題目：加密軟件 要求：（1）輸入任意一段明文M，以及密鑰K （2）根據(jù)一下公式將其轉(zhuǎn)換為密文C。 Ci = mi + K ,其中i = 0,1,……n-1 , K 為密鑰； （3）具有輸入輸出界面。
上傳時(shí)間： 2013-11-25
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k個(gè)位子，n個(gè)元素填充，每個(gè)位置上數(shù)字可重復(fù)。例程為一簡(jiǎn)潔的遞歸算法，顯示所有可能的組合
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上傳時(shí)間： 2017-09-01
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實(shí)驗(yàn)源代碼 //Warshall.cpp #include<stdio.h> void warshall(int k,int n) { int i , j, t; int temp[20][20]; for(int a=0;a<k;a++) { printf("請(qǐng)輸入矩陣第%d 行元素:",a); for(int b=0;b<n;b++) { scanf ("%d",&temp[a][b]); } } for(i=0;i<k;i++){ for( j=0;j<k;j++){ if(temp[ j][i]==1) { for(t=0;t<n;t++) { temp[ j][t]=temp[i][t]||temp[ j][t]; } } } } printf("可傳遞閉包關(guān)系矩陣是:\n"); for(i=0;i<k;i++) { for( j=0;j<n;j++) { printf("%d", temp[i][ j]); } printf("\n"); } } void main() { printf("利用 Warshall 算法求二元關(guān)系的可傳遞閉包\n"); void warshall(int,int); int k , n; printf("請(qǐng)輸入矩陣的行數(shù) i: "); scanf("%d",&k); 四川大學(xué)實(shí)驗(yàn)報(bào)告 printf("請(qǐng)輸入矩陣的列數(shù) j: "); scanf("%d",&n); warshall(k,n); }
標(biāo)簽： warshall 離散 實(shí)驗(yàn)
上傳時(shí)間： 2016-06-27
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#include "iostream" using namespace std; class Matrix { private: double** A; //矩陣A double *b; //向量b public: int size; Matrix(int ); ~Matrix(); friend double* Dooli(Matrix& ); void Input(); void Disp(); }; Matrix::Matrix(int x) { size=x; //為向量b分配空間并初始化為0 b=new double [x]; for(int j=0;j<x;j++) b[j]=0; //為向量A分配空間并初始化為0 A=new double* [x]; for(int i=0;i<x;i++) A[i]=new double [x]; for(int m=0;m<x;m++) for(int n=0;n<x;n++) A[m][n]=0; } Matrix::~Matrix() { cout<<"正在析構(gòu)中~~~~"<<endl; delete b; for(int i=0;i<size;i++) delete A[i]; delete A; } void Matrix::Disp() { for(int i=0;i<size;i++) { for(int j=0;j<size;j++) cout<<A[i][j]<<" "; cout<<endl; } } void Matrix::Input() { cout<<"請(qǐng)輸入A:"<<endl; for(int i=0;i<size;i++) for(int j=0;j<size;j++){ cout<<"第"<<i+1<<"行"<<"第"<<j+1<<"列:"<<endl; cin>>A[i][j]; } cout<<"請(qǐng)輸入b:"<<endl; for(int j=0;j<size;j++){ cout<<"第"<<j+1<<"個(gè):"<<endl; cin>>b[j]; } } double* Dooli(Matrix& A) { double *Xn=new double [A.size]; Matrix L(A.size),U(A.size); //分別求得U，L的第一行與第一列 for(int i=0;i<A.size;i++) U.A[0][i]=A.A[0][i]; for(int j=1;j<A.size;j++) L.A[j][0]=A.A[j][0]/U.A[0][0]; //分別求得U，L的第r行，第r列 double temp1=0,temp2=0; for(int r=1;r<A.size;r++){ //U for(int i=r;i<A.size;i++){ for(int k=0;k<r-1;k++) temp1=temp1+L.A[r][k]*U.A[k][i]; U.A[r][i]=A.A[r][i]-temp1; } //L for(int i=r+1;i<A.size;i++){ for(int