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趨勢(shì)預(yù)(yù)測(cè)

  • 基于ARM的TimeToCount輻射測(cè)量?jī)x的研究

    隨著半導(dǎo)體工藝的飛速發(fā)展和芯片設(shè)計(jì)水平的不斷進(jìn)步,ARM微處理器的性能得到大幅度地提高,同時(shí)其芯片的價(jià)格也在不斷下降,嵌入式系統(tǒng)以其獨(dú)有的優(yōu)勢(shì),己經(jīng)廣泛地滲透到科學(xué)研究和日常生活的各個(gè)方面。 本文以ARM7 LPC2132處理器為核心,結(jié)合蓋革一彌勒計(jì)數(shù)管對(duì)Time-To-Count輻射測(cè)量方法進(jìn)行研究。ARM結(jié)構(gòu)是基于精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)(RISC)原理而設(shè)計(jì)的,其指令集和相關(guān)的譯碼機(jī)制比復(fù)雜指令集計(jì)算機(jī)要簡(jiǎn)單得多,使用一個(gè)小的、廉價(jià)的ARM微處理器就可實(shí)現(xiàn)很高的指令吞吐量和實(shí)時(shí)的中斷響應(yīng)。基于ARM7TDMI-S核的LPC2132微處理器,其工作頻率可達(dá)到60MHz,這對(duì)于Time-To-Count技術(shù)是非常有利的,而且利用LPC2132芯片的定時(shí)/計(jì)數(shù)器引腳捕獲功能,可以直接讀取TC中的計(jì)數(shù)值,也就是說不再需要調(diào)用中斷函數(shù)讀取TC值,從而大大降低了計(jì)數(shù)前雜質(zhì)時(shí)間。本文是在我?guī)熜謪诬姷摹禩ime-To-Count測(cè)量方法初步研究》基礎(chǔ)上,使用了高速的ARM芯片,對(duì)基于MCS-51的Time-To-Count輻射測(cè)量系統(tǒng)進(jìn)行了改進(jìn),進(jìn)一步論證了采用高速ARM處理器芯片可以極大的提高G-M計(jì)數(shù)器的測(cè)量范圍與測(cè)量精度。 首先,討論了傳統(tǒng)的蓋革-彌勒計(jì)數(shù)管探測(cè)射線強(qiáng)度的方法,并指出傳統(tǒng)的脈沖測(cè)量方法的不足。然后討論了什么是Time-To-Count測(cè)量方法,對(duì)Time-To-Count測(cè)量方法的理論基礎(chǔ)進(jìn)行分析。指出Time-To-Count方法與傳統(tǒng)的脈沖計(jì)數(shù)方法的區(qū)別,以及采用Time-To-Count方法進(jìn)行輻射測(cè)量的可行性。 接著,詳細(xì)論述基于ARM7 LPC2132處理器的Time-To-Count輻射測(cè)量?jī)x的原理、功能、特點(diǎn)以及輻射測(cè)量?jī)x的各部分接口電路設(shè)計(jì)及相關(guān)程序的編制。 最后得出結(jié)論,通過高速32位ARM處理器的使用,Time-To-Count輻射測(cè)量?jī)x的精度和量程均得到很大的提高,對(duì)于Y射線總量測(cè)量,使用了ARM處理器的Time-To-Count輻射測(cè)量?jī)x的量程約為20 u R/h到1R/h,數(shù)據(jù)線性程度也比以前的Time-To-CotJnt輻射測(cè)量?jī)x要好。所以在使用Time-To-Count方法進(jìn)行的輻射測(cè)量時(shí),如何減少雜質(zhì)時(shí)間以及如何提高計(jì)數(shù)前時(shí)間的測(cè)量精度,是決定Time-To-Count輻射測(cè)量?jī)x性能的關(guān)鍵因素。實(shí)驗(yàn)用三只相同型號(hào)的J33G-M計(jì)數(shù)管分別作為探測(cè)元件,在100U R/h到lR/h的輻射場(chǎng)中進(jìn)行試驗(yàn).