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P P I I CK I I T T3 3 使用 說(shuō)明--- - 連機(jī) 、 脫 機(jī)操作試用 MPLAB IDE 軟件一 、 P P I I C CK K I I T3 接 口說(shuō) 明, , 硬 件 二 、 P P I I C CK K I I T3 連 接 電腦 MPL L AB I I DE 聯(lián)機(jī)三 、 聯(lián)機(jī)四 、聯(lián)機(jī)讀芯片程序五 、 脫機(jī) 燒寫(xiě) 調(diào)試
標(biāo)簽： kit3 聯(lián)機(jī) 脫機(jī)
上傳時(shí)間： 2022-03-24
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-20
上傳用戶：wangshoupeng199
最新華為pcb技術(shù)規(guī)范行溫度 110°C130°C150℃MOT（最大運(yùn)行溫度）到UL 746130°C150°C180°C 熱阻要求定義：溫度：????? 時(shí)間：????? 氣候：???抗熱震性 -40°C至+ 85°C老化循環(huán)： 100 200 500 1000 -40°C至+ 110°C老化循環(huán)： 100 200 500 1000 -40°C至+ 125°C老化循環(huán)： 100 200 500 1000老化循環(huán)： 特別：????? 低/高溫時(shí)間：2小時(shí)/ 2小熱穩(wěn)定性， 即焊料電阻（即無(wú)鉛焊料）波峰焊接<250°C<260°C<270°C<280°C 回流焊接周期：2<250°C<260°C<270°C<280°C 氣相焊接<250°C<260°C<270°C最大<280°C 產(chǎn)品應(yīng)用中的溫度溫度：???? 時(shí)間： ????? 氣候：?????機(jī)械要求■機(jī)械穩(wěn)定性達(dá)到：+ 85°C+ 110°C+ 130°C+ 150°C ■扭曲 <0.5％<0,75％<1,0％■x/y軸的CTE單位[ppm / K] <18 <14 <10 ■z軸的CTE（低于Tg）單位[ppm / K]<70 <50 <30 ■z軸的CTE（高于Tg）單位[ppm / K]<300 <260 <230 ■銅附著力單位[N /mm2]<0,80,8到1,6> 1,6 ■重量單位[kg /dm2]：nd
標(biāo)簽： pcb規(guī)范
上傳時(shí)間： 2022-07-22
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VIP專區(qū)-嵌入式/單片機(jī)編程源碼精選合集系列（39）資源包含以下內(nèi)容：1. 這是有關(guān)SPI總線的一段讀寫(xiě)程序.2. 這是一段MAX7219的驅(qū)動(dòng)C51源程序.3. 利用msp430的通用I/O端口模擬I2c協(xié)議的源代碼.4. 超級(jí)下載軟件(progisp ver1.1)包括并口下載器與usb isp下載器的詳細(xì)制作資料.5. MCS51產(chǎn)單片機(jī)上實(shí)現(xiàn)的tcp/ip,很全的哦,需要的可以參考一下..6. 嵌入式系統(tǒng)圖形用戶界面編程.7. 05嵌入式大會(huì)的部分演講稿.8. 51系列對(duì)CH375模塊讀寫(xiě).9. test for boundary scan and CPLD ics..10. 這是我個(gè)人再學(xué)習(xí)ARM7s3c2410的 時(shí)候用到的試驗(yàn)代碼.11. 本人水品有限.12. 是在不好意思.13. 入門(mén)試驗(yàn)代碼.14. pxros的使用說(shuō)明.15. 在NIOS中利用C語(yǔ)言模擬I2C總線時(shí)序.16. ALTERA NIOS處理器實(shí)驗(yàn).17. ALTERA NIOS處理器實(shí)驗(yàn).18. ALTERA NIOS處理器實(shí)驗(yàn).19. ALTERA NIOS處理器實(shí)驗(yàn).20. ALTERA NIOS處理器實(shí)驗(yàn).21. 隨著高性能計(jì)算的需求.22. ADS1.2是一個(gè)使用方便的集成開(kāi)發(fā)環(huán)境.23. AVR單片機(jī)嵌入式操作系統(tǒng)原代碼.24. 有關(guān)rtos的書(shū).25. 重要的匯編語(yǔ)言編程......