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  • 單片K型熱電偶放大與數(shù)字轉(zhuǎn)換器

    本文介紹了單片K型熱電偶放大與數(shù)字轉(zhuǎn)換器MAX6675的使用方法。

    標(biāo)簽: 熱電偶 放大 數(shù)字轉(zhuǎn)換器

    上傳時(shí)間: 2013-05-21

    上傳用戶:wxhwjf

  • 快速了解FPGA/SOPC(可編程片上系統(tǒng))開發(fā)的流程

    作為一個(gè)簡明的教程,主要宗旨是讓初學(xué)者快速地了解FPGA/SOPC(可編程片上系統(tǒng))開發(fā)的流程。

    標(biāo)簽: FPGA SOPC 可編程片上系統(tǒng) 流程

    上傳時(shí)間: 2013-08-09

    上傳用戶:hphh

  • FPGA/SOPC開發(fā)教程,片上系統(tǒng)快速入門教程

    FPGA/SOPC開發(fā)教程,片上系統(tǒng)快速入門教程

    標(biāo)簽: FPGA SOPC 開發(fā)教程 片上系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2013-08-12

    上傳用戶:redmoons

  • 用兩片AVR(ATmega16)單片機(jī)

    用兩片AVR(ATmega16)單片機(jī) 實(shí)現(xiàn)雙機(jī)通信(雙向,并帶反饋)。開發(fā)環(huán)境為ICCAVR。文件中不但有完整的源代碼,還有用PROTEUS作的仿真圖。

    標(biāo)簽: ATmega AVR 16 單片機(jī)

    上傳時(shí)間: 2013-09-27

    上傳用戶:m62383408

  • 基于BCB鍵合的MEMS加速度計(jì)圓片級封裝工藝

      對基于BCB的圓片級封裝工藝進(jìn)行了研究,該工藝代表了MEMS加速度計(jì)傳感器封裝的發(fā)展趨勢,是MEMS加速度計(jì)產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵。選用3000系列BCB材料進(jìn)行MEMS傳感器的粘結(jié)鍵合工藝試驗(yàn),解決了圓片級封裝問題,在低溫250 ℃和適當(dāng)壓力輔助下≤2.5 bar(1 bar=100 kPa)實(shí)現(xiàn)了加速度計(jì)的圓片級封裝,并對相關(guān)的旋涂、鍵合、氣氛、壓力等諸多工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。

    標(biāo)簽: MEMS BCB 鍵合 加速度計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-11-17

    上傳用戶:JasonC

  • ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

    ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

    標(biāo)簽: 8038 ICL 函數(shù)發(fā)生器

    上傳時(shí)間: 2014-12-23

    上傳用戶:wushengwu

  • PADS制作鍋?zhàn)衅馕?/a>

    在PADS中鍋?zhàn)衅闹谱鞣椒?/p>

    標(biāo)簽: PADS

    上傳時(shí)間: 2013-11-18

    上傳用戶:michael20

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí),晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 一種無片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

    電路如果存在不穩(wěn)定性因素,就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點(diǎn),運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無片外電容LDO,電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結(jié)果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF,減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V,輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí),最小相位裕度為830,最小帶寬為4.58 MHz

    標(biāo)簽: LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:wangjin2945

  • XL4016高效率,大電流,單片集成降壓型開關(guān)電源芯片

    XL4016高效率,大電流,單片集成降壓型開關(guān)電源芯片,測試板加芯片資料

    標(biāo)簽: 4016 XL 高效率 大電流

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:Shaikh

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