運(yùn)放電路中的恒流源電路分析方法 普通鏡像恒流源、多集電極恒流源、高精度鏡像恒流源、高內(nèi)阻恒流源和鏡像微恒流源電路，以及恒流源電路輸出電阻的計(jì)算等。 分析恒流源電路的方法是： （1）確定恒流源電路中的基準(zhǔn)晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管； （2） 計(jì)算或確定基準(zhǔn)電流； &nbbsp; （4）繪制恒流部分的交流通路，確定恒流源的內(nèi)阻。 由于恒流源的內(nèi)阻較大，計(jì)算恒流源內(nèi)阻時(shí)不能忽略三極管集電極與發(fā)射極之間，或場(chǎng)效應(yīng)管漏極與源極之間的動(dòng)態(tài)電阻
上傳時(shí)間： 2013-10-09
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在傳統(tǒng)正溫度系數(shù)電流基礎(chǔ)上,增加兩種不同材料的電阻以實(shí)現(xiàn)帶隙基準(zhǔn)的二階溫度補(bǔ)償,采用具有反饋偏置的折疊共源共柵運(yùn)算放大器,使得所設(shè)計(jì)的帶隙基準(zhǔn)電路,具有較高的精度和溫度穩(wěn)定性。
標(biāo)簽： 高精度 帶隙基準(zhǔn)源
上傳時(shí)間： 2013-10-18
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介紹了一種基于Cortex-M3(STM32F103C8)芯片的高速度、低功耗、多功能數(shù)字可調(diào)共振源,以及系統(tǒng)的CPU部分、信號(hào)發(fā)生、濾波及放大部分及相應(yīng)的軟件設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽： Cortex-M 數(shù)字 共振源 方案
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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在醫(yī)用電阻抗層析成像（Electrical Impedance Tomography）系統(tǒng)中電壓控制電流源的性能十分重要，大部分報(bào)道的電壓控電流源電路在低頻時(shí)有較高的輸出阻抗但是在高頻時(shí)性能大幅減弱。通過分析生物阻抗測(cè)量系統(tǒng)對(duì)電壓控制電流源的需求，同時(shí)回顧一些已有的電壓控制電流源電路，包括雙運(yùn)放負(fù)反饋電路、跨導(dǎo)運(yùn)算放大器、AD844，設(shè)計(jì)了一種基于AD8610的電壓控制電流源。并通過電路實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了此電壓控制電流源的性能，同時(shí)提出了改進(jìn)方案。該電壓電流源不僅頻率和幅值可控、精度高，而且有較高的輸出阻抗。
標(biāo)簽： 電阻抗 成像系統(tǒng) 電壓控制 電流源
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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線性卷積和線性相關(guān)的FFT算法：一 實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 1：掌握FFT基2時(shí)間（或基2頻率）抽選法，理解其提高減少乘法運(yùn)算次數(shù)提高運(yùn)算速度的原理。 2：掌握FFT圓周卷積實(shí)現(xiàn)線性卷積的原理 二 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及要求 1.對(duì)N=2048或4096點(diǎn)的離散時(shí)間信號(hào)x(n)，試用Matlab語言編程分別以DFT和FFT計(jì)算N個(gè)頻率樣值X(k), 比較兩者所用時(shí)間的大小。 2.對(duì)N/2點(diǎn)長(zhǎng)的x(n)和N/2點(diǎn)長(zhǎng)的h(n)，試用Matlab語言編程實(shí)現(xiàn)以圓周卷積代替線性卷積，并比較圓周卷積法和直接計(jì)算線性卷積兩者的運(yùn)算速度。 三預(yù)做實(shí)驗(yàn) 1.FFT與DFT計(jì)算時(shí)間的比較 （1）FFT提高運(yùn)算速度的原理 （2）實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與結(jié)論 2.圓周卷積代替線性卷積的有效性實(shí)驗(yàn) （1）圓周卷積代替線性卷積的原理 （2）實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和結(jié)論 FFT提高運(yùn)算速度的原理 FFT算法將長(zhǎng)序列的DFT分解為短序列的DFT。N點(diǎn)的DFT先分解為2個(gè)N/2點(diǎn)的DFT，每個(gè)N/2點(diǎn)的DFT又分解為N/4點(diǎn)的DFT，等等。最小變換的點(diǎn)數(shù)即所謂的“基數(shù)”。因此，基數(shù)為2的FFT算法的最小變換（或稱蝶型）是2點(diǎn)的DFT。一般地，對(duì)N點(diǎn)FFT，對(duì)應(yīng)于N個(gè)輸入樣值，有N個(gè)頻域樣值與之對(duì)應(yīng)。
上傳時(shí)間： 2013-10-26
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采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
上傳時(shí)間： 2013-11-21
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什么叫光無源器件?光無源器件是一種不必借助外部的任何光或電的能量，由自身能夠完成某種光學(xué)功能的光學(xué)元器件，其工作原理遵守幾何光學(xué)理論和物理光學(xué)理論，各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)、各種計(jì)算公式和各種測(cè)試方法與纖維光學(xué)和集成光學(xué)息息相關(guān)。
標(biāo)簽： 無源器件
上傳時(shí)間： 2013-11-01
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描述了三相電壓源型PWM整流器的工作原理，基于整流器網(wǎng)側(cè)電流矢量推導(dǎo)出同步旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型，給出了一種電流前饋解耦控制算法。同時(shí)詳細(xì)介紹了基于電流前饋解耦的PWM整流器雙環(huán)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法。并且應(yīng)用TMS320LF2407A建立了PWM整流器的DSP數(shù)字化實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該整流器能獲得單位功率因數(shù)的正弦輸入電流、穩(wěn)定的直流輸出電壓和快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：asdfasdfd
超低漏失線性穩(wěn)壓器的技術(shù)關(guān)鍵，是基準(zhǔn)源模塊的設(shè)計(jì)，在對(duì)雙極型LDO穩(wěn)壓器進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上，提出了對(duì)其關(guān)鍵模塊基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行高精度的設(shè)計(jì)的方案。
標(biāo)簽： LDO 穩(wěn)壓器 電壓基準(zhǔn)源 分
上傳時(shí)間： 2013-12-07
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摘要：采用共源共柵運(yùn)算放大器作為驅(qū)動(dòng)，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比和低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路，并在TSMC0.18Um CMOS工藝下，采用HSPICE進(jìn)行了仿真.仿真結(jié)果表明：在-25耀115益溫度范圍內(nèi)電路的溫漂系數(shù)為9.69伊10-6/益，電源抑制比達(dá)到-100dB，電源電壓在2.5耀4.5V之間時(shí)輸出電壓Vref的擺動(dòng)為0.2mV，是一種有效的基準(zhǔn)電壓實(shí)現(xiàn)方法.關(guān)鍵詞：帶隙基準(zhǔn)電壓源；電源抑制比；溫度系數(shù)
標(biāo)簽： 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時(shí)間： 2013-11-19
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