每個(gè)測(cè)量點(diǎn)測(cè)量5次取平均,得出隨著照射量率的增大,輻射強(qiáng)度R的測(cè)量值偏小且與輻射真實(shí)值之間的誤差也隨之增大。如果將測(cè)量誤差限定在10%的范圍內(nèi),則此儀器的量程范圍為20 u R/h至1R/h,量程跨度近六個(gè)數(shù)量級(jí)。而用J33型G-M計(jì)數(shù)管作常規(guī)的脈沖測(cè)量,量程范圍約為50 u R/h到5000 u R/h,充分體現(xiàn)了運(yùn)用Time-To-Count方法測(cè)量輻射強(qiáng)度的優(yōu)越性,也從另一個(gè)角度反應(yīng)了隨著計(jì)數(shù)前時(shí)間的逐漸減小,雜質(zhì)時(shí)間在其中的比重越來越大,對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響也就越來越嚴(yán)重,盡可能的減小雜質(zhì)時(shí)間在Time-To-Count方法輻射測(cè)量特別是測(cè)量高強(qiáng)度輻射中是關(guān)鍵的。筆者用示波器測(cè)出此輻射儀器的雜質(zhì)時(shí)間約為6.5 u S,所以在計(jì)算定時(shí)器值的時(shí)候減去這個(gè)雜質(zhì)時(shí)間,可以增加計(jì)數(shù)前時(shí)間的精確度。通過實(shí)驗(yàn)得出,在標(biāo)定儀器的K值時(shí),應(yīng)該在照射量率較低的條件下行,而測(cè)得的計(jì)數(shù)前時(shí)間是否精確則需要在照射量率較高的條件下通過儀器標(biāo)定來檢驗(yàn)。這是因?yàn)樵谡丈淞柯瘦^低時(shí),計(jì)數(shù)前時(shí)間較大,雜質(zhì)時(shí)間對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響不明顯,數(shù)據(jù)線斜率較穩(wěn)定,適宜于確定標(biāo)定系數(shù)K值,而在照射量率較高時(shí),計(jì)數(shù)前時(shí)間很小,雜質(zhì)時(shí)間對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響較大,可以明顯的在數(shù)據(jù)線上反映出來,從而可以很好的反應(yīng)出儀器的性能與量程。實(shí)驗(yàn)證明了Time-To-Count測(cè)量方法中最為關(guān)鍵的環(huán)節(jié)就是如何對(duì)計(jì)數(shù)前時(shí)間進(jìn)行精確測(cè)量。經(jīng)過對(duì)大量實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析,得到計(jì)數(shù)前時(shí)間中的雜質(zhì)時(shí)間可分為硬件雜質(zhì)時(shí)間和軟件雜質(zhì)時(shí)間,并以軟件雜質(zhì)時(shí)間為主,通過對(duì)程序進(jìn)行合理優(yōu)化,軟件雜質(zhì)時(shí)間可以通過程序的改進(jìn)而減少,甚至可以用數(shù)學(xué)補(bǔ)償?shù)姆椒▉淼窒瑥亩梢缘玫奖容^精確的計(jì)數(shù)前時(shí)間,以此得到較精確的輻射強(qiáng)度值。對(duì)于本輻射儀,用戶可以選擇不同的工作模式來進(jìn)行測(cè)量,當(dāng)輻射場(chǎng)較弱時(shí),通常采用規(guī)定次數(shù)測(cè)量的方式,在輻射場(chǎng)較強(qiáng)時(shí),應(yīng)該選用定時(shí)測(cè)量的方式。因?yàn)椋?dāng)輻射場(chǎng)較弱時(shí),如果用規(guī)定次數(shù)測(cè)量的方式,會(huì)浪費(fèi)很多時(shí)間來采集足夠的脈沖信號(hào)。