k=0;k<r-1;k++) temp2=temp2+L.A[i][k]*U.A[k][r]; L.A[i][r]=(A.A[i][r]-temp2)/U.A[r][r]; } } cout<<"計(jì)算U得:"<<endl; U.Disp(); cout<<"計(jì)算L的:"<<endl; L.Disp(); double *Y=new double [A.size]; Y[0]=A.b[0]; for(int i=1;i<A.size;i++ ){ double temp3=0; for(int k=0;k<i-1;k++) temp3=temp3+L.A[i][k]*Y[k]; Y[i]=A.b[i]-temp3; } Xn[A.size-1]=Y[A.size-1]/U.A[A.size-1][A.size-1]; for(int i=A.size-1;i>=0;i--){ double temp4=0; for(int k=i+1;k<A.size;k++) temp4=temp4+U.A[i][k]*Xn[k]; Xn[i]=(Y[i]-temp4)/U.A[i][i]; } return Xn; } int main() { Matrix B(4); B.Input(); double *X; X=Dooli(B); cout<<"~~~~解得:"<<endl; for(int i=0;i<B.size;i++) cout<<"X["<<i<<"]:"<<X[i]<<" "; cout<<endl<<"呵呵呵呵呵"; return 0; }
標(biāo)簽： 道理特分解法
上傳時(shí)間： 2018-05-20
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function [R,k,b] = msc(A) % 多元散射校正 % 輸入待處理矩陣，通過(guò)多元散射校正，求得校正后的矩陣 %% 獲得矩陣行列數(shù) [m,n] = size(A); %% 求平均光譜 M = mean(A,2); %% 利用最小二乘法求每一列的斜率k和截距b for i = 1:n a = polyfit(M,A(:,i),1); if i == 1 k = a(1); b = a(2); else k = [k,a(1)]; b = [b,a(2)]; end end %% 求得結(jié)果 for i = 1:n Ai = (A(:,i)-b(i))/k(i); if i == 1 R = Ai; else R = [R,Ai]; end end
上傳時(shí)間： 2020-03-12
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本書共11章。 第1章簡(jiǎn)要介紹了高電壓功率器件的可能應(yīng)用， 定義了理想功率開關(guān)的電特性， 并與典型器件的電特性進(jìn)行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關(guān)斷 （GTO） 晶閘管結(jié)構(gòu)。 第5章致力于分析硅基IGBT結(jié)構(gòu)， 以提供對(duì)比分析的標(biāo)準(zhǔn)。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結(jié)構(gòu)。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于保護(hù)柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區(qū)，以避免擴(kuò)展擊穿。 這些器件的導(dǎo)通電壓降由溝道電阻和緩沖層設(shè)計(jì)所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導(dǎo)體控制晶閘（MCT） 結(jié)構(gòu)和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結(jié)構(gòu)， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷。 第10章介紹了發(fā)射極開關(guān)晶閘（EST）， 該種結(jié)構(gòu)也利用一種MOS柵結(jié)構(gòu)來(lái)控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷， 并可利用IGBT加工工藝來(lái)制造。 這種器件具有良好的安全工作區(qū)。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結(jié)構(gòu)。本書的讀者對(duì)象包括在校學(xué)生、 功率器件設(shè)計(jì)制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書， 亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。
標(biāo)簽： 大功率器件
上傳時(shí)間： 2021-11-02
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本應(yīng)用筆記詳細(xì)記載了關(guān)于羅姆的SiC 器件的特性及使用方法。從分立器件到模塊，面向各種應(yīng)用，SiC器件的優(yōu)勢(shì)和使用上的注意點(diǎn)，從初次接觸SiC器件到熟知產(chǎn)品的各位，都可以得到應(yīng)用和幫助
上傳時(shí)間： 2022-02-08
上傳用戶：shjgzh
