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鋰電池監(jiān)(jiān)測(cè)芯片

pcb layout design(臺(tái)灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

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上傳時(shí)間： 2013-10-22

上傳用戶：pei5
IR2110驅(qū)動(dòng)芯片在光伏逆變電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

IR2110是IR公司的橋式驅(qū)動(dòng)集成電路芯片，它采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)，大大簡(jiǎn)化了邏輯電路對(duì)功率器件的控制要求，同時(shí)提高了驅(qū)動(dòng)電路的可靠性[1]。對(duì)于我設(shè)計(jì)的含有ZCS環(huán)節(jié)的單相光伏逆變電路中有6個(gè)IGBT，只需要3片芯片即可驅(qū)動(dòng)，通過dsp2812控制實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)和逆變的功能，同時(shí)只需要提供3.3 V，12 V的基準(zhǔn)電壓即可工作，在工程上大大減少了控制變壓器體積和電源數(shù)目，降低了產(chǎn)品成本，提高了系統(tǒng)可靠性。

標(biāo)簽： 2110 IR 驅(qū)動(dòng)芯片光伏逆變電路

上傳時(shí)間： 2014-01-05

上傳用戶：tom_man2008
M3KK升壓ic芯片

M3KK升壓芯片。

標(biāo)簽： M3KK 升壓芯片

上傳時(shí)間： 2013-11-21

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USB充電控制芯片__FTS198

USB充電自動(dòng)識(shí)別芯片，支持Apple手機(jī)，電流可達(dá)2A。

標(biāo)簽： USB FTS 198 充電控制

上傳時(shí)間： 2013-11-25

上傳用戶：dancnc
30V 3A車充IC CX8505單芯片同步降壓穩(wěn)壓器

CX8505是一款單芯片同步降壓穩(wěn)壓器，在輸入電壓范圍內(nèi)可以持續(xù)提供3A的負(fù)載電流，具有軟啟動(dòng)，低壓保護(hù)，過流保護(hù)、過溫保護(hù)等功能，待機(jī)模式下僅為0.03毫安最具高性價(jià)比的車載充電器方案

標(biāo)簽： 8505 30V CX 單芯片

上傳時(shí)間： 2013-11-22

上傳用戶：zhuyibin
EG8010_SPWM_V2芯片手冊(cè)

EG8010芯片介紹

標(biāo)簽： SPWM_V 8010 EG 芯片手冊(cè)

上傳時(shí)間： 2013-10-14

上傳用戶：pinksun9
MAX8677C鋰電池充電管理芯片

一款實(shí)用的鋰電池充電管理芯片，內(nèi)部集成了常用的外圍功能電路。若是對(duì)成本控制不嚴(yán)格的的話不妨選用。

標(biāo)簽： 8677C 8677 MAX 鋰電池

上傳時(shí)間： 2014-01-08

上傳用戶：lilei900512
小型DFN封裝的電子電路斷路器免除了檢測(cè)電阻器

一直以來，電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個(gè)MOSFET、一個(gè) MOSFET 控制器和一個(gè)電流檢測(cè)電阻器所組成的。

標(biāo)簽： DFN 封裝電子電路斷路器

上傳時(shí)間： 2013-10-18

上傳用戶：qwerasdf
1-3WLED驅(qū)動(dòng)電源芯片方案

SM7523是應(yīng)用于離線式小功率AC/DC開關(guān)電源的高性能的原邊反饋控制功率開關(guān)芯片，在全電壓輸入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度恒流輸出，精度小于±3%，無需環(huán)路補(bǔ)償，并可使系統(tǒng)節(jié)省光耦，TL431以及變壓器輔助繞組等元件，降低成本。芯片內(nèi)部集成了逐周期峰值電流限制，F(xiàn)B過壓保護(hù)，輸出開/短路保護(hù)和開機(jī)軟啟動(dòng)等保護(hù)功能，以提高系統(tǒng)的可靠性。

標(biāo)簽： WLED 驅(qū)動(dòng)電源芯片方案

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶：410805624
N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時(shí)間： 2013-11-12

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