當(dāng)輻射場(chǎng)較強(qiáng)時(shí),由于輻射粒子很多,產(chǎn)生脈沖的頻率就很高,規(guī)定次數(shù)的測(cè)量會(huì)加大測(cè)量誤差,當(dāng)選用定時(shí)測(cè)量的方式時(shí),由于時(shí)間的相對(duì)加長(zhǎng),所以記錄的粒子數(shù)就相對(duì)的增加,從而提高儀器的測(cè)量精度。通過調(diào)研國內(nèi)外先進(jìn)核輻射測(cè)量?jī)x器的發(fā)展現(xiàn)狀,了解到了目前最新的核輻射總量測(cè)量技術(shù)一Time-To-Count理論及其應(yīng)用情況。論證了該新技術(shù)的理論原理,根據(jù)此原理,結(jié)合高速處理器ARM7 LPC2132,對(duì)以G-計(jì)數(shù)管為探測(cè)元件的Time-To-Count輻射測(cè)量?jī)x進(jìn)行設(shè)計(jì)。論文以實(shí)驗(yàn)的方法論證了Time-To-Count原理測(cè)量核輻射方法的科學(xué)性,該輻射儀的量程和精度均優(yōu)于以前以脈沖計(jì)數(shù)為基礎(chǔ)理論的MCS-51核輻射測(cè)量?jī)x。該輻射儀具有量程寬、精度高、易操作、用戶界面友好等優(yōu)點(diǎn)。用戶可以定期的對(duì)儀器的標(biāo)定,來減小由于電子元件的老化對(duì)低儀器性能參數(shù)造成的影響,通過Time-To-Count測(cè)量方法的使用,可以極大拓寬G-M計(jì)數(shù)管的量程。就儀器中使用的J33型G-M計(jì)數(shù)管而言,G-M計(jì)數(shù)管廠家參考線性測(cè)量范圍約為50 u R/h到5000 u R/h,而用了Time-To-Count測(cè)量方法后,結(jié)合高速微處理器ARM7 LPC2132,此核輻射測(cè)量?jī)x的量程為20 u R/h至1R/h。在允許的誤差范圍內(nèi),核輻射儀的量程比以前基于MCS-51的輻射儀提高了近200倍,而且精度也比傳統(tǒng)的脈沖計(jì)數(shù)方法要高,測(cè)量結(jié)果的線性程度也比傳統(tǒng)的方法要好。G-M計(jì)數(shù)管的使用壽命被大大延長(zhǎng)。 綜上所述,本文取得了如下成果:對(duì)國內(nèi)外Time-To-Count方法的研究現(xiàn)狀進(jìn)行分析,指出了Time-To-Count測(cè)量方法的基本原理,并對(duì)Time-T0-Count方法理論進(jìn)行了分析,推導(dǎo)出了計(jì)數(shù)前時(shí)間和兩個(gè)相鄰輻射粒子時(shí)間間隔之間的關(guān)系,從數(shù)學(xué)的角度論證了Time-To-Count方法的科學(xué)性。詳細(xì)說明了基于ARM 7 LPC2132的Time-To-Count輻射測(cè)量?jī)x的硬件設(shè)計(jì)、軟件編程的過程,通過高速微處理芯片LPC2132的使用,成功完成了對(duì)基于MCS-51單片機(jī)的Time-To-Count測(cè)量?jī)x的改進(jìn)。改進(jìn)后的輻射儀器具有量程寬、精度高、易操作、用戶界面友好等特點(diǎn)。本論文根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果總結(jié)出了Time-To-Count技術(shù)中的幾點(diǎn)關(guān)鍵因素,如:處理器的頻率、計(jì)數(shù)前時(shí)間、雜質(zhì)時(shí)間、采樣次數(shù)和測(cè)量時(shí)間等,重點(diǎn)分析了雜質(zhì)時(shí)間的組成以及引入雜質(zhì)時(shí)間的主要因素等,對(duì)國內(nèi)核輻射測(cè)量?jī)x的研究具有一定的指導(dǎo)意義。