和大家一起分享.26. AT91M55800A材料-BasicTimer.27. I2c代碼.28. WINDOWS系統(tǒng)下灰度的BMP圖片轉(zhuǎn)換成黑白圖片..29. 在WINDOWS CE.NET 系統(tǒng)中讀RDP連接的用戶名的密碼..30. 嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)μCOS-在ARM上的移植應(yīng)用.31. 在s3c44b0x運(yùn)行的俄羅斯方塊游戲 DOS參考代碼.32. uCOS-II在C51下的一個(gè)完整的LCD項(xiàng)目源碼.33. 石子歸并問(wèn)題：在一個(gè)圓形操場(chǎng)的四周擺放著N堆石子(N<= 100),現(xiàn)要將石子有次序地合并成一堆.規(guī)定每次只能選取相鄰的兩堆合并成新的一堆,并將新的一堆的石子數(shù),記為該次合并的得分.編一程序,由.34. 單片機(jī)及嵌入式系統(tǒng)web實(shí)現(xiàn)的文章 很好的：MCU應(yīng)用系統(tǒng)與Internet連接的一種新技術(shù).35. 單片機(jī)發(fā)展趨勢(shì)的文章： 從Cygnal C8051F看8位單片機(jī)發(fā)展之路 好.36. usb host在ARM7上的實(shí)現(xiàn).37. 對(duì)arm300的一些簡(jiǎn)單的試驗(yàn)做了詳細(xì)地說(shuō)明和講解.38. arm技術(shù)手冊(cè).39. arm7上開(kāi)發(fā)usb的文檔,說(shuō)得非常好.40. 一個(gè)關(guān)于s1d13806的應(yīng)用程序.
標(biāo)簽： 機(jī)構(gòu) 分 機(jī)械手
上傳時(shí)間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
附錄 光盤(pán)說(shuō)明\r\n本書(shū)附贈(zèng)的光盤(pán)包括各章節(jié)實(shí)例的設(shè)計(jì)工程與源碼，所有工程在下列軟件環(huán)境下運(yùn)行通過(guò)：\r\n? Windows XP SP2\r\n? MATLAB\r\n? Altera Quartus II \r\n? synplify8.4\r\n? modelsim_ae6.1\r\n\r\n光盤(pán)目錄與實(shí)例名稱的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下：\r\n\r\n cht02文件夾中存放的是書(shū)中第2章中的例子，讀者可以將一些簡(jiǎn)單例子的代碼 \r\n拷貝到MATLAB命令窗口進(jìn)行運(yùn)行，也可以把
上傳時(shí)間： 2013-08-11
上傳用戶：ecooo
基于PXA270-S linux的FPGA實(shí)現(xiàn)。\r\n向LED_CONTROL寫(xiě)入n即得到n*0.1S的延時(shí)，LED閃爍的快慢程度發(fā)生變化。
上傳時(shí)間： 2013-08-22
上傳用戶：tb_6877751
對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒(méi)有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
假定從8位AD中讀取數(shù)據(jù)（如果是更高位的AD可定義數(shù)據(jù)類型為int),子程序?yàn)間et_ad(); 1、限幅濾波法（又稱程序判斷濾波法） A、方法： 根據(jù)經(jīng)驗(yàn)判斷，確定兩次采樣允許的最大偏差值（設(shè)為A） 每次檢測(cè)到新值時(shí)判斷： 如果本次值與上次值之差<=A,則本次值有效 如果本次值與上次值之差>A,則本次值無(wú)效,放棄本次值,用上次值代替本次值 B、優(yōu)點(diǎn)： 能有效克服因偶然因素引起的脈沖干擾 C、缺點(diǎn) 無(wú)法抑制那種周期性的干擾 平滑度差 /* A值可根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整 value為有效值，new_value為當(dāng)前采樣值 濾波程序返回有效的實(shí)際值 */ #define A 10 char value; char filter() { char new_value; new_value = get_ad(); if ( ( new_value - value > A ) || ( value - new_value > A ) return value; return new_value; } 2、中位值濾波法 A、方法： 連續(xù)采樣N次（N取奇數(shù)） 把N次采樣值按大小排列 取中間值為本次有效值 B、優(yōu)點(diǎn)： 能有效克服因偶然因素引起的波動(dòng)干擾 對(duì)溫度、液位的變化緩慢的被測(cè)參數(shù)有良好的濾波效果 C、缺點(diǎn)： 對(duì)流量、速度等快速變化的參數(shù)不宜 /* N值可根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整 排序采用冒泡法*/
