專(zhuān)輯類(lèi)-電子基礎(chǔ)類(lèi)專(zhuān)輯-153冊(cè)-2.20G 圖解OP放大器應(yīng)用技巧100例-松井-219頁(yè)-19.2M.pdf
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專(zhuān)輯類(lèi)-電子基礎(chǔ)類(lèi)專(zhuān)輯-153冊(cè)-2.20G 基于運(yùn)算放大器和模擬集成電路的電路設(shè)計(jì)-習(xí)題答案-11.6M-pdf.zip
標(biāo)簽： M-pdf 11.6 zip 運(yùn)算放大器
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專(zhuān)輯類(lèi)-測(cè)試技術(shù)專(zhuān)輯-134冊(cè)-1.93G 儀表放大器應(yīng)用工程師指南-108頁(yè)-2.9M.pdf
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專(zhuān)輯類(lèi)-測(cè)試技術(shù)專(zhuān)輯-134冊(cè)-1.93G 放大器參數(shù)測(cè)試儀設(shè)計(jì)-49頁(yè)-0.4M.pdf
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正交頻分復(fù)用(OFDM)技術(shù)由于具有頻譜利用率高、抗多徑能力強(qiáng)等突出優(yōu)點(diǎn),因此在高速無(wú)線通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。但是,OFDM信號(hào)具有較高的峰平比(PAPR),受功率放大器(簡(jiǎn)稱(chēng)功放)非線性效應(yīng)的影響,產(chǎn)生信號(hào)帶內(nèi)失真和帶外頻譜擴(kuò)展,從而導(dǎo)致系統(tǒng)性能下降。因此,功放線性化技術(shù),對(duì)于無(wú)線通信技術(shù)的發(fā)展具有重要的意義。其中,數(shù)字預(yù)失真技術(shù)以其準(zhǔn)確性、復(fù)雜度、自適應(yīng)性等方面良好的綜合性能,已經(jīng)成為最具發(fā)展?jié)摿Φ墓Ψ啪€性化技術(shù)。本文深入研究了適用于無(wú)線通信OFDM系統(tǒng)的數(shù)字預(yù)失真技術(shù),研究?jī)?nèi)容主要涉及:功率放大器預(yù)失真模型構(gòu)造、預(yù)失真模型參數(shù)辨識(shí)、OFDM系統(tǒng)預(yù)失真方案設(shè)計(jì)等方面。 本文主要研究工作與創(chuàng)新點(diǎn)總結(jié)如下: 1.針對(duì)現(xiàn)有無(wú)記憶多項(xiàng)式預(yù)失真器在輸出回退(OBO)減小時(shí)的性能受限問(wèn)題,基于分段非線性補(bǔ)償?shù)乃枷?提出了一種動(dòng)態(tài)系數(shù)多項(xiàng)式預(yù)失真方法。動(dòng)態(tài)系數(shù)多項(xiàng)式具有多組系數(shù),隨著輸入信號(hào)幅度的變化,多項(xiàng)式選取不同的系數(shù)組合,從而降低非線性補(bǔ)償?shù)恼`差;文中討論了動(dòng)態(tài)系數(shù)多項(xiàng)式模型的構(gòu)造方法,并且給出了基于直接學(xué)習(xí)結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)化遞歸系數(shù)估計(jì)算法。
標(biāo)簽： 無(wú)線通信 射頻功率放大器 技術(shù)研究
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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mos運(yùn)算放大器——原理設(shè)計(jì)應(yīng)用，李聯(lián)，復(fù)旦大學(xué)，詳細(xì)論述了CMOS即成運(yùn)算放大器的工作原理和設(shè)計(jì)方法
標(biāo)簽： mos 運(yùn)算放大器
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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從基本的放大器電路知識(shí)開(kāi)始，詳盡介紹了數(shù)十種使用頻率很高的放大器電路工作原理、識(shí)圖方法、電路故障分析思路，還比較詳細(xì)地介紹了膽機(jī)中的電子管放大器基礎(chǔ)知識(shí)，最后介紹了萬(wàn)用表檢修放大器的全過(guò)程。
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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MOS運(yùn)算放大器的原理及設(shè)計(jì)書(shū)籍，PDG文件。
標(biāo)簽： MOS 運(yùn)算放大器
