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觸摸開(kāi)關(guān)(guān)

  • Allegro 用戶手冊I

    本書所要介紹的就是Cadence 公司所出品的Allegro Layout 軟件工具,書中每\r\n個章節(jié)的出現(xiàn)順序系按照實際的電路板設(shè)計流程而編排,而每一個章節(jié)又按照下\r\n列的方式編排,以期讓使用者可以較快地進入使用狀況

    標(biāo)簽: Allegro 用戶手冊

    上傳時間: 2013-09-05

    上傳用戶:13162218709

  • <快學(xué)易用Protel99se>\r\n

    \r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程,孫輝著北京郵電大學(xué)出版社出版

    標(biāo)簽: Protel 99 se

    上傳時間: 2013-09-11

    上傳用戶:Yukiseop

  • Allegro SPB V15.2 版新增功能

    15.2 已經(jīng)加入了有關(guān)貫孔及銲點的Z軸延遲計算功能. 先開啟 Setup - Constraints - Electrical constraint sets  下的 DRC 選項.  點選 Electrical Constraints dialog box 下 Options 頁面 勾選 Z-Axis delay欄. 

    標(biāo)簽: Allegro 15.2 SPB

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:王慶才

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR,不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)

    標(biāo)簽: THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間: 2014-01-22

    上傳用戶:魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    標(biāo)簽: MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計

    上傳時間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • 采用歸零法的N進制計數(shù)器原理

    計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ),用歸零法設(shè)計N進制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進制計數(shù)器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進制計數(shù)的功能?;诩捎嫈?shù)器的N進制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽: 歸零法 N進制計數(shù)器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • 高增益K波段MMIC低噪聲放大器

      基于0.25gm PHEMT工藝,給出了兩個高增益K 波段低噪聲放大器.放大器設(shè)計中采用了三級級聯(lián)增加?xùn)艑挼碾娐方Y(jié)構(gòu),通過前級源極反饋電感的恰當(dāng)選取獲得較高的增益和較低的噪聲;采用直流偏置上加阻容網(wǎng)絡(luò),用來消除低頻增益和振蕩;三級電路通過電阻共用一組正負電源,使用方便,且電路性能較好,輸入輸出駐波比小于2.0;功率增益達24dB;噪聲系數(shù)小于3.5dB.兩個放大器都有較高的動態(tài)范圍和較小的面積,放大器ldB壓縮點輸出功率大于15dBm;芯片尺寸為1mm×2mm×0.1mm.該放大器可以應(yīng)用在24GHz汽車雷達前端和26.5GHz本地多點通信系統(tǒng)中.

    標(biāo)簽: MMIC 增益 低噪聲放大器 波段

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:masochism

  • 在單端應(yīng)用中采用差分I/O放大器

      Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.

    標(biāo)簽: 單端應(yīng)用 差分 放大器

    上傳時間: 2013-11-23

    上傳用戶:rocketrevenge

  • 簡述PCB線寬和電流關(guān)系

      PCB線寬和電流關(guān)系公式   先計算Track的截面積,大部分PCB的銅箔厚度為35um(即 1oz)它乘上線寬就是截面積,注意換算成平方毫米。 有一個電流密度經(jīng)驗值,為15~25安培/平方毫米。把它稱上截面積就得到通流容量。   I=KT(0.44)A(0.75), 括號里面是指數(shù),   K為修正系數(shù),一般覆銅線在內(nèi)層時取0.024,在外層時取0.048   T為最大溫升,單位為攝氏度(銅的熔點是1060℃)   A為覆銅截面積,單位為square mil.   I為容許的最大電流,單位為安培。   一般 10mil=0.010inch=0.254mm 1A , 250mil=6.35mm 8.3A ?倍數(shù)關(guān)系,與公式不符 ?  

    標(biāo)簽: PCB 電流

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:ls530720646

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