Chu序列、Bjork序列、P序列實(shí)現(xiàn) % cazac_creat 生成cazac序列 % signal_length:生成cazac信號(hào)長度 N % cazac_seq:生成的cazac序列 % sig_num:序列個(gè)數(shù) M % k=signal_length-1; % seq_switch: % 1:Chu M<=N-1 % 2:P M<=N % 3:Bjorck M<=N
上傳時(shí)間： 2021-11-11
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作者：何亮，劉揚(yáng)論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場(chǎng)前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ，其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級(jí) 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實(shí) 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應(yīng) 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié) 構(gòu) 存 在 的 缺 點(diǎn) ，業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實(shí)用 化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。
標(biāo)簽： 第三代半導(dǎo)體 GaN 功率開關(guān)器件
上傳時(shí)間： 2021-12-08
上傳用戶：XuVshu
P P I I CK I I T T3 3 使用 說明--- - 連機(jī) 、 脫 機(jī)操作試用 MPLAB IDE 軟件一 、 P P I I C CK K I I T3 接 口說 明, , 硬 件 二 、 P P I I C CK K I I T3 連 接 電腦 MPL L AB I I DE 聯(lián)機(jī)三 、 聯(lián)機(jī)四 、聯(lián)機(jī)讀芯片程序五 、 脫機(jī) 燒寫 調(diào)試
標(biāo)簽： kit3 聯(lián)機(jī) 脫機(jī)
上傳時(shí)間： 2022-03-24
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最新華為pcb技術(shù)規(guī)范行溫度 110°C130°C150℃MOT（最大運(yùn)行溫度）到UL 746130°C150°C180°C 熱阻要求定義：溫度：????? 時(shí)間：????? 氣候：???抗熱震性 -40°C至+ 85°C老化循環(huán)： 100 200 500 1000 -40°C至+ 110°C老化循環(huán)： 100 200 500 1000 -40°C至+ 125°C老化循環(huán)： 100 200 500 1000老化循環(huán)： 特別：????? 低/高溫時(shí)間：2小時(shí)/ 2小熱穩(wěn)定性， 即焊料電阻（即無鉛焊料）波峰焊接<250°C<260°C<270°C<280°C 回流焊接周期：2<250°C<260°C<270°C<280°C 氣相焊接<250°C<260°C<270°C最大<280°C 產(chǎn)品應(yīng)用中的溫度溫度：???? 時(shí)間： ????? 氣候：?????機(jī)械要求■機(jī)械穩(wěn)定性達(dá)到：+ 85°C+ 110°C+ 130°C+ 150°C ■扭曲 <0.5％<0,75％<1,0％■x/y軸的CTE單位[ppm / K] <18 <14 <10 ■z軸的CTE（低于Tg）單位[ppm / K]<70 <50 <30 ■z軸的CTE（高于Tg）單位[ppm / K]<300 <260 <230 ■銅附著力單位[N /mm2]<0,80,8到1,6> 1,6 ■重量單位[kg /dm2]：nd
標(biāo)簽： pcb規(guī)范
上傳時(shí)間： 2022-07-22
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VIP專區(qū)-嵌入式/單片機(jī)編程源碼精選合集系列（39）資源包含以下內(nèi)容：1. 這是有關(guān)SPI總線的一段讀寫程序.2. 這是一段MAX7219的驅(qū)動(dòng)C51源程序.3. 利用msp430的通用I/O端口模擬I2c協(xié)議的源代碼.4. 超級(jí)下載軟件(progisp ver1.1)包括并口下載器與usb isp下載器的詳細(xì)制作資料.5. MCS51產(chǎn)單片機(jī)上實(shí)現(xiàn)的tcp/ip,很全的哦,需要的可以參考一下..6. 嵌入式系統(tǒng)圖形用戶界面編程.7. 05嵌入式大會(huì)的部分演講稿.8. 