高速電路信號完整性分析之應(yīng)用篇
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：小寶愛考拉
介紹了2H橋級聯(lián)電路結(jié)構(gòu)，研究和分析了用于多電平逆變器的三種不同的多載波PWM調(diào)制策略，并分析了逆變器側(cè)輸出電壓頻譜。在上述調(diào)制策略基礎(chǔ)上結(jié)合多參考波調(diào)制方法，采用新型的多參考波和多載波的PWM技術(shù)，在Matlab/Simulink環(huán)境下構(gòu)建了PWM調(diào)制模型。仿真結(jié)果與典型的多載波PWM策略結(jié)果的比較顯示，新型的多載波控制方法能夠小幅減小總諧波的失真率（THD），改善了輸出電壓頻譜。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：lili123
隨著數(shù)字儀控系統(tǒng)在工業(yè)行業(yè)應(yīng)用的日益廣泛，效率及可靠性更高的開關(guān)電源在數(shù)字儀控系統(tǒng)設(shè)計中的應(yīng)用也越來越多。針對數(shù)字儀控系統(tǒng)工程中開關(guān)電源的典型應(yīng)用配電回路，在電源擴容、電源冗余可靠性設(shè)計方面進行分析描述，同時結(jié)合試驗分析由此設(shè)計而產(chǎn)生的電源模塊均流問題對配電回路可靠性的影響。
標簽： 冗余 開關(guān)電源 均流 分
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：huyiming139
利用四分之三波長折疊微帶線與四分之一波長微帶線級聯(lián)，并在輸入端口引入四分之一波長短路線，設(shè)計出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進行理論分析，導(dǎo)出設(shè)計參數(shù)方程，并通過HFSS進行仿真優(yōu)化。仿真和測量結(jié)果表明， 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時達到20 dB。
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：1966649934
為研究功率型鋰離子電池性能，對某35 Ah功率型鋰離子電池單體進行了充放電特性試驗和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明，低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內(nèi)阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩(wěn)定性好，質(zhì)量比能量高，作為電傳動車輛主要或輔助動力源具有良好的應(yīng)用前景。
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：清風冷雨
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
微弧氧化是一種新型的表面處理方法，利用該電路可輸出雙端不對稱的高壓脈沖，且脈沖幅值、頻率、占空比均在一定范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。本文首先介紹了微弧氧化電源技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，然后對試驗中使用過的幾種IGBT驅(qū)動模塊M57959、2ED300、2SD315 3種驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)、工作原理和使用性能做了詳細分析對比。實驗表明，Eupec系列的2ED300驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單，可靠性高，適用于大功率微弧氧化電源的驅(qū)動。
標簽： 鎂合金 氧化 可靠性分析 電源驅(qū)動電路
上傳時間： 2014-01-21
上傳用戶：hahayou
電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設(shè)計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結(jié)果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標簽： LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：wangjin2945
A3機芯開關(guān)電源電路分析與檢修
標簽： A3機芯 開關(guān)電源 電路分析 檢修
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：yimoney
文氏電橋正弦波發(fā)生器設(shè)計和參數(shù)計算
標簽： 文氏電橋 參數(shù)計算 正弦波發(fā)生器
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：yy541071797
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