    標(biāo)簽: TimeToCount ARM 輻射測(cè)量?jī)x

    上傳時(shí)間: 2013-06-24

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  • 基于ARM的高速繡花機(jī)控制器的研究與開發(fā)

    隨著我國加入WTO,我國逐漸成為世界縫制設(shè)備生產(chǎn)和銷售中心。在縫制設(shè)備行業(yè)占據(jù)極其重要地位的繡花機(jī)行業(yè)也因此而得到迅速發(fā)展,我國繡花機(jī)產(chǎn)量已占據(jù)全球繡花機(jī)產(chǎn)量的70%。但是,我國的繡花機(jī)行業(yè)在發(fā)展的過程中仍存在和面臨著很多問題。一方面是產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和產(chǎn)品質(zhì)量,我國的繡花機(jī)主要以中低檔為主,在噪聲、刺繡質(zhì)量、效率、產(chǎn)品壽命以及維護(hù)性等方面與國外先進(jìn)機(jī)型存在較大差距;另一方面是技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力,作為繡花機(jī)全部技術(shù)核心的控制器,國內(nèi)能開發(fā)的公司屈指可數(shù),缺乏有效的競(jìng)爭(zhēng),且技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力無法與國際企業(yè)相抗衡。 針對(duì)上述情況,本文分析了繡花機(jī)的工作原理和當(dāng)前主流繡花機(jī)的控制方式及特點(diǎn),在研究室已完成的中低速平繡型工業(yè)繡花機(jī)課題的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了一種基于硬實(shí)時(shí)嵌入式操作系統(tǒng)WinCE5.0,以32位RISC架構(gòu)ARM9處理器S3C2440A為主控芯片,以MAXII系列CPLDEPM1270為接口芯片的高速繡花機(jī)控制器。整個(gè)繡花機(jī)以高速,高質(zhì)量為目標(biāo),以伺服電機(jī)作為主軸驅(qū)動(dòng),步進(jìn)電機(jī)作為X/Y軸驅(qū)動(dòng),帶USB接口和Ethernet接口,預(yù)留特種繡接口,帶高分辨率彩色觸摸屏,功能豐富,操作方便。 本文分7章,第一章闡述了課題背景,繡花機(jī)發(fā)展現(xiàn)狀和關(guān)鍵技術(shù);第二章從原理出發(fā)完成了需求分析,硬件和操作系統(tǒng)選型和項(xiàng)目規(guī)劃;第三章完成了總體硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)并重點(diǎn)介紹了驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),CPLD單元,主控制板的設(shè)計(jì)和各種資源的分配;第四章在分析WinCE及其項(xiàng)目開發(fā)流程和環(huán)境構(gòu)建的基礎(chǔ)上,完成了軟件的總體框架設(shè)計(jì)并介紹了相關(guān)設(shè)計(jì)要點(diǎn)。第五章主要是驅(qū)動(dòng)程序和運(yùn)動(dòng)控制模塊并以步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的開發(fā)為例介紹了流驅(qū)動(dòng)的開發(fā)過程和相關(guān)的技術(shù)要點(diǎn)。第六章設(shè)計(jì)了一種自主的內(nèi)部花樣格式并完成了相應(yīng)的測(cè)試。最后一章是對(duì)本課題的總結(jié)和展望。 本文不僅從項(xiàng)目研究與開發(fā)和軟件工程的高度詳細(xì)探討了基丁ARM和WinCE5.0的繡花機(jī)控制器的整個(gè)開發(fā)過程,也具體的從硬件設(shè)計(jì),資源配置,軟件編寫,驅(qū)動(dòng)開發(fā),運(yùn)動(dòng)控制和花樣處理等多個(gè)方面進(jìn)行了深入的分析和研究。本課題的工作對(duì)于高速高檔繡花機(jī)的開發(fā)具有很好的參考價(jià)值和實(shí)踐意義,對(duì)于提升國內(nèi)繡花機(jī)行業(yè)在高端市場(chǎng)與國外企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力,提升民族品牌價(jià)值,改變國內(nèi)繡花機(jī)控制器被少數(shù)公司所壟斷,增加良性有效競(jìng)爭(zhēng)有積極影響。

    標(biāo)簽: ARM 繡花機(jī) 控制器

    上傳時(shí)間: 2013-06-29

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  • MMA7455加速度傳感器51例程

    MMA7455加速度傳感器例程,基于C51單片機(jī),測(cè)試X\Y\Z軸數(shù)值。

    標(biāo)簽: 7455 MMA 加速度傳感器

    上傳時(shí)間: 2013-05-21

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  • 51單片機(jī)PS2鼠標(biāo)控制源代碼

    51單片機(jī)PS2鼠標(biāo)控制源代碼,接收鼠標(biāo)數(shù)據(jù)緩沖區(qū),分別存放:功能信息字節(jié),x位移量,y位移量,允許全局中斷,允許定時(shí)器/計(jì)數(shù)器0溢出中斷。

    標(biāo)簽: PS2 51單片機(jī) 鼠標(biāo) 控制

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

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  • 步進(jìn)頻率雷達(dá)系統(tǒng)的模擬與測(cè)試

    任何雷達(dá)接收器所接收到的回波(echo)訊號(hào),都會(huì)包含目標(biāo)回波和背景雜波。雷達(dá)系統(tǒng)的縱向解析度和橫向解析度必須夠高,才能在充滿背景雜波的環(huán)境中偵測(cè)到目標(biāo)。傳統(tǒng)上都會(huì)使用短週期脈衝波和寬頻FM 脈衝來達(dá)到上述目的。