上傳時(shí)間： 2014-12-26
上傳用戶：nanshan
電梯召喚、指令信號(hào)的傳輸大致有以下三種方法。 1 一一對(duì)應(yīng)連線方法，即每只召喚或指令的傳輸單獨(dú)占據(jù)一路線。2．矩陣掃描傳輸方式，這種方式的傳輸將召喚或指令按鈕分為n行和n列排列，在行列的各個(gè)交點(diǎn)處串入一只召喚或指令按鈕。
上傳時(shí)間： 2014-12-27
上傳用戶：maizezhen
離散傅里葉變換,(DFT)Direct Fouriet Transformer(PPT課件) 一、序列分類對(duì)一個(gè)序列長(zhǎng)度未加以任何限制，則一個(gè)序列可分為： 無(wú)限長(zhǎng)序列：n=-∞~∞或n=0~∞或n=-∞~ 0 有限長(zhǎng)序列：0≤n≤N-1有限長(zhǎng)序列在數(shù)字信號(hào)處理是很重要的一種序列。由于計(jì)算機(jī)容量的限制，只能對(duì)過(guò)程進(jìn)行逐段分析。二、DFT引入由于有限長(zhǎng)序列，引入DFT(離散付里葉變換)。DFT它是反映了“有限長(zhǎng)”這一特點(diǎn)的一種有用工具。DFT變換除了作為有限長(zhǎng)序列的一種付里葉表示，在理論上重要之外，而且由于存在著計(jì)算機(jī)DFT的有效快速算法--FFT,因而使離散付里葉變換(DFT)得以實(shí)現(xiàn)，它使DFT在各種數(shù)字信號(hào)處理的算法中起著核心的作用。三、本章主要討論 離散付里葉變換的推導(dǎo)離散付里葉變換的有關(guān)性質(zhì)離散付里葉變換逼近連續(xù)時(shí)間信號(hào)的問(wèn)題第二節(jié) 付里葉變換的幾種形式傅 里 葉 變 換 ： 建 立 以 時(shí) 間 t 為 自 變 量 的 “ 信 號(hào) ” 與 以 頻 率 f為 自 變 量 的 “ 頻 率 函 數(shù) ”(頻譜) 之 間 的 某 種 變 換 關(guān) 系 . 所 以 “ 時(shí) 間 ” 或 “ 頻 率 ” 取 連 續(xù) 還 是 離 散 值 , 就 形 成 各 種 不 同 形 式 的 傅 里 葉 變 換 對(duì) 。, 在 深 入 討 論 離 散 傅 里 葉 變 換 D F T 之 前 , 先 概 述 四種 不 同 形式 的 傅 里 葉 變 換 對(duì) . 一、四種不同傅里葉變換對(duì)傅 里 葉 級(jí) 數(shù)(FS)：連 續(xù) 時(shí) 間 , 離 散 頻 率 的 傅 里 葉 變 換 。連 續(xù) 傅 里 葉 變 換(FT)：連 續(xù) 時(shí) 間 , 連 續(xù) 頻 率 的 傅 里 葉 變 換 。序 列 的 傅 里 葉 變 換(DTFT):離 散 時(shí) 間 , 連 續(xù) 頻 率 的 傅 里 葉 變 換.離 散 傅 里 葉 變 換(DFT):離 散 時(shí) 間 , 離 散 頻 率 的 傅 里 葉 變 換1.傅 里 葉 級(jí) 數(shù)(FS)周期連續(xù)時(shí)間信號(hào) 非周期離散頻譜密度函數(shù)。 周期為T(mén)p的周期性連續(xù)時(shí)間函數(shù) x(t) 可展成傅里葉級(jí)數(shù)X(jkΩ0) ,是離散非周期性頻譜 , 表 示為:例子通過(guò)以下 變 換 對(duì) 可 以 看 出 時(shí) 域 的 連 續(xù) 函 數(shù) 造 成 頻 域 是 非 周 期 的 頻 譜 函 數(shù) , 而 頻 域 的 離 散 頻 譜 就 與 時(shí) 域 的 周 期 時(shí) 間 函 數(shù) 對(duì) 應(yīng) . (頻域采樣，時(shí)域周期延 拓)2.連 續(xù) 傅 里 葉 變 換(FT)非周期連續(xù)時(shí)間信號(hào)通過(guò)連續(xù)付里葉變換(FT)得到非周期連續(xù)頻譜密度函數(shù)。
標(biāo)簽： Fouriet Direct DFT Tr
上傳時(shí)間： 2013-11-19
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