家 庭 總 線 是 智 能 家 居 實(shí) 現(xiàn) 的 重 要 基 礎(chǔ) ． 是 住 宅 內(nèi) 部 的 神 經(jīng) 系 統(tǒng) ． 其 主 要 作 用 是 連 接 家 中的各 種 電子 、 電氣 設(shè) 備 ． 負(fù)責(zé) 將 家 庭 內(nèi) 的 各 種 通 信 設(shè) 備 ( 包 括 安 保 、 電話 、 家 電 、 視 聽(tīng) 設(shè) 備 等 )連 接 在 一 起 ． 形 成 一 個(gè) 完 整 的家 庭 網(wǎng) 絡(luò) 。 日 本 是 較 早 推 動(dòng) 智 能 家 居 發(fā) 展 的 國(guó) 家 之 一 ， 它 較 早 地 提 出 了 家庭 總線 系統(tǒng) (H O m e B u S S Y S t e m ， 簡(jiǎn)稱H B S ) 的概念 ． 成 立 了 家庭 總線 (H B S )研 究會(huì) ． 并 在 郵政省和 通 產(chǎn) 省 的指 導(dǎo) 下 組 成 了H B S 標(biāo) 準(zhǔn)委 員 會(huì) ， 制定 了 日 本 的H B s 標(biāo) 準(zhǔn) 。 按 照 該 標(biāo) 準(zhǔn) ， H B S 系統(tǒng) 由一 條 同 軸 電 纜 和 4 對(duì) 雙 絞 線 構(gòu) 成 ， 前 者 用 于 傳 輸 圖 像 信 息 ． 后者 用 于 傳輸語(yǔ) 音 、 數(shù)據(jù)及 控制信 號(hào) 。 各 類家用 設(shè) 備 與 電氣 設(shè) 備 均 按 一 定 方式 與H B S 相 連 ， 這 些 電氣設(shè) 備 既 可 以在 室 內(nèi)進(jìn) 行 控制 ． 也 可 在異地 通 過(guò) 電話進(jìn)行 遙 控 。 為適 應(yīng) 大型 居住社 區(qū) 的需 要 ， 1 9 8 8 年年初 ， 日 本住 宅信息 化推進(jìn)協(xié)會(huì) 又 推 出 了 超級(jí) 家庭總 線 (S u p e r H0 m e B u s S y s t e m ， 簡(jiǎn) 稱S - H B S ) ， 它適 用 于 更 大 的范 圍 ． 因 為一 個(gè)S - H B s 系統(tǒng)可 掛接 數(shù)千個(gè)家庭 內(nèi)部 網(wǎng) 。 家庭 智能化要 求諸 多家 電和 網(wǎng)絡(luò)能夠彼此 相容 ． 總線協(xié) 議是 其精髓 所 在 ， 只 有接 E l 暢通 ， 家 電才能 “ 聽(tīng)懂 ” 人 發(fā) 出的指令 ， 因此 總線標(biāo)準(zhǔn) 的物理 層 接 口 形 式 是 智能 家居 亟 待解決 的重 要 問(wèn)題 之 一 。 目前 比 較成型 的總線標(biāo) 準(zhǔn) 協(xié) 議 主 要 是 美 國(guó)公 司 提 出 的 ， 包 括E c h e l o n 公 司 I)~L o n W o r k s 協(xié)議 、 電子 工 業(yè) 協(xié) 會(huì) (E I A ) 的C E 總線協(xié) 議 (C EB u S ) 、 S m a r t Ho u s e L P 的智 能屋 協(xié) 議 和×一 1 0 公 司 的X 一 1 0 協(xié) 議等。 這 些 協(xié) 議 各 有 優(yōu) 劣 。
標(biāo)簽： 智能家居
上傳時(shí)間： 2022-03-11
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【例3.1]4位全加器module adder 4（cout，sum i na，i nb，cin）；output[3：0]sum output cout；input[3：0]i na，i nb；input cin；assign（cout，suml=i na +i nb+ci n；endmodule【例3.2]4位計(jì)數(shù)器module count 4（out，reset，clk）；output[3：0]out；input reset，cl k；regl 3：01 out；always@posedge clk）
標(biāo)簽： verilog
上傳時(shí)間： 2022-06-16
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Sentaurus TCAD全面繼承了Tsuprem4，Medici和ISE-TCAD的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，它可以用來(lái)模擬集成器件的工藝制程，器件物理特性和互連線特性等。Sentaurus TCAD提供全面的產(chǎn)品套件，其中包括Sentaurus Workbench, Ligament, Sentaurus Process, Sentaurus Structure Editor, Mesh Noffset3D, Sentaurus Device, Tecplot SV Inspect, Advanced Calibration等等。Sentaurus Process和Sentaurus Device可以支持的仿真器件類型非常廣泛，包括CMOS，功率器件，存儲(chǔ)器，圖像傳感器，太陽(yáng)能電池，和模擬/射頻器件。sentaurus TCAD還提供互連建模和參數(shù)提取工具，為優(yōu)化芯片性能提供關(guān)鍵的寄生參數(shù)信息。
標(biāo)簽： 半導(dǎo)體器件 tcad
上傳時(shí)間： 2022-06-30
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