\r\n經典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版
上傳時間： 2013-09-11
上傳用戶：Yukiseop
15.2 已經加入了有關貫孔及銲點的Z軸延遲計算功能. 先開啟 Setup - Constraints - Electrical constraint sets 下的 DRC 選項. 點選 Electrical Constraints dialog box 下 Options 頁面 勾選 Z-Axis delay欄.
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：王慶才
用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)
上傳時間： 2014-01-22
上傳用戶：魚哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
上傳時間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
基于0．25gm PHEMT工藝，給出了兩個高增益K 波段低噪聲放大器．放大器設計中采用了三級級聯增加柵寬的電路結構，通過前級源極反饋電感的恰當選取獲得較高的增益和較低的噪聲；采用直流偏置上加阻容網絡，用來消除低頻增益和振蕩；三級電路通過電阻共用一組正負電源，使用方便，且電路性能較好，輸入輸出駐波比小于2．0；功率增益達24dB；噪聲系數小于3．5dB．兩個放大器都有較高的動態范圍和較小的面積，放大器ldB壓縮點輸出功率大于15dBm；芯片尺寸為1mm×2mm×0．1mm．該放大器可以應用在24GHz汽車雷達前端和26．5GHz本地多點通信系統中．
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：masochism
Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：rocketrevenge
PCB線寬和電流關系公式 先計算Track的截面積，大部分PCB的銅箔厚度為35um（即 1oz）它乘上線寬就是截面積，注意換算成平方毫米。 有一個電流密度經驗值，為15~25安培/平方毫米。把它稱上截面積就得到通流容量。 I=KT（0.44）A（0.75）， 括號里面是指數， K為修正系數，一般覆銅線在內層時取0.024，在外層時取0.048 T為最大溫升，單位為攝氏度（銅的熔點是1060℃） A為覆銅截面積，單位為square mil. I為容許的最大電流，單位為安培。 一般 10mil=0.010inch=0.254mm 1A ， 250mil=6.35mm 8.3A ？倍數關系，與公式不符 ？
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：ls530720646
抑制△I 噪聲一般需要從多方面著手, 但通過PCB 設計抑制△I 噪聲是有效的措施之一。如何通過PCB 設計抑制△I 噪聲是一個亟待深入研究的問題。在對△I 噪聲的產生、特點、主要危害等研究的基礎上, 討論了輻射干擾機理, 重點結合PCB 和EMC 研究的新進展, 研究了抑制△I 噪聲的PCB 設計方法。對通過PCB 設計抑制△I 噪聲的研究與應用具有指導作用。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：時代電子小智
