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訪問(wèn)

  • 一個旅行者有一個最多能用m公斤的背包

    一個旅行者有一個最多能用m公斤的背包,現在有n件物品,它們的重量分別是W1,W2,...,Wn,它們的價值分別為C1,C2,...,Cn.若每種物品只有一件求旅行者能獲得最大總價值。

    標簽: 旅行

    上傳時間: 2017-01-23

    上傳用戶:奇奇奔奔

  • Programming the Microsoft Windows driver model繁中版 透過Windows驅動程式的權威們專業的協助

    Programming the Microsoft Windows driver model繁中版 透過Windows驅動程式的權威們專業的協助,學習如何使用簡易的方式來撰寫Windows驅動程式。 Microsoft WDM支援隨插即用(PnP)功能,提供了電源管理能力,並詳述撰寫驅動程式/迷你驅動程式的方法。這本由長時間接觸裝置驅動程式的專家Walter Oney 與Windows核心小組共同合作的書提供了大量很實用的例子、圖表、建議,並一行一行分析範例的程式碼,好讓您能夠清楚了解實際上在撰寫驅動程式時所會發生的問題。另外亦更新了Windows XP及Windows 2000的最新驅動程式技術,又告訴您如何除錯。

    標簽: Windows Programming Microsoft driver

    上傳時間: 2014-01-19

    上傳用戶:cjl42111

  • 二元搜尋樹簡單易懂

    二元搜尋樹簡單易懂,不過有一個問題:它並非平衡樹。本章將介紹平衡的 AVL 搜尋樹,討論它的資料結構、函式,並設計程式使用它。

    標簽: 二元

    上傳時間: 2017-05-30

    上傳用戶:yzy6007

  • 哈夫曼樹又稱最優二叉樹

    哈夫曼樹又稱最優二叉樹,是一種帶權路徑長度最短的二叉樹。所謂樹的帶權路徑長度,就是樹中所有的葉結點的權值乘上其到根結點的路徑長度(若根結點為0層,葉結點到根結點的路徑長度為葉結點的層數)。樹的帶權路徑長度記為WPL=(W1*L1+W2*L2+W3*L3+...+Wn*Ln),N個權值Wi(i=1,2,...n)構成一棵有N個葉結點的二叉樹,相應的葉結點的路徑長度為Li(i=1,2,...n)。可以證明哈夫曼樹的WPL是最小的。

    標簽: 二叉樹

    上傳時間: 2017-06-09

    上傳用戶:wang5829

  • vbsql學習源碼

    vbsql學習源碼,適合一般初學者,如有問題,麻煩請指教一下

    標簽: vbsql

    上傳時間: 2017-07-04

    上傳用戶:himbly

  • 這是個prolog程式

    這是個prolog程式,能解決4x4的數獨問題 例: ?- sudoku ([4,2,0,0]/[0,1,0,2]/[0,0,1,0]/[1,0,0,4], Solution). Solution = [[4,2,3,1]/[3,1,4,2]/[2,4,1,3]/[1,3,2,4]]

    標簽: prolog 程式

    上傳時間: 2017-07-21

    上傳用戶:rocwangdp

  • 包含一些大眾化的數學題目

    包含一些大眾化的數學題目,比如說buffon丟針問題、dijkstra的三色旗問題、找零錢問題、背包問題、無限位數的整數運算、最短路徑問題...

    標簽:

    上傳時間: 2014-01-05

    上傳用戶:athjac

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發展出所謂 Salicide 製程

    標簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

  • ESD_Technology

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程 的演進,元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些 可靠度的問題。

    標簽: ESD_Technology

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

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