一、 尺寸：長63mmX寬48mmX高16mm 二、 主要芯片：FR1205(NMOS) 三、 輸入控制電壓：直流5V 輸出控制電壓12V~55V，電流為44A 四、串口下載程序 五、 特點： 1、輸入控制電源與被控電源隔離 2、具有四路輸出信號指示。 3、具有四路光耦隔離 4、四路輸入信號低電平有效時有效 5、輸入使用排針可方便與單片機設備相連 6、輸出使用接線端子可方便接被控設備供電電源 7、輸出可控制5—55V直流電源
標簽： 場效應管 使用說明 模塊
上傳時間： 2013-10-09
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Butterworth函數的高階低通濾波器的有源設計
標簽： Butterworth 函數 低通濾波器 有源
上傳時間： 2013-11-20
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計算二階有源濾波、一階有源濾波、阻容充放電。
標簽： 有源濾波 計算 二階 充放電
上傳時間： 2013-11-17
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用ADC0832設計的兩路電壓表1 源代碼
標簽： 0832 ADC 電壓表
上傳時間： 2014-01-05
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這是多路模擬信號采集器，歡迎大家下載觀看
標簽： 多路 模擬信號 采集器
上傳時間： 2013-12-09
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產品概要： 3GHz射頻信號源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊，可以通過測控軟件產生9kHz到3GHz的射頻信號源和AM/FM/CW調制輸出，具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定義IO接口。 產品描述： 3GHz射頻信號源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊，可以通過測控軟件產生9kHz到3GHz的射頻信號源和AM/FM/CW調制輸出，還可以通過IQ選件實現其它任意調制輸出。GR6710既可程控發生點頻信號和掃頻信號，也支持內部調制和外部調制。GR6710可安裝于3U/6U背板上工作，也可以獨立供電工作，使用靈活。該模塊可用于通信測試、校準信號源。 技術指標 頻率特性 頻率范圍：9kHz～3GHz，500KHz以下指標不保證 頻率分辨率：3Hz，1Hz（載頻<10MHz時） 頻率穩定度：晶振保證 電平特性 電平范圍：-110dBm～+10dBm 電平分辨率：0.5dB 電平準確度：≤±2.5dB@POWER<-90dBm，≤±1.5dB@POWER>-90dBm 輸出關斷功能 頻譜純度 諧波：9KHz～200MHz≥20dBc，200MHz～3GHz≥30dBc 非諧波：≤80dBc典型值（偏移10kHz，載頻<1GHz），≥68dBc（偏移10kHz，其它載頻）， 鎖相環小數分頻雜散≥64dBc（偏移10kHz） SSB相噪： ≤-98dBc/Hz 偏移20kHz（500MHz） ≤-102dBc/Hz 偏移20kHz（1GHz） ≤-90dBc/Hz 偏移20kHz（>1GHz） 調制輸出：調幅AM、調頻FM、脈沖CW，其它調制輸出可以通過IQ選件實現 調制源：內、外 參考時鐘輸入和輸出：10MHz，14dBm 控制接口：CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485、自定義GPIO 射頻和時鐘連接器：SMA-K 電源接口：背板供電、獨立供電 可選 電源及其功耗：+5V DC、±12V DC（紋波≤2%輸出電壓），≤38W 結構尺寸：3U高度4槽寬度（100mm×160mm×82mm，不含連接器部分） 工作環境：商業級溫度和工業級溫度 可選，振動、沖擊、可靠性、MTBF 測控軟件功能：射頻信號發生、調制信號輸出、跳頻/掃頻信號發生、支持WindowsXP系統 成功案例: 通信綜測儀器內部的信號源模塊 無線電監測設備內部的信號校準模塊 無線電通信測試儀器的調制信號發生
標簽： 3GHz 6710 GR 射頻信號源
上傳時間： 2013-11-13
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多路復用器、模擬開關設計指南
標簽： 多路復用器 模擬開關 設計指南
上傳時間： 2013-11-22
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結合直接數字頻率合成（DDS）和鎖相環（PLL）技術完成了X波段低相噪本振跳頻源的設計。文章通過軟件仿真重點分析了本振跳頻源的低相噪設計方法，同時給出了主要的硬件選擇和詳細電路設計過程。最后對樣機的測試結果表明，本方案具有相位噪聲低、頻率控制靈活等優點，滿足了實際工程應用。
標簽： X波段 跳頻源
上傳時間： 2013-11-12
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給出了兩種應用于兩級CMOS 運算放大器的密勒補償技術的比較,用共源共柵密勒補償技術設計出的CMOS 運放與直接密勒補償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號建立時間等優點,還可以在達到相同補償效果的情況下極大地減小版圖尺寸. 通過電路級小信號等效電路的分析和仿真,對兩種補償技術進行比較,結果驗證了共源共柵密勒補償技術相對于直接密勒補償技術的優越性.
標簽： 共源共柵 運放 補償 比較
上傳時間： 2013-10-14
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共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應，在放大器領域有很多的應用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應用于任意電流密度。根據飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關系,并設計一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。
標簽： CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路
上傳時間： 2013-10-08
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