    標(biāo)簽: 步進(jìn)頻率 模擬 雷達(dá)系統(tǒng) 測(cè)試

    上傳時(shí)間: 2014-12-23

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  • Protel DXP快捷鍵大全

    enter——選取或啟動(dòng) esc——放棄或取消 f1——啟動(dòng)在線幫助窗口 tab——啟動(dòng)浮動(dòng)圖件的屬性窗口 pgup——放大窗口顯示比例 pgdn——縮小窗口顯示比例 end——刷新屏幕 del——刪除點(diǎn)取的元件(1個(gè)) ctrl+del——刪除選取的元件(2個(gè)或2個(gè)以上) x+a——取消所有被選取圖件的選取狀態(tài) x——將浮動(dòng)圖件左右翻轉(zhuǎn) y——將浮動(dòng)圖件上下翻轉(zhuǎn) space——將浮動(dòng)圖件旋轉(zhuǎn)90度 crtl+ins——將選取圖件復(fù)制到編輯區(qū)里 shift+ins——將剪貼板里的圖件貼到編輯區(qū)里 shift+del——將選取圖件剪切放入剪貼板里 alt+backspace——恢復(fù)前一次的操作 ctrl+backspace——取消前一次的恢復(fù) crtl+g——跳轉(zhuǎn)到指定的位置 crtl+f——尋找指定的文字  

    標(biāo)簽: Protel DXP 快捷鍵

    上傳時(shí)間: 2013-12-29

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  • PADS Layout把非中心對(duì)稱封裝的元件坐標(biāo)導(dǎo)出所修改的Basic Scr

    有時(shí)候,做元件封裝的時(shí)候,做得不是按中心設(shè)置為原點(diǎn)(不提倡這種做法),所以制成之后導(dǎo)出來的坐標(biāo)圖和直接提供給貼片廠的要求相差比較大。比如,以元件的某一個(gè)pin 腳作為元件的原點(diǎn),明顯就有問題,直接修改封裝的話,PCB又的重新調(diào)整。所以想到一個(gè)方法:把每個(gè)元件所有的管腳的X坐標(biāo)和Y坐標(biāo)分別求平均值,就為元件的中心。

    標(biāo)簽: Layout Basic PADS Scr

    上傳時(shí)間: 2013-11-01

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  • pcb layout design(臺(tái)灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

    PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時(shí)間: 2013-10-22

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  • pcb layout規(guī)則

    LAYOUT REPORT .............. 1   目錄.................. 1     1. PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)......... 2     2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2     3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4     4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5     5. VIA HOLE PAD................. 5     6. PCB Layer 排列方式...... 5     7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5     8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6     9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8     10.General Guidelines – 跨Plane.. 8     11. General Guidelines – 繞線....... 9     12. General Guidelines – Damping Resistor. 10     13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10     14. Clock Routing Guideline........... 12     15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12     16. CPU