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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射頻功率放大器存在于各種現(xiàn)代無(wú)線通信系統(tǒng)的末端，所以射頻功率放大器性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)通信系統(tǒng)的性能指標(biāo)。如何在兼顧效率的前提下提高功放的線性度是近年來(lái)國(guó)內(nèi)外的研究熱點(diǎn)，在射頻功率放大器的設(shè)計(jì)過(guò)程中這是非常重要的問(wèn)題。 作為發(fā)射機(jī)末端的重要模塊，射頻功率放大器的主要任務(wù)是給負(fù)載天線提供一定功率的發(fā)射信號(hào)，因此射頻功率放大器一般都工作在大信號(hào)條件下。所以設(shè)計(jì)射頻功率放大器時(shí)，器件的選型和設(shè)計(jì)方式都和一般的小信號(hào)放大器不同，尤其在寬帶射頻功率放大器的設(shè)計(jì)過(guò)程中，由于工作頻帶很寬，且要綜合考慮線性度和效率問(wèn)題，所以射頻功率放大器的設(shè)計(jì)難度很大。 本文設(shè)計(jì)了一個(gè)工作頻帶為30-108MHz，增益為25dB的寬帶射頻功率放大器。由于工作頻帶較寬，輸出功率較大，線性度要求高；所以在實(shí)際的過(guò)程中采用了寬帶匹配，功率回退等技術(shù)來(lái)達(dá)到最終的設(shè)計(jì)目標(biāo)。 本文首先介紹了關(guān)于射頻功率放大器的一些基礎(chǔ)理論，包括器件在射頻段的工作模型，使用傳輸線變壓器實(shí)現(xiàn)阻抗變換的基本原理，S參數(shù)等，這些是設(shè)計(jì)射頻功率放大器的基本理論依據(jù)。然后本文描述了射頻功率放大器非線性失真產(chǎn)生的原因，在此基礎(chǔ)上介紹了幾種線性化技術(shù)并做出比較。然后本文介紹了射頻功率放大器的主要技術(shù)指標(biāo)并提出一種具體的設(shè)計(jì)方案，最后利用ADS軟件對(duì)設(shè)計(jì)方案進(jìn)行了仿真。仿真過(guò)程包括兩個(gè)步驟，首先是進(jìn)行直流仿真來(lái)確定功放管的靜態(tài)工作點(diǎn)，然后進(jìn)行功率增益即S21的仿真并達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
上傳時(shí)間： 2013-07-28
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近年來(lái)，以電池作為電源的微電子產(chǎn)品得到廣泛使用，因而迫切要求采用低電源電壓的模擬電路來(lái)降低功耗。目前低電壓、低功耗的模擬電路設(shè)計(jì)技術(shù)正成為微電子行業(yè)研究的熱點(diǎn)之一。 在模擬集成電路中，運(yùn)算放大器是最基本的電路，所以設(shè)計(jì)低電壓、低功耗的運(yùn)算放大器非常必要。在實(shí)現(xiàn)低電壓、低功耗設(shè)計(jì)的過(guò)程中，必須考慮電路的主要性能指標(biāo)。由于電源電壓的降低會(huì)影響電路的性能，所以只實(shí)現(xiàn)低壓、低功耗的目標(biāo)而不實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的性能(如高速)是不大妥當(dāng)?shù)摹?論文對(duì)國(guó)內(nèi)外的低電壓、低功耗模擬電路的設(shè)計(jì)方法做了廣泛的調(diào)查研究，分析了這些方法的工作原理和各自的優(yōu)缺點(diǎn)，在吸收這些成果的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一個(gè)3.3 V低功耗、高速、軌對(duì)軌的CMOS/BiCMOS運(yùn)算放大器。在設(shè)計(jì)輸入級(jí)時(shí)，選擇了兩級(jí)直接共源一共柵輸入級(jí)結(jié)構(gòu)；為穩(wěn)定運(yùn)放輸出共模電壓，設(shè)計(jì)了共模負(fù)反饋電路，并進(jìn)行了共模回路補(bǔ)償；在偏置電路設(shè)計(jì)中，電流鏡負(fù)載并不采用傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)共源-共柵結(jié)構(gòu)，而是采用適合在低壓工況下的低壓、寬擺幅共源-共柵結(jié)構(gòu)；為了提高效率，在設(shè)計(jì)時(shí)采用了推挽共源極放大器作為輸出級(jí)，輸出電壓擺幅基本上達(dá)到了軌對(duì)軌；并采用帶有調(diào)零電阻的密勒補(bǔ)償技術(shù)對(duì)運(yùn)放進(jìn)行頻率補(bǔ)償。 采用標(biāo)準(zhǔn)的上華科技CSMC 0.6μpm CMOS工藝參數(shù)，對(duì)整個(gè)運(yùn)放電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)，并通過(guò)了HSPICE軟件進(jìn)行了仿真。結(jié)果表明，當(dāng)接有5 pF負(fù)載電容和20 kΩ負(fù)載電阻時(shí)，所設(shè)計(jì)的CMOS運(yùn)放的靜態(tài)功耗只有9.6 mW，時(shí)延為16.8ns，開(kāi)環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別達(dá)到82.78 dB，52.8 MHz和76°，而所設(shè)計(jì)的BiCMOS運(yùn)放的靜態(tài)功耗達(dá)到10.2 mW，時(shí)延為12.7 ns，開(kāi)環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別為83.3 dB、75 MHz以及63°，各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
標(biāo)簽： CMOSBiCMOS 低壓 低功耗
上傳時(shí)間： 2013-06-29
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