairui21
站點映像程序

站點映像程序

標簽： 站點映像程序

上傳時間： 2014-08-01

上傳用戶：jackgao