PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setuppadsstacks
上傳時間： 2013-10-22
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LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用............ 2 3. 基準點 (光學點) -for SMD:........... 4 4. 標記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項 (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設計............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時間： 2013-12-20
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高速PCB設計指南之（一~八 ）目錄 2001/11/21 一、1、PCB布線2、PCB布局3、高速PCB設計 二、1、高密度（HD）電路設計2、抗干擾技術3、PCB的可靠性設計4、電磁兼容性和PCB設計約束 三、1、改進電路設計規程提高可測性2、混合信號PCB的分區設計3、蛇形走線的作用4、確保信號完整性的電路板設計準則 四、1、印制電路板的可靠性設計 五、1、DSP系統的降噪技術2、POWERPCB在PCB設計中的應用技術3、PCB互連設計過程中最大程度降低RF效應的基本方法 六、1、混合信號電路板的設計準則2、分區設計3、RF產品設計過程中降低信號耦合的PCB布線技巧 七、1、PCB的基本概念2、避免混合訊號系統的設計陷阱3、信號隔離技術4、高速數字系統的串音控制 八、1、掌握IC封裝的特性以達到最佳EMI抑制性能2、實現PCB高效自動布線的設計技巧和要點3、布局布線技術的發展 注：以上內容均來自網上資料，不是很系統，但是對有些問題的分析還比較具體。由于是文檔格式，所以缺圖和表格。另外，可能有小部分內容重復。
上傳時間： 2014-05-15
上傳用戶：wuchunzhong
半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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針對模塊電源的發展趨勢和有源鉗位電路的工作原理，研究了一種采用磁放大技術和固定伏特秒控制技術的有源鉗位正激軟開關電路，并對該電路的工作過程進行了詳細的理論分析。在此基礎上，設計了一款25 W的電源樣機。經過測試，驗證了該理論分析的正確性，在整個負載范圍內完全實現了主開關管和鉗位開關管的軟開關變換，軟開關實現的條件不依賴于變壓器的參數。在采用肖特基二極管整流的情況下，滿載輸出的轉換效率在89%以上。
上傳時間： 2013-11-04
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在RC橋式正弦波振蕩電路的研究中，一般文獻只給出電路的振蕩條件、起振條件、振蕩頻率等技術指標，而不涉及電路輸出幅值的大小。本文通過理論分析、Multisim仿真實驗測試，研究了決定電路輸出幅值的因素，即輸出電壓的幅值與電路起振時電壓放大倍數的大小有關，在電路的線性工作范圍內，起振時電壓放大倍數比3大得越多，最后的穩定輸出電壓幅值也越大。研究結論有利于系統地研究振蕩電路的構成及電路元件參數的選擇。
上傳時間： 2013-11-03
上傳用戶：潛水的三貢
利用單片機MSP430F449設計寬帶直流放大器。采用單片機MSP430F449作為寬帶直流放大器的控制芯片，利用三級放大器級聯的形式實現對輸入小信號的放大。其中MSP430F449 單片機來控制雙路數模轉換器TLV5638實現AD603的程控增益調節和整體后級放大模塊引入的直流的軟件補償，并利用OPA847作為固定增益放大器。通過實驗數據證明整個系統輸出穩定，性能良好。該系統具有可行性和實用性。
上傳時間： 2013-11-07
上傳用戶：xinzhch
針對開關電源中的整流電路和其本身的非線性負載特性產生大量諧波污染公共電網問題，提出了一種高功率因素校正電路。采用英飛凌（Infineon）公司的CCM控制模式功率因素校正芯片ICE2PCS01控制驅動MOSFET開關管，并與升壓電感、輸出電容等組成Boost拓撲結構，輸入電流與基準電流比較后的誤差電流經過放大，再與PWM波比較，得到開關管驅動信號，快速而精確地使輸入電流平均值與輸入整流電壓同相位，接近正弦波。結果表明，該電路方案能大大減小輸入電流的諧波分量，在AC176V-264V的寬電壓輸入范圍內得到穩定的DC380V輸出，功率因素高達0.98。
上傳時間： 2014-01-25
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。
上傳時間： 2014-12-03
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DETSC/0.4系列可控硅無功補償裝置是一種動態跟蹤補償的新型電子式無觸點可控硅電容投切裝置，利用大功率晶閘管組成低壓雙向可控硅交流無觸點開關，可實現對多級電容器組的快速過零投切。在TSC裝置電容器支路中串聯適當的電感，可有效防止諧波放大、吸收部分諧波電流，起到諧波抑制的作用。同時該系列裝置采用三相獨立的控制技術有效解決了三相不平衡沖擊負荷補償的技術難題 ，裝置響應時間小于20 ms，實現功率因數補償至0.9以上的目的。是無功補償領域中的升級換代產品。主要適用于工礦企業、石油、汽車、造船、發電廠、變電站、鋼鐵、冶金、化工、建筑、通信醫院機場等負荷頻繁變化的場所。
上傳時間： 2013-10-18
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