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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
隨著我國通信、電力事業的發展，通信、電力網絡的規模越來越大，系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中，傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發達的國家，各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。
標簽： 熱插拔 模塊 并聯 應用前景
上傳時間： 2014-03-24
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MSP430G2553 硬件例程 非常全面
標簽： G2553 2553 430G MSP
上傳時間： 2013-12-11
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PIC16F877_C語言例程.pdf
標簽： PIC 877 16 語言
上傳時間： 2013-11-18
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MeTech Verilog例程。
標簽： Verilog MeTech 1.0
上傳時間： 2013-11-05
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stm8s的c語言編程例程
標簽： stm8s c語言 編程
上傳時間： 2013-11-08
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MSP430_C語言例程注釋詳
標簽： MSP 430 語言
上傳時間： 2014-12-25
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RM51單片機實驗板配套實驗例程庫
標簽： RM 51 單片機實驗板 實驗
上傳時間： 2013-10-16
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stm32初級例程 源碼資料
標簽： stm 32
上傳時間： 2013-11-17
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pic 單片機例程
標簽： pic 單片機
上傳時間： 2013-11-01
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