    標(biāo)簽: layout pcb

    上傳時(shí)間: 2013-12-20

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  • PCB設(shè)計(jì)問題集錦

    PCB設(shè)計(jì)問題集錦 問:PCB圖中各種字符往往容易疊加在一起,或者相距很近,當(dāng)板子布得很密時(shí),情況更加嚴(yán)重。當(dāng)我用Verify Design進(jìn)行檢查時(shí),會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤,但這種錯(cuò)誤可以忽略。往往這種錯(cuò)誤很多,有幾百個(gè),將其他更重要的錯(cuò)誤淹沒了,如何使Verify Design會(huì)略掉這種錯(cuò)誤,或者在眾多的錯(cuò)誤中快速找到重要的錯(cuò)誤。    答:可以在顏色顯示中將文字去掉,不顯示后再檢查;并記錄錯(cuò)誤數(shù)目。但一定要檢查是否真正屬于不需要的文字。 問: What’s mean of below warning:(6230,8330 L1) Latium Rule not checked: COMPONENT U26 component rule.答:這是有關(guān)制造方面的一個(gè)檢查,您沒有相關(guān)設(shè)定,所以可以不檢查。 問: 怎樣導(dǎo)出jop文件?答:應(yīng)該是JOB文件吧?低版本的powerPCB與PADS使用JOB文件。現(xiàn)在只能輸出ASC文件,方法如下STEP:FILE/EXPORT/選擇一個(gè)asc名稱/選擇Select ALL/在Format下選擇合適的版本/在Unit下選Current比較好/點(diǎn)擊OK/完成然后在低版本的powerPCB與PADS產(chǎn)品中Import保存的ASC文件,再保存為JOB文件。 問: 怎樣導(dǎo)入reu文件?答:在ECO與Design 工具盒中都可以進(jìn)行,分別打開ECO與Design 工具盒,點(diǎn)擊右邊第2個(gè)圖標(biāo)就可以。 問: 為什么我在pad stacks中再設(shè)一個(gè)via:1(如附件)和默認(rèn)的standardvi(如附件)在布線時(shí)V選擇1,怎么布線時(shí)按add via不能添加進(jìn)去這是怎么回事,因?yàn)橛袝r(shí)要使用兩種不同的過孔。答:PowerPCB中有多個(gè)VIA時(shí)需要在Design Rule下根據(jù)信號(hào)分別設(shè)置VIA的使用條件,如電源類只能用Standard VIA等等,這樣操作時(shí)就比較方便。詳細(xì)設(shè)置方法在PowerPCB軟件通中有介紹。 問:為什么我把On-line DRC設(shè)置為prevent..移動(dòng)元時(shí)就會(huì)彈出(圖2),而你們教程中也是這樣設(shè)置怎么不會(huì)呢?答:首先這不是錯(cuò)誤,出現(xiàn)的原因是在數(shù)據(jù)中沒有BOARD OUTLINE.您可以設(shè)置一個(gè),但是不使用它作為CAM輸出數(shù)據(jù). 問:我用ctrl+c復(fù)制線時(shí)怎設(shè)置原點(diǎn)進(jìn)行復(fù)制,ctrl+v粘帖時(shí)總是以最下面一點(diǎn)和最左邊那一點(diǎn)為原點(diǎn) 答: 復(fù)制布線時(shí)與上面的MOVE MODE設(shè)置沒有任何關(guān)系,需要在右鍵菜單中選擇,這在PowerPCB軟件通教程中有專門介紹. 問:用(圖4)進(jìn)行修改線時(shí)拉起時(shí)怎總是往左邊拉起(圖5),不知有什么辦法可以輕易想拉起左就左,右就右。答: 具體條件不明,請(qǐng)檢查一下您的DESIGN GRID,是否太大了. 問: 好不容易拉起右邊但是用(圖6)修改線怎么改怎么下面都會(huì)有一條不能和在一起,而你教程里都會(huì)好好的(圖8)答:這可能還是與您的GRID 設(shè)置有關(guān),不過沒有問題,您可以將不需要的那段線刪除.最重要的是需要找到布線的感覺,每個(gè)軟件都不相同,所以需要多練習(xí)。 問: 尊敬的老師:您好!這個(gè)圖已經(jīng)畫好了,但我只對(duì)(如圖1)一種的完全間距進(jìn)行檢查,怎么錯(cuò)誤就那么多,不知怎么改進(jìn)。請(qǐng)老師指點(diǎn)。這個(gè)圖在附件中請(qǐng)老師幫看一下,如果還有什么問題請(qǐng)指出來,本人在改進(jìn)。謝!!!!!答:請(qǐng)注意您的DRC SETUP窗口下的設(shè)置是錯(cuò)誤的,現(xiàn)在選中的SAME NET是對(duì)相同NET進(jìn)行檢查,應(yīng)該選擇NET TO ALL.而不是SAME NET有關(guān)各項(xiàng)參數(shù)的含義請(qǐng)仔細(xì)閱讀第5部教程. 問: U101元件已建好,但元件框的拐角處不知是否正確,請(qǐng)幫忙CHECK 答:元件框等可以通過修改編輯來完成。問: U102和U103元件沒建完全,在自動(dòng)建元件參數(shù)中有幾個(gè)不明白:如:SOIC--》silk screen欄下spacing from pin與outdent from first pin對(duì)應(yīng)U102和U103元件應(yīng)寫什么數(shù)值,還有這兩個(gè)元件SILK怎么自動(dòng)設(shè)置,以及SILK內(nèi)有個(gè)圓圈怎么才能畫得與該元件參數(shù)一致。 答:Spacing from pin指從PIN到SILK的Y方向的距離,outdent from first pin是第一PIN與SILK端點(diǎn)間的距離.請(qǐng)根據(jù)元件資料自己計(jì)算。

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    上傳時(shí)間: 2013-10-07

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