51系列對(duì)CH375模塊讀寫.9. test for boundary scan and CPLD ics..10. 這是我個(gè)人再學(xué)習(xí)ARM7s3c2410的 時(shí)候用到的試驗(yàn)代碼.11. 本人水品有限.12. 是在不好意思.13. 入門試驗(yàn)代碼.14. pxros的使用說明.15. 在NIOS中利用C語言模擬I2C總線時(shí)序.16. ALTERA NIOS處理器實(shí)驗(yàn).17. ALTERA NIOS處理器實(shí)驗(yàn).18. ALTERA NIOS處理器實(shí)驗(yàn).19. ALTERA NIOS處理器實(shí)驗(yàn).20. ALTERA NIOS處理器實(shí)驗(yàn).21. 隨著高性能計(jì)算的需求.22. ADS1.2是一個(gè)使用方便的集成開發(fā)環(huán)境.23. AVR單片機(jī)嵌入式操作系統(tǒng)原代碼.24. 有關(guān)rtos的書.25. 重要的匯編語言編程......和大家一起分享.26. AT91M55800A材料-BasicTimer.27. I2c代碼.28. WINDOWS系統(tǒng)下灰度的BMP圖片轉(zhuǎn)換成黑白圖片..29. 在WINDOWS CE.NET 系統(tǒng)中讀RDP連接的用戶名的密碼..30. 嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)μCOS-在ARM上的移植應(yīng)用.31. 在s3c44b0x運(yùn)行的俄羅斯方塊游戲 DOS參考代碼.32. uCOS-II在C51下的一個(gè)完整的LCD項(xiàng)目源碼.33. 石子歸并問題：在一個(gè)圓形操場(chǎng)的四周擺放著N堆石子(N<= 100),現(xiàn)要將石子有次序地合并成一堆.規(guī)定每次只能選取相鄰的兩堆合并成新的一堆,并將新的一堆的石子數(shù),記為該次合并的得分.編一程序,由.34. 單片機(jī)及嵌入式系統(tǒng)web實(shí)現(xiàn)的文章 很好的：MCU應(yīng)用系統(tǒng)與Internet連接的一種新技術(shù).35. 單片機(jī)發(fā)展趨勢(shì)的文章： 從Cygnal C8051F看8位單片機(jī)發(fā)展之路 好.36. usb host在ARM7上的實(shí)現(xiàn).37. 對(duì)arm300的一些簡(jiǎn)單的試驗(yàn)做了詳細(xì)地說明和講解.38. arm技術(shù)手冊(cè).39. arm7上開發(fā)usb的文檔,說得非常好.40. 一個(gè)關(guān)于s1d13806的應(yīng)用程序.
標(biāo)簽： 機(jī)構(gòu) 分 機(jī)械手
上傳時(shí)間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
附錄 光盤說明\r\n本書附贈(zèng)的光盤包括各章節(jié)實(shí)例的設(shè)計(jì)工程與源碼，所有工程在下列軟件環(huán)境下運(yùn)行通過：\r\n? Windows XP SP2\r\n? MATLAB\r\n? Altera Quartus II \r\n? synplify8.4\r\n? modelsim_ae6.1\r\n\r\n光盤目錄與實(shí)例名稱的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下：\r\n\r\n cht02文件夾中存放的是書中第2章中的例子，讀者可以將一些簡(jiǎn)單例子的代碼 \r\n拷貝到MATLAB命令窗口進(jìn)行運(yùn)行，也可以把
上傳時(shí)間： 2013-08-11
上傳用戶：ecooo
基于PXA270-S linux的FPGA實(shí)現(xiàn)。\r\n向LED_CONTROL寫入n即得到n*0.1S的延時(shí)，LED閃爍的快慢程度發(fā)生變化。
上傳時(shí)間： 2013-08-22
上傳用戶：tb_6877751
對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
凌力爾特公司提供了一個(gè)規(guī)模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器繫列，這些器件是專為驅(qū)動(dòng)高功率 LED 而設(shè)計(jì)的。
標(biāo)簽： LED 高電壓 降壓型轉(zhuǎn)換器 驅(qū)動(dòng)高功率
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：playboys0
反激式轉(zhuǎn)換器通常應(yīng)用於具有多個(gè)輸出電壓並要求中低輸出功率的電源。配合采用一個(gè)反激式轉(zhuǎn)換器，多輸出僅增加極少的成本或復(fù)雜度––– 每個(gè)額外的輸出僅要求另一個(gè)變壓器繞組、整流器和輸出濾波電容器。
標(biāo)簽： 反激式控制器 輸出 調(diào)節(jié) 性能
上傳時(shí)間： 2013-11-22
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