此工具書是一般常用的到的數(shù)學(xué)工具書，內(nèi)容詳細(xì)介紹matlab指令的各種用法，從基本的概述、初探matlab、二維平面繪圖、三維立體繪圖、數(shù)值運(yùn)算與其它應(yīng)用、影像顯示與讀寫、動(dòng)畫製作、握把式圖形與GUI、GUIDEGUI設(shè)計(jì)環(huán)境、矩陣的處理與運(yùn)算、字元與字串、多維陣列、異質(zhì)陣列、結(jié)植陣列、稀疏矩陣、matlab的運(yùn)算元、m檔案、程式流程控制、程式除錯(cuò)、檔案輸出及輸入、程式計(jì)時(shí)、程式碼與記憶、應(yīng)用程式介面、線性代數(shù)、多項(xiàng)式的處理、一般數(shù)學(xué)函數(shù)、內(nèi)插法、曲線擬合與迴圈、常微分方程式…等，是非常好用的工具書。
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上傳時(shí)間： 2016-08-24
上傳用戶：ynsnjs
可捕捉到硬體的三軸的值，然後做運(yùn)算 用於rfid
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上傳時(shí)間： 2014-06-27
上傳用戶：wpt
這是一個(gè)說(shuō)明GA演算法的範(fàn)例，可以從範(fàn)例得知基因演算法的運(yùn)算過(guò)程
標(biāo)簽： 算法
上傳時(shí)間： 2013-12-09
上傳用戶：SimonQQ
利用專案的方式，將不同功能的切割到不同檔案，主要是要學(xué)習(xí)如何在專案內(nèi)學(xué)習(xí)如何用header以及其他檔案, 並加入了如何將讀到的檔案輸出至特定位置，以及讀檔案時(shí)的空白如何處理，利用簡(jiǎn)單的運(yùn)算來(lái)表示，同樣對(duì)初學(xué)者很有幫助!
標(biāo)簽： 方式
上傳時(shí)間： 2016-11-19
上傳用戶：xinzhch
在9格寬×9格高的大九宮格中有9個(gè)3格寬×3格高的小九宮格，並提供一定數(shù)量的數(shù)字。根據(jù)這些數(shù)字，利用邏輯和推理，在其他的空格上填入1到9的數(shù)字。每個(gè)數(shù)字在每個(gè)小九宮格內(nèi)不能出現(xiàn)一樣的數(shù)字，每個(gè)數(shù)字在每行、每列也不能出現(xiàn)一樣的數(shù)字。 這種遊戲只需要邏輯思維能力，與數(shù)字運(yùn)算無(wú)關(guān)。雖然玩法簡(jiǎn)單，但數(shù)字排列方式卻千變?nèi)f化，所以不少教育者認(rèn)為數(shù)獨(dú)是鍛鍊腦筋的好方法
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上傳時(shí)間： 2017-03-02
上傳用戶：cc1915
Fluent中文教程 pdf格式，對(duì)于開(kāi)始學(xué)習(xí)Fluent的人來(lái)說(shuō)相當(dāng)適用，可以按照本書學(xué)習(xí)！ I、目錄 第一章、開(kāi)始 第二章、操作界面 第三章、文件的讀寫 第四章、單位系統(tǒng) 第五章、讀入和操作網(wǎng)格 第六章、邊界條件 第七章、物理特性 第八章、基本物理模型 第九章、湍流模型 第十章、輻射模型 第十一章、化學(xué)輸運(yùn)與反應(yīng)流 第十二章、污染形成模型 第十三章、相變模擬 第十四章、多相流模型 第十五章、動(dòng)坐標(biāo)系下的流動(dòng) 第十六章、解算器的使用 第十七章、網(wǎng)格適應(yīng) 第十八章、數(shù)據(jù)顯示與報(bào)告界面 第十九章、圖形與可視化 第二十章、Alphanumeric Report 第二十一章、流場(chǎng)函數(shù)定義 第二十二章、并行處理 第二十三章、自定義函數(shù) 第二十四章、參考向?qū)? 第二十五章、索引（Bibliograph 第二十六章、命令索引 II、如何使用該教程
上傳時(shí)間： 2013-12-18
上傳用戶：netwolf
演算法是指利用電腦解決問(wèn)題所需要的具體方法和步驟。也就是說(shuō)給定初始狀態(tài)或輸入數(shù)據(jù)，經(jīng)過(guò)電腦程序的有限次運(yùn)算，能夠得出所要求或期望的終止?fàn)顟B(tài)或輸出數(shù)據(jù)。本書介紹電腦科學(xué)中重要的演算法及其分析與設(shè)計(jì)技術(shù)
標(biāo)簽： 算法
上傳時(shí)間： 2017-06-09
上傳用戶：wys0120
包含一些大眾化的數(shù)學(xué)題目，比如說(shuō)buffon丟針問(wèn)題、dijkstra的三色旗問(wèn)題、找零錢問(wèn)題、背包問(wèn)題、無(wú)限位數(shù)的整數(shù)運(yùn)算、最短路徑問(wèn)題...
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上傳時(shí)間： 2014-01-05
上傳用戶：athjac
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問(wèn)題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問(wèn)題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些 可靠度的問(wèn)題。
標(biāo)簽： ESD_Technology
上傳時(shí)間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
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