WS2812-LED燈珠控制程序——向右上一色做底色流水
標(biāo)簽： 2812 LED WS 控制 程序
上傳時(shí)間： 2019-04-11
上傳用戶：ajing
本文對(duì)磁電系儀表磁系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及技術(shù)特性進(jìn)行了較詳冬的論述和分析, 并通過對(duì)外磁式和內(nèi)磁式儀表各項(xiàng)技術(shù)特性的比較, 闡述了各自的優(yōu)缺點(diǎn), 同時(shí)也提供了改善內(nèi)磁式儀表非線性刻度的幾種切實(shí)可行的方法。
標(biāo)簽： 磁電系 儀表 系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2019-06-10
上傳用戶：sunonhorizon
MAT_90全數(shù)字控制的磁式高分_省略_譜儀_介紹
標(biāo)簽： MAT 90 全數(shù)字 控制 分 磁式 譜儀
上傳時(shí)間： 2019-07-14
上傳用戶：chen_ying993
磁_(tái)電_四極桿級(jí)聯(lián)質(zhì)譜中的離子光學(xué)設(shè)計(jì)_韋冠
標(biāo)簽： 級(jí)聯(lián) 離子 光學(xué)設(shè)計(jì) 質(zhì)譜
磁偏轉(zhuǎn)質(zhì)譜計(jì)高壓掃描電源的設(shè)計(jì)_劉克承
標(biāo)簽： 偏轉(zhuǎn) 質(zhì)譜 掃描電源
基于換相區(qū)空間電壓矢量的開關(guān)磁阻電機(jī)直接轉(zhuǎn)矩控制系統(tǒng)及方法-公開
標(biāo)簽： 開關(guān)磁阻電機(jī) 直接轉(zhuǎn)矩控制
上傳時(shí)間： 2019-07-26
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詳細(xì)介紹了血氧飽和模塊的電路圖、模式以及和探頭實(shí)物的連接圖，還有一些使用的注意事項(xiàng)
標(biāo)簽： 數(shù)字 手冊(cè) 血氧飽和度 檢測(cè)模塊
上傳時(shí)間： 2020-06-03
上傳用戶：浮生若茶
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
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在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些 可靠度的問題。
標(biāo)簽： ESD_Technology
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