8位加法器和減法器設計實習報告
上傳時間: 2013-10-22
上傳用戶:sjyy1001
十六位模數轉換器AD7705+及其應用
上傳時間: 2013-10-12
上傳用戶:refent
PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD,一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點),其原則如下:1. 一般測試點大小均為30-35mil,元件分布較密時,測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setuppadsstacks
上傳時間: 2013-10-22
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Hyperlynx仿真應用:阻抗匹配.下面以一個電路設計為例,簡單介紹一下PCB仿真軟件在設計中的使用。下面是一個DSP硬件電路部分元件位置關系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設計),其中DRAM作為DSP的擴展Memory(64位寬度,低8bit還經過3245接到FLASH和其它芯片),DRAM時鐘頻率133M。因為頻率較高,設計過程中我們需要考慮DRAM的數據、地址和控制線是否需加串阻。下面,我們以數據線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面,我們開始導入主芯片DSP的數據線D0腳模型。左鍵點芯片管腳處的標志,出現未知管腳,然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對應管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術論壇 http://www.elecfans.com 電子發燒友點OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣,一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數據線對應管腳和3245的對應管腳IBIS模型加上(DSP輸出,3245高阻,DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點DSP芯片腳相連的傳輸線,增添傳輸線,然后右鍵編輯屬性。因為我們使用四層板,在表層走線,所以要選用“Microstrip”,然后點“Value”進行屬性編輯。這里,我們要編輯一些PCB的屬性,布線長度、寬度和層間距等,屬性編輯界面如下:再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠直線間距1.4inch,對線長為1.7inch)。現在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點加示波器探頭了,按照下圖紅線所示路徑為各測試點增加探頭:為發現更多的信息,我們使用眼圖觀察。因為時鐘是133M,數據單沿采樣,數據翻轉最高頻率為66.7M,對應位寬為7.58ns。所以設置參數如下:之后按照芯片手冊制作眼圖模板。因為我們最關心的是接收端(DRAM)信號,所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊的輸入需求設計。芯片手冊中要求輸入高電平VIH高于2.0V,輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個NOTE里指出,芯片可以承受最高5.6V,最低-2.0V信號(不長于3ns):按下邊紅線路徑配置眼圖模板:低8位數據線沒有串阻可以滿足設計要求,而其他的56位都是一對一,經過仿真沒有串阻也能通過。于是數據線不加串阻可以滿足設計要求,但有一點需注意,就是寫數據時因為存在回沖,DRAM接收高電平在位中間會回沖到2V。因此會導致電平判決裕量較小,抗干擾能力差一些,如果調試過程中發現寫RAM會出錯,還需要改版加串阻。
上傳時間: 2013-11-05
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針對模塊電源的發展趨勢和有源鉗位電路的工作原理,研究了一種采用磁放大技術和固定伏特秒控制技術的有源鉗位正激軟開關電路,并對該電路的工作過程進行了詳細的理論分析。在此基礎上,設計了一款25 W的電源樣機。經過測試,驗證了該理論分析的正確性,在整個負載范圍內完全實現了主開關管和鉗位開關管的軟開關變換,軟開關實現的條件不依賴于變壓器的參數。在采用肖特基二極管整流的情況下,滿載輸出的轉換效率在89%以上。
上傳時間: 2013-11-04
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本設計要點介紹了兩款能夠增加太陽能電池板接收能量的簡單電路。在這兩款電路中,均由太陽能電池板給電池充電,再由電池在沒有陽光照射的情況下提供應用電路運作所需的電源。
上傳時間: 2013-11-16
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C2000™ MCU 系列采用了 32 位架構、先進的外圍電路和模擬集成,可在多種應用中實現完美的性能和實時控制。獨特且功能齊全的外圍電路包括一個無以倫比的單片 12.5-MSPS ADC、高分辨率 PWM、增強型捕獲單元等等。根據對系統的限制,如最低的待機電流、成本要求或最小的解決方案尺寸需求,TI 提供最佳的產品為使用 C2000 MCU 的系統提供支持。
上傳時間: 2013-10-27
上傳用戶:yepeng139
【摘要】電力直流系統是變電站安全運行的基礎,隨著變電站數字化、智能化程度的不斷提高,對站用電源的管理也提出了新的、更高的要求。而管理的的基礎,就是設備能準確、高速的反應當前設備的電壓、電流、開關狀態等信息。做到設備不死機,不停機,干擾不誤報等。隨著微電子技術、計算機和通訊技術的飛速發展,新器件的研制、生產周期的日益縮短。為了滿足工業自動化,新技術、新器件不斷應用到新產品中。模擬量采集包括直流電壓和電流。開關量采集包括開關的分合,繼電器的投入切除等。
上傳時間: 2013-11-02
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鉗位分析小結
上傳時間: 2013-12-25
上傳用戶:一天睡三次
設計時需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個可控矽整流器(SCR),結合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護。
上傳時間: 